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本发明提供一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型，将电阻模型两端引出端的端接电阻划分为由接触电阻、硅化电阻以及交界电阻组成的三部分，并通过硅化电阻模型求得非硅化电阻模型的硅化电阻和接触电阻，进而求得交界电阻，从而建立了非硅化电阻模...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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