提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型技术

本发明专利技术提供一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型，将电阻模型两端引出端的端接电阻划分为由接触电阻、硅化电阻以及交界电阻组成的三部分，并通过硅化电阻模型求得非硅化电阻模型的硅化电阻和接触电阻，进而求得交界电阻，从而建立了非硅化电阻模型和硅化电阻模型之间的关联，使得非硅化电阻模型比较物理，模型精度大大提高。同时在非硅化电阻模型的硅化电阻中引入布局参数，即接触孔到硅化电阻区域边界的距离，可以提高非硅化电阻模型的扩展性。

【技术实现步骤摘要】
提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型
本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型。
技术介绍
当前半导体行业中，利用建模仿真技术对半导体集成电路中的半导体器件和电路的性能进行研究越来越被业界人士重视。电阻是半导体集成电路电路中最基本的元器件之一，有很多种类，例如N+硅化多晶硅电阻(N+POLYsalicideresistor)、P+硅化多晶硅电阻(P+POLYsalicideresistor)、N+硅化扩散电阻(N+diffusionsalicideresistor)、P+硅化扩散电阻(P+diffusionsalicideresistor)等硅化电阻以及N+非硅化多晶硅电阻(N+POLYunsalicideresistor)、P+非硅化多晶硅电阻(P+POLYunsalicideresistor)、N+非硅化扩散电阻(N+diffusionunsalicideresistor)、P+非硅化扩散电阻(P+diffusionunsalicideresistor)等非硅化电阻。在建模仿真技术中，在相应的软件程序中一般会基于半导体集成电路的测试数据对这些电阻单独提取数据，建立相应的一个电阻模型，且这些电阻模型之间没有任何联系，输入相应的电阻模型的相关参数，这些参数用于后续模拟该种电阻在各种环境参数中的性能。电阻一般是两端结构，两端需要接触孔结构和金属引线相连以便于将电阻器有效连接在其他电路中，电流经过的有效方块数是电阻两端之间的方块数，所以模拟电阻值是只需要考虑电阻的长L和宽W。目前，无论是硅化电阻(salicideresistor)还是非硅化电阻(unsalicideresistor)，提取的电阻模型一般会包括纯电阻Rpure和端接电阻Rend两部分，如图1所示，纯电阻Rpure为电阻两端之间的方块电阻，电阻值计算公式为Rpure＝Rsh×L/W，其中，Rsh为方块电阻率，单位为Ω，L为理想的方块电阻长度，W为理想的方块电阻宽度，L和W单位相同，一般为μm。电阻模型两端为由接触孔结构和金属引线相连而成的引出端部分，会分别产生固定的端接电阻Rend1和Rend2，因此所述电阻模型的端接电阻Rend＝Rend1+Rend2。对于硅化电阻模型，端接电阻Rend实际是就是接触电阻Rct，而对于非硅化电阻模型，端接电阻Rend实际上除了接触电阻Rct以外还有硅化电阻。可见非硅化电阻的端接电阻Rend中也包含硅化电阻，而现有技术中基于半导体集成电路的测试数据对非硅化电阻和硅化电阻均是单独提取模型数据，非硅化电阻模型和硅化电阻模型之间没有相关性，由此造成非硅化电阻模型精度不高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型，能够建立非硅化电阻模型与硅化电阻模型之间的关联，使得非硅化电阻模型比较物理，同时提高非硅化电阻模型的可扩展性。为解决上述问题，本专利技术提出一种提高非硅化电阻模型精度的方法，包括以下步骤：在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的方块电阻率；将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中。可选的，在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的电阻率的步骤包括：根据提取硅化电阻模型的公式RG＝RendG+RshG×LG/(WG+ΔW)，并固定宽度WG，变化长度LG，得到相应的测试数据，以获得ΔLG/ΔR与WG的关系式ΔLG/ΔR＝(WG+ΔW)/RshG，进而得到硅化电阻的方块电阻率RshG和工艺宽度误差ΔW；根据RendG＝RG-RshG×LG/(WG+ΔW)以及相应的测试数据，获得RendG与Ws的关系式RendG＝RendG0/(WG+ΔW)+RC，进而得到RendG0、RC，其中RendG为所述硅化电阻模型的接触电阻。可选的，将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中的步骤包括：根据提取非硅化电阻模型的公式R＝Rend+Rsh×L/(W+ΔW)，并固定宽度W，变化长度L，得到相应的测试数据，以获得非硅化电阻的方块电阻率Rsh和端接电阻Rend，所述端接电阻Rend包括接触电阻Rct、硅化电阻Rsa、硅化电阻区域和非硅化电阻区域之间的交界电阻Rin三部分；将所述在硅化电阻模型中求得的接触电阻的参数RendG0、RC应用到所述非硅化电阻模型，以得到所述非硅化电阻模型的接触电阻Rct＝Rct0/(W+ΔW)+RC，Rct0＝RendG0；根据所述在硅化电阻模型中求得的方块电阻率RshG以及所述非硅化电阻模型中的硅化电阻布局参数S，获得所述非硅化电阻模型的硅化电阻Rsa＝Rsa0*S/(W+ΔW)，Rsa0＝RshG；根据所述Rend、Rsa、Rct以及公式Rin＝Rend-Rsa-Rct，获得相应的交界电阻Rin。可选的，根据所述获得相应的交界电阻Rin，获得Rin与W的关系式Rin＝Rin0/(W+ΔW)+RC1，RC1为常数。本专利技术还提供一种非硅化电阻模型，包括非硅化方块电阻Rpure和端接电阻Rend两部分，其中，所述方块电阻的提取公式为Rpure＝Rsh×L/(W+ΔW)，Rsh为非硅化电阻的方块电阻率，L为所述非硅化方块电阻的长度，W为所述非硅化方块电阻的宽度，ΔW为工艺宽度误差；所述端接电阻Rend包括接触电阻Rct、硅化电阻Rsa、硅化电阻区域和非硅化电阻区域之间的交界电阻Rin三部分，所述接触电阻的提取公式为Rct＝Rct0/(W+ΔW)+RC，所述硅化电阻的提取公式为Rsa＝Rsa0*S/(W+ΔW)，Rct和Rsa均从相应的硅化电阻模型中获得，Rsa0为硅化电阻的方块电阻率，S为所述非硅化电阻模型中的硅化电阻布局参数，所述交界电阻的提取公式为Rin＝Rin0/(W+ΔW)+RC1，RC1为常数。可选的，从相应的硅化电阻模型中获得所述接触电阻Rct和硅化电阻Rsa的步骤包括：根据提取硅化电阻模型的公式Rs＝Rends+Rshs×Ls/(Ws+ΔW)，并固定宽度Ws，变化长度Ls，得到相应的测试数据，以获得ΔLs/ΔR与Ws的关系式ΔLs/ΔR＝(Ws+ΔW)/Rshs，进而得到硅化电阻的方块电阻率Rshs和工艺宽度误差ΔW，Rshs即Rsa0，由此获得非硅化电阻模型的硅化电阻Rsa＝Rsa0*S/(W+ΔW)；根据Rends＝Rs-Rshs×Ls/(Ws+ΔW)以及相应的测试数据，获得Rends与Ws的关系式Rends＝Rends0/(Ws+ΔW)+RC，进而得到Rends0、RC，其中Rends即Rct，Rends0即Rct0，由此获得非硅化电阻模型的接触电阻Rct＝Rct0/(W+ΔW)+RC。可选的所述交界电阻Rin的获得过程包括：根据提取非硅化电阻模型的公式R＝Rend+Rsh×L/(W+ΔW)，并固定宽度W，变化长度L，得到相应的测试数据，以获得非硅化电阻的方块电阻率Rsh和端接电阻Rend；根据所述Rend、Rsa、Rct以及公式Rin＝Rend-Rsa-Rct，获得相应的交界电阻Rin，进而获得Rin与W的关系式Rin＝Rin0/(W+ΔW)+RC1，RC1为常数。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：1、将非硅化电阻模型两端引出端的端接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高非硅化电阻模型精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的方块电阻率；将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中。

【技术特征摘要】
1.一种提高非硅化电阻模型精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的方块电阻率；将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅化电阻模型中求得接触电阻和硅化电阻的电阻率的步骤包括：根据提取硅化电阻模型的公式RG＝RendG+RshG×LG/(WG+ΔW)，并固定宽度WG，变化长度LG，得到相应的测试数据，以获得ΔLG/ΔR与WG的关系式ΔLG/ΔR＝(WG+ΔW)/RshG，进而得到硅化电阻的方块电阻率RshG和工艺宽度误差ΔW；根据RendG＝RG-RshG×LG/(WG+ΔW)以及相应的测试数据，获得RendG与Ws的关系式RendG＝RendG0/(WG+ΔW)+RC，进而得到RendG0、RC，其中RendG为所述硅化电阻模型的接触电阻。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述接触电阻和硅化电阻的方块电阻率运用到非硅化电阻模型中的步骤包括：根据提取非硅化电阻模型的公式R＝Rend+Rsh×L/(W+ΔW)，并固定宽度W，变化长度L，得到相应的测试数据，以获得非硅化电阻的方块电阻率Rsh和端接电阻Rend，所述端接电阻Rend包括接触电阻Rct、硅化电阻Rsa、硅化电阻区域和非硅化电阻区域之间的交界电阻Rin三部分；将所述在硅化电阻模型中求得的接触电阻的参数RendG0、RC应用到所述非硅化电阻模型，以得到所述非硅化电阻模型的接触电阻Rct＝Rct0/(W+ΔW)+RC，Rct0＝RendG0；根据所述在硅化电阻模型中求得的方块电阻率RshG以及所述非硅化电阻模型中的硅化电阻布局参数S，获得所述非硅化电阻模型的硅化电阻Rsa＝Rsa0*S/(W+ΔW)，Rsa0＝RshG；根据所述Rend、Rsa、Rct以及公式Rin＝Rend-Rsa-Rct，获得相应的交界电阻Rin。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述获得相应的交界电阻Rin，获得Rin与W的关系式Rin＝Rin0/(W+ΔW)+RC1，RC1为常数。5.一种非硅化电阻模型，其特征在于，包括非硅化方块电阻Rpure和端接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志双，张昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31