转换电路及其工作方法、补偿装置和显示设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种转换电路及其工作方法、补偿装置和显示设备，所述转换电路包括形成单元和输入单元，所述形成单元分别与输出端和第一电压端连接，所述输入单元分别与输入端和输出端连接；所述形成单元用于根据标准电流和预设电压形成标准电阻；所述输入单元用于根据所述输入端输入的驱动电流向所述标准电阻输出所述驱动电流；所述形成单元用于根据所述第一电压端的输入信号和所述驱动电流形成电压信号。本发明专利技术提供的技术方案根据标准电流和预设电压形成标准电阻，以将电阻精度设定在同一值，从而将像素驱动电流准确转换为电压信号，避免了电阻个体差异带来的转换精度的损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种转换电路及其工作方法、补偿装置和显示设备。
技术介绍
现有的像素电路之中，驱动管TFT(Thin Film Transistor，TFT)由数据电压驱动打开，产生驱动电流作用于OLED(Organic Light-Emitting Diode，OLED)上，从而驱动OLED发光。由于工艺过程以及实际生产之中的不可控因素，驱动管TFT的特性不完全相同甚至差异较大，因此同样的数据电压作用于不同的驱动管TFT产生的电流也会不同甚至差异较大，从而导致OLED的亮度不均匀。为解决上述问题，现有技术对驱动数据进行调整，以使得驱动管TFT的驱动电流达到期望值。在补偿过程之中，需要将电流信号转换为电压信号。然而，转换精度的损失影响补偿效果。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种转换电路及其工作方法、补偿装置和显示设备，至少部分解决现有的像素补偿过程之中，电流信号转换为电压信号时出现转换精度的损失，从而影响补偿效果的问题。为此，本专利技术提供一种转换电路，包括形成单元和输入单元，所述形成单元分别与输出端和第一电压端连接，所述输入单元分别与输入端和输出端连接；所述形成单元用于根据标准电流和预设电压形成标准电阻；所述输入单元用于根据所述输入端输入的驱动电流向所述标准电阻输出所述驱动电流；所述形成单元用于根据所述第一电压端的输入信号和所述驱动电流形成电压信号。可选的，所述输入单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述输入端连接，所述第一晶体管的第一极与所述输入端连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接；所述第二晶体管的栅极与所述输入端连接，所述第二晶体管的第一极与所述第三晶体管的第二极连接，所述第二晶体管的第二极接地；所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第一极与所述第四晶体管的第一极连接；所述第四晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极连接，所述第四晶体管的第二极与输出端连接。可选的，所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型MOS晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管为P型MOS晶体管。可选的，所述第一电压端接地。可选的，所述输入单元包括第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管的栅极与所述输入端连接，所述第五晶体管的第一极与所述输入端连接，所述第五晶体管的第二极与所述第六晶体管的第二极连接；所述第六晶体管的栅极与所述输入端连接，所述第六晶体管的第一极与所述输出端连接，所述第六晶体管的第二极接地。可选的，所述第五晶体管和所述第六晶体管为N型MOS晶体管。可选的，所述第一电压端与高电平连接。本专利技术还提供一种补偿装置，包括补偿单元和上述任一转换电路，所述补偿单元的输入端与所述形成单元的输出端连接。本专利技术还提供一种显示设备，包括像素单元与上述补偿装置，所述像素单元的驱动电流输出端与所述输入单元的输入端连接。本专利技术还提供一种转换电路的工作方法，所述转换电路包括形成单元和输入单元，所述形成单元分别与输出端和第一电压端连接，所述输入单元分别与输入端和输出端连接；所述转换电路的工作方法包括：所述形成单元根据标准电流和预设电压形成标准电阻；所述输入单元根据所述输入端输入的驱动电流向所述标准电阻输出所述驱动电流；所述形成单元根据所述第一电压端的输入信号和所述驱动电流形成电压信号。本专利技术具有下述有益效果：本专利技术提供的转换电路及其工作方法、补偿装置和显示设备之中，所述转换电路包括形成单元和输入单元，所述形成单元分别与输出端和第一电压端连接，所述输入单元分别与输入端和输出端连接；所述形成单元用于根据标准电流和预设电压形成标准电阻；所述输入单元用于根据所述输入端输入的驱动电流向所述标准电阻输出所述驱动电流；所述形成单元用于根据所述第一电压端的输入信号和所述驱动电流形成电压信号。本专利技术提供的技术方案根据标准电流和预设电压形成标准电阻，从而将电阻精度设定在同一值，在此基础上不同驱动管的驱动电流作用在所述标准电阻上会得到不同的电压值，上述电压值的精度也可以反映电流值的精度，从而达到准确提取驱动电流而且将所述驱动电流转换为电压信号的目标。另外，本专利技术提供的技术方案利用标准电阻将像素驱动电流准确转换为电压信号，避免了电阻个体差异带来的转换精度的损失。而且，上述电压信号可以直接应用于后续的补偿电路，以实现对像素的补偿，使得不同数据电压驱动的不同驱动管，产生相同的驱动电流，从而实现亮度的均匀显示。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种转换电路的结构示意图；图2为图1所示转换电路的一种具体结构示意图；图3为图1所示转换电路的另一种具体结构示意图；图4为图1所示形成单元的一种具体结构示意图；图5为本专利技术实施例二提供的一种补偿装置的结构示意图；图6为本专利技术实施例三提供的一种显示设备的结构示意图；图7为本专利技术实施例四提供的一种转换电路的工作方法的流程图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的转换电路及其工作方法、补偿装置和显示设备进行详细描述。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种转换电路的结构示意图。如图1所示，所述转换电路包括形成单元101和输入单元102，所述形成单元101分别与输出端和第一电压端连接，所述输入单元102分别与输入端和输出端连接。所述形成单元101用于根据标准电流和预设电压形成标准电阻，所述输入单元102用于根据所述输入端输入的驱动电流向所述标准电阻输出所述驱动电流，所述形成单元101用于根据所述第一电压端的输入信号和所述驱动电流形成电压信号。本实施例提供的技术方案根据标准电流和预设电压形成标准电阻，从而将电阻精度设定在同一值，在此基础上不同驱动管的驱动电流作用在所述标准电阻上会得到不同的电压值，上述电压值的精度也可以反映电流值的精度，从而达到准确提取驱动电流而且将所述驱动电流转换为电压信号的目标。图2为图1所示转换电路的一种具体结构示意图。如图2所示，所述输入单元102包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4。所述第一晶体管M1的栅极与所述输入端连接，所述第一晶体管M1的第一极与所述输入端连接，所述第一晶体管M1的第二极与所述第二晶体管的第二极连接。所述第二晶体管M2的栅极与所述输入端连接，所述第二晶体管M2的第一极与所述第三晶体管M3的第二极连接，所述第二晶体管M2的第二极接地。所述第三晶体管M3的栅极与所述第二晶体管M2的第一极连接，所述第三晶体管M3的第一极与所述第四晶体管M4的第一极连接。所述第四晶体管M4的栅极与所述第二晶体管M2的第一极连接，所述第四晶体管M4的第二极与输出端连接。可选的，所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2为N型MOS晶体管，所述第三晶体管M3和所述第四晶体管M4为P型MOS晶体管，所述第一电压端接地。参见图2，电阻R1为形成单元101根据标准电流和预设电压形成的标准电阻。具体来说，输入端输入标准电流，测量此时输出端的电压值，根据测量的电压值与预设的电压值不断修正电阻R1的值，使得测量的电压值达到预设的电压值。例如，预设电阻R1的值为1000K ohm，标准电流为1uA，则预设的电压值应为1V。如果测量获得的电压值为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种转换电路，其特征在于，包括形成单元和输入单元，所述形成单元分别与输出端和第一电压端连接，所述输入单元分别与输入端和输出端连接；所述形成单元用于根据标准电流和预设电压形成标准电阻；所述输入单元用于根据所述输入端输入的驱动电流向所述标准电阻输出所述驱动电流；所述形成单元用于根据所述第一电压端的输入信号和所述驱动电流形成电压信号。

【技术特征摘要】
1.一种转换电路，其特征在于，包括形成单元和输入单元，所述形成单元分别与输出端和第一电压端连接，所述输入单元分别与输入端和输出端连接；所述形成单元用于根据标准电流和预设电压形成标准电阻；所述输入单元用于根据所述输入端输入的驱动电流向所述标准电阻输出所述驱动电流；所述形成单元用于根据所述第一电压端的输入信号和所述驱动电流形成电压信号。2.根据权利要求1所述的转换电路，其特征在于，所述输入单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述输入端连接，所述第一晶体管的第一极与所述输入端连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接；所述第二晶体管的栅极与所述输入端连接，所述第二晶体管的第一极与所述第三晶体管的第二极连接，所述第二晶体管的第二极接地；所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第一极与所述第四晶体管的第一极连接；所述第四晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极连接，所述第四晶体管的第二极与输出端连接。3.根据权利要求2所述的转换电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型MOS晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管为P型MOS晶体管。4.根据权利要求2所述的转换电路，其特征在于，所述第一电压端接地。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋琛，吴仲远，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11