氮化镓基板的生成方法技术

提供氮化镓基板的生成方法，不浪费地从氮化镓(GaN)锭生成大量的氮化镓基板。该氮化镓锭具有第1面和处于第1面的相反侧的第2面，该氮化镓基板的生成方法包含如下的工序：界面形成工序，从第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓(Ga)和氮(N)析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的第1面上，并且将第2保持部件粘接在第2面上；和氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使第1保持部件与第2保持部件向互相远离的方向移动，由此从该界面将氮化镓锭分离而生成氮化镓基板。

Method for producing gallium nitride substrate

A method of forming a gallium nitride substrate is provided that generates large amounts of gallium nitride substrates without waste from gallium nitride (GaN) ingots. The Gan ingot has a first surface and second in the first opposite side surfaces, the generation method of GaN substrate comprises the following steps: forming the interface process, from the first sides will through the spot for GaN has laser light of the wavelength of the location within the irradiated Gan ingot, forming Gan damage the gallium (Ga) and nitrogen (N) precipitation interface; holding member bonding procedure, the first holding member bonded on the Gan ingot on the first surface, and the second holding member bonding on the second side; and the GaN substrate forming step will be to make Gan ingot heating gallium melt temperature, and make first holding members and the second holding member to move away from each other in the direction from the interface of Gan Gan substrate generated ingot separation.

【技术实现步骤摘要】
氮化镓基板的生成方法
本专利技术涉及氮化镓基板的生成方法，从氮化镓(GaN)锭生成具有规定的厚度的氮化镓基板。
技术介绍
由于氮化镓(GaN)的禁带宽度(bandgap)比硅大3倍，绝缘破坏电压也高，所以作为功率控制用的半导体元件(功率器件)来进行利用。例如，在功率器件晶片中，在氮化镓基板的上表面上在由格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内形成有功率器件，沿着分割预定线将该功率器件晶片分割成各个功率器件，并应用于个人计算机、汽车等控制装置中。关于上述的构成功率器件晶片的氮化镓基板，利用线切割机对氮化镓(GaN)锭进行切片并对切片得到的氮化镓基板的正背面进行研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2000-94221号公报然而，由于在氮化镓(GaN)锭的制造中需要与之相当的设备和时间，所以不但例如直径为100mm且厚度为3mm的氮化镓(GaN)锭要花费数百万日元的高价，而且当利用线切割机进行切片时氮化镓(GaN)锭的60～70％作为切削屑而被舍弃，存在不经济并且生产性差的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供氮化镓基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基板的生成方法，将氮化镓锭生成多个氮化镓基板，该氮化镓锭具有第1面和处于该第1面的相反侧的第2面，其特征在于，该氮化镓基板的生成方法具有如下的工序：界面形成工序，从该第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓和氮析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的该第1面上，并且将第2保持部件粘接在该第2面上；以及氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使该第1保持部件与该第2保持部件向互相远离的方向移动，由此从该界面将氮化镓锭分离而生成氮化镓基板。

【技术特征摘要】
2015.09.15 JP 2015-1819501.一种氮化镓基板的生成方法，将氮化镓锭生成多个氮化镓基板，该氮化镓锭具有第1面和处于该第1面的相反侧的第2面，其特征在于，该氮化镓基板的生成方法具有如下的工序：界面形成工序，从该第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓和氮析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的该第1面上，并且将第2保持部件粘接在该第2面上；以及氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使该第1保持部件与该第2保持部件向互相远离...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP