制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构技术

制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构。形成半导体结构(140)的方法包括：在初始衬底(102)上形成器件层(100)；将器件层(100)的第一表面附接至临时衬底；以及通过去除初始衬底(102)的一部分来在器件层(100)的第二表面上形成高电阻率层(136)。该方法进一步包括，将最终衬底(132)附接至高电阻率层(136)，以及去除临时衬底。通过这样的方法制造的半导体结构(140)，其包括最终衬底(132)、设置在最终衬底(132)上的高电阻率层(136)以及设置在高电阻率层(136)上的器件层(100)。

【技术实现步骤摘要】
制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构
本专利技术的实施方案涉及可以用于制造包括高电阻率层的半导体结构的方法，以及使用该方法制造的半导体结构和器件。
技术介绍
射频(RF)电子开关器件(例如，RFCMOS器件)的性能可能取决于制造这些器件的衬底的电阻率。最近，为了制造具有更好的性能的RFCMOS器件，已经利用了先进的绝缘体上半导体(SeOI)衬底，例如高电阻率绝缘体上硅(HR-SOI)。例如，由HR-SOI制造的RF器件已经展示出了较小的RF损耗。器件的有源层的双(或两次)层转移(DLT，doublelayertransfer)使得初始衬底能够被替换为最终衬底，最终衬底更适于提高在其上形成的器件的RF性能。简而言之，(例如包括多个RFCMOS器件的)器件层可以制造在初始衬底中或初始衬底上。器件层可以随后附接至临时衬底。在器件层附接至临时衬底的情况下，初始衬底的一部分可以被去除并被替换为更适于增强RF性能的最终衬底。一旦器件层附接到了最终衬底，可以去除临时衬底，从而完成器件层的DLT工艺。例如，已经利用初始SOI式衬底展示了用于RFCMOS的DLT。在利用初始SOI式衬底时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体结构(140、240)的方法，包括：在初始衬底(102)上形成器件层(100、200)；将器件层(100、200)的第一表面附接至临时衬底(114、214)；形成高电阻率层(136、236)，其中，形成高电阻率层包括去除初始衬底(102)的一部分，高电阻率层包括初始衬底的剩余部分(102'、202')；将最终衬底(132、232)附接至高电阻率层(136、236)；以及去除临时衬底(114、214)。

【技术特征摘要】
2016.01.15 FR 16503331.一种形成半导体结构(140、240)的方法，包括：在初始衬底(102)上形成器件层(100、200)；将器件层(100、200)的第一表面附接至临时衬底(114、214)；形成高电阻率层(136、236)，其中，形成高电阻率层包括去除初始衬底(102)的一部分，高电阻率层包括初始衬底的剩余部分(102'、202')；将最终衬底(132、232)附接至高电阻率层(136、236)；以及去除临时衬底(114、214)。2.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中，去除初始衬底(102)的一部分包括减薄初始衬底(102)的一部分。3.根据权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中，去除初始衬底(102)的一部分进一步包括形成延伸通过初始衬底(102)的剩余部分(102'、202')的多个穿孔(128、228)。4.根据权利要求3所述的形成半导体结构的方法，其中，通过初始衬底(102)的剩余部分(102'、202')形成多个穿孔(128、228)进一步包括：在初始衬底(102)的剩余部分(102')的暴露表面(120)上形成遮罩层(124)，以及通过初始衬底(102)的未遮罩的剩余部分(126)而刻蚀穿孔(128)。5.根据权利要求4所述的形成半导体结构的方法，其中，遮罩层(124)包括多个遮罩元件，并且所述方法进一步包括：将所述多个遮罩元件的总表面面积选择为小于初始衬底(102)的剩余部分(102')的暴露表面(120)的总表面面积的百分之七十五。6.根据权利要求3至5中的任一项所述的形成半导体结构的方法，其中，将最终衬底(132)附接至高电阻率层(136)包括将最终衬底(132)附接至所述多个穿孔(128)，所述多个穿孔形成在最终衬底(132)...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·拉杜，E·德博内，
申请(专利权)人：SOITEC公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR