提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型技术

本发明专利技术提供一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型，将电阻模型两端引出端的端接电阻划分为由接触电阻、硅化电阻以及交界电阻组成的三部分，并通过硅化电阻模型求得非硅化电阻模型的硅化电阻和接触电阻，进而求得交界电阻，从而建立了非硅化电阻模型和硅化电阻模型之间的关联，使得非硅化电阻模型比较物理，模型精度大大提高。同时在非硅化电阻模型的硅化电阻中引入布局参数，即接触孔到硅化电阻区域边界的距离，可以提高非硅化电阻模型的扩展性。

【技术实现步骤摘要】
提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型
本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型。
技术介绍
当前半导体行业中，利用建模仿真技术对半导体集成电路中的半导体器件和电路的性能进行研究越来越被业界人士重视。电阻是半导体集成电路电路中最基本的元器件之一，有很多种类，例如N+硅化多晶硅电阻(N+POLYsalicideresistor)、P+硅化多晶硅电阻(P+POLYsalicideresistor)、N+硅化扩散电阻(N+diffusionsalicideresistor)、P+硅化扩散电阻(P+diffusionsalicideresistor)等硅化电阻以及N+非硅化多晶硅电阻(N+POLYunsalicideresistor)、P+非硅化多晶硅电阻(P+POLYunsalicideresistor)、N+非硅化扩散电阻(N+diffusionunsalicideresistor)、P+非硅化扩散电阻(P+diffusionunsalicideresistor)等非硅化电阻。在建模仿真技术中，在相应的软件程序中一般会基于半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高非硅化电阻模型精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的方块电阻率；将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中。

【技术特征摘要】
1.一种提高非硅化电阻模型精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的方块电阻率；将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的电阻率的步骤包括：根据提取硅化电阻模型的公式RG＝RendG+RshG×LG/(WG+ΔW)，并固定宽度WG，变化长度LG，得到相应的测试数据，以获得ΔLG/ΔR与WG的关系式ΔLG/ΔR＝(WG+ΔW)/RshG，进而得到硅化电阻的方块电阻率RshG和工艺宽度误差ΔW；根据RendG＝RG-RshG×LG/(WG+ΔW)以及相应的测试数据，获得RendG与Ws的关系式RendG＝RendG0/(WG+ΔW)+RC，进而得到RendG0、RC，其中RendG为所述硅化电阻模型的接触电阻。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中的步骤包括：根据提取非硅化电阻模型的公式R＝Rend+Rsh×L/(W+ΔW)，并固定宽度W，变化长度L，得到相应的测试数据，以获得非硅化电阻的方块电阻率Rsh和端接电阻Rend，所述端接电阻Rend包括接触电阻Rct、硅化电阻Rsa、硅化电阻区域和非硅化电阻区域之间的交界电阻Rin三部分；将所述在硅化电阻模型中求得的接触电阻的参数RendG0、RC应用到所述非硅化电阻模型，以得到所述非硅化电阻模型的接触电阻Rct＝Rct0/(W+ΔW)+RC，Rct0＝RendG0；根据所述在硅化电阻模型中求得的方块电阻率RshG以及所述非硅化电阻模型中的硅化电阻布局参数S，获得所述非硅化电阻模型的硅化电阻Rsa＝Rsa0*S/(W+ΔW)，Rsa0＝RshG；根据所述Rend、Rsa、Rct以及公式Rin＝Rend-Rsa-Rct，获得相应的交界电阻Rin。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述获得相应的交界电阻Rin，获得Rin与W的关系式Rin＝Rin0/(W+ΔW)+RC1，RC1为常数。5.一种非硅化电阻模型，其特征在于，包括非硅化方块电阻Rpure和端接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志双，张昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31