晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法。将垂直形成的第1分割预定线和第2分割预定线中的至少第2分割预定线以非连续的方式形成的晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片的加工方法包含如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着第1分割预定线在晶片的内部形成第1方向改质层；以及第2方向改质层形成步骤，沿着第2分割预定线在晶片的内部形成第2方向改质层。第2方向改质层形成步骤包含T字路加工步骤，在与形成有第1方向改质层的第1分割预定线呈T字路相交的第2分割预定线的内部形成第2方向改质层。在T字路加工步骤中，多层的第2方向改质层的端部从下层到上层朝向先形成的第1方向改质层形成为逆阶梯状。

Wafer processing method

Method for processing wafer. The formation of the first vertical lines and second predetermined chip segmentation segmentation at least second predetermined line in the preset dividing line formed in a non continuous way is divided into one chip, the wafer processing method includes the following steps: first direction modified layer forming step along the first preset dividing line first direction is formed on a wafer the internal surface modification layer; and a second direction modified layer forming step along the second preset dividing line second direction formed on the wafer within the modified layer. The second direction modification layer forming step comprises a T word path processing step, forming a second direction modified layer in the interior of the second division predetermined line intersecting the first division predetermined line having a first direction modified layer and forming a T word path. In the T word processing step, the end of the second direction modification layer of the multilayer is moved from the lower layer to the upper layer toward the first formed first direction, and the modified layer forms an inverse ladder shape.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及硅晶片、蓝宝石晶片等晶片的加工方法。
技术介绍
硅晶片、蓝宝石晶片等晶片中，IC、LSI、LED等多个器件由分割预定线划分而形成在正面上，通过加工装置将晶片分割成一个个的器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。关于晶片的分割，广泛采用使用了被称为划片器的切削装置的划片方法。在划片方法中，使切削刀具以30000rpm左右的高速旋转并且切入晶片从而切削晶片，将晶片分割成一个个的器件芯片，该切削刀具利用金属或树脂将类金刚石等磨粒固化而制成厚度为30μm左右。另一方面，近年来，开发出使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法，并将其实用化。作为使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法，公知有以下说明的第1和第2加工方法。第1加工方法是如下的方法：将对于晶片具有透过性的波长(例如1342nm)的激光束的聚光点定位在与分割预定线对应的晶片的内部，而沿着分割预定线照射激光束从而在晶片内部形成改质层，然后通过分割装置对晶片施加外力而以改质层为分割起点将晶片分割成一个个的器件芯片(例如，参照日本特许第3408805号)。第2加工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，将晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片在由形成于第1方向上的多条第1分割预定线和形成于与该第1方向交叉的第2方向上的多条第2分割预定线划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧聚光在晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1方向改质层；第2方向改质层形成步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，沿着该第2分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的...

【技术特征摘要】
2015.09.16 JP 2015-1834031.一种晶片的加工方法，将晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片在由形成于第1方向上的多条第1分割预定线和形成于与该第1方向交叉的第2方向上的多条第2分割预定线划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧聚光在晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1方向改质层；第2方向改质层形成步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，沿着该第2分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧聚光在晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第2分割预...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中圭，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP