半导体器件和方法技术

本发明专利技术提供了半导体器件和方法，包括位于包封通孔和半导体管芯的包封物上方的第一介电层。再分布层位于第一介电层上方，并且第二介电层位于再分布层上方，并且第二介电层包括低温聚酰亚胺材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件和方法。
技术介绍
由于各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的反复减小(例如，朝向亚20nm节点缩小半导体工艺节点)，这使得更多的组件集成到给定的区域。由于最近对微型化、更高的速度和更大的带宽以及更低的功耗和延迟的需求已经增长，对于半导体管芯的更小和更具创造性的封装技术的需求已经增长。由于半导体技术的进一步改进，已经出现作为有效替代的堆叠的和接合的半导体器件以进一步减小半导体器件的物理尺寸。在堆叠的半导体器件中，至少部分地在单独的衬底上制造诸如逻辑电路、存储器电路和处理器电路等的有源电路并且之后物理和电连接在一起以形成功能器件。这种接合工艺利用尖端技术，并且期望进行改进。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将第一半导体管芯放置为邻近于通孔；用包封物包封所述第一半导体管芯和所述通孔；在所述第一半导体管芯和所述通孔上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第一再分布层；以及在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将第一半导体管芯放置为邻近于通孔；用包封物包封所述第一半导体管芯和所述通孔；在所述第一半导体管芯和所述通孔上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第一再分布层；以及在所述第一再分布层上方沉积第二介电层，其中，所述第二介电层包括第一材料，所述第一材料为低温固化的聚酰亚胺。

【技术特征摘要】
2015.10.20 US 62/243,894;2016.06.01 US 15/170,4871.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将第一半导体管芯放置为邻近于通孔；用包封物包封所述第一半导体管芯和所述通孔；在所述第一半导体管芯和所述通孔上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第一再分布层；以及在所述第一再分布层上方沉积第二介电层，其中，所述第二介电层包括第一材料，所述第一材料为低温固化的聚酰亚胺。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层包括所述第一材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体管芯包括位于半导体衬底和所述第一再分布层之间的第三介电层，所述第三介电层包括所述第一材料。4.根据权利要求1所述的方法，还包括位于所述第一半导体管芯的与所述第一介电层相对的侧上的第三介电层，所述第三介电层包括所述第一材料。5.根据权利要求1所述的方法，还包括位于所述第一半导体管芯的与所述第一介电层相对的侧上的第三介电层，所述第三介电层包括第二材料，所述第二材料为聚苯并恶唑。6.根据权利要求1所述的方法，还包括位于所述第二介电层上方的多个介电层，其中，所述多个介电层的每个均包括所述第一材料。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：多个介电层，位于所述第二介电层上方，其中，所述多个介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子正，胡毓祥，蓝若琳，廖思豪，郭正铮，郭宏瑞，刘重希，余振华，周孟纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71