含硅高支化聚合物及含有该聚合物的固化性组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供一种硬涂层形成用组合物，其在高光滑性和疏水疏油性方面优异，并且在耐指纹性、污渍擦除性等防污性方面也优异，另一方面，可通过一般所使用的氮气氛下或空气气氛下的紫外线照射而固化。解决手段是一种含硅高支化聚合物、含有该高支化聚合物的固化性组合物、由该组合物得到的固化膜、以及使用该组合物得到的硬涂膜，所述含硅高支化聚合物是通过使单体A和单体B在聚合引发剂D的存在下进行聚合而得到的，所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键，所述单体B在分子内具有聚硅氧烷链和至少1个自由基聚合性双键，相对于该单体A的摩尔数，所述聚合引发剂D的量为5～200摩尔％。

【技术实现步骤摘要】
含硅高支化聚合物及含有该聚合物的固化性组合物本申请专利技术是申请号为201380039560.1、专利技术名称为“含硅高支化聚合物及含有该聚合物的固化性组合物”、申请日为2013年7月24日的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种含硅高支化聚合物、添加了该含硅高支化聚合物而成的固化性组合物、及由该组合物得到的硬涂膜。
技术介绍
聚合物(高分子)材料近年来在越来越多的领域中被利用。伴随于此，与各个领域对应，作为基体的聚合物的性状以及其表面、界面的特性变得重要。例如通过使用表面能低的氟系化合物作为表面改性剂，可期待疏水疏油性、防污性、非粘合性、剥离性、脱模性、光滑性、耐磨性、抗反射特性、耐化学药品性等与表面和界面控制相关的特性的提高，提出了各种方案。在LCD(液晶显示器)、PDP(等离子体显示器)、触摸面板等各种显示器的表面使用具备用于防止划伤的硬涂层的各种塑料膜。但是，硬涂层容易附着指纹痕、污渍，附着的指纹痕、污渍不能简单地除去。因此，存在显著损伤显示器的图像的可见性或损伤显示器的美观这样的问题。特别是触摸面板表面，由于是人手直接接触的表面，因此，特别强烈地期望指纹痕不易附着，且在附着的情况下容易除去。作为用于形成这样的硬涂层的硬涂层形成用涂布液，具体而言，公开了对含有硅氧烷系化合物和/或氟系化合物的硬涂层用组合物照射活性能量射线而得到的固化层在防污性和光滑性方面优异(专利文献1)。另外，公开了由含有含氟高支化聚合物以及全氟聚醚化合物和/或硅氧烷化合物的涂布用固化性组合物得到的硬涂膜在耐指纹性等表面特性方面优异(专利文献2)。此外，公开了由添加了具有聚硅氧烷的侧链的支化聚合物而成的涂料组合物得到的高分子成型体可长时期维持抗粘合性和耐污染性(专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-152751号公报专利文献2：国际公开第2012/074071号小册子专利文献3：日本特开2002-121487号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题如上所述，虽然提出了各种将硅化合物(硅氧烷系表面调节剂)、氟化合物(氟系表面调节剂)添加到硬涂层形成用涂布液中来对硬涂层的表面进行改性的方法，但在具备含有硅化合物或氟化合物的硬涂层的各种显示器或电子设备框体中，使用它们的使用者在使用纸巾或湿纸巾擦去附着于其表面的污渍时，如果表面不具有充分的光滑性，则存在污渍的除去性不良好这样的课题。另外，近年来，在智能手机、平板PC等的触摸面板中，由于进行滑动或轻弹这样的用手指等对其表面进行描绘这样的操作，因此，要求可得到更高光滑性的表面的技术。即，要求一种高光滑性和疏水疏油性优异，且可通过一般所使用的氮气氛下或空气气氛下的紫外线照射而固化的硬涂层形成用组合物。用于解决课题的手段本专利技术人们为了实现上述目的进行了悉心研究，结果发现，通过在固化型组合物中添加一种含硅高支化聚合物，可对由该组合物得到的固化膜赋予高光滑性和疏水疏油性，而且，该固化膜可在利用紫外线照射的惯用的固化条件下表现出这些性能，以至于完成了本专利技术，所述含硅高支化聚合物是通过使单体A和单体B在聚合引发剂D的存在下进行聚合而得到的，所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键，所述单体B在分子内具有聚硅氧烷链和至少1个自由基聚合性双键，相对于该单体A的摩尔数，所述聚合引发剂D的量为5～200摩尔％。即，作为第一观点，本专利技术涉及一种含硅高支化聚合物，其是通过使单体A和单体B在聚合引发剂D的存在下进行聚合而得到的，所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键，所述单体B在分子内具有聚硅氧烷链和至少1个自由基聚合性双键，相对于该单体A的摩尔数，所述聚合引发剂D的量为5～200摩尔％。作为第二观点，涉及一种含硅高支化聚合物，其是通过使单体A、单体B和单体C在聚合引发剂D的存在下进行聚合而得到的，所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键，所述单体B在分子内具有聚硅氧烷链和至少1个自由基聚合性双键，所述单体C在分子内具有碳原子数6～30的烷基或碳原子数3～30的脂环基和至少1个自由基聚合性双键，相对于该单体A的摩尔数，所述聚合引发剂D的量为5～200摩尔％。作为第三观点，涉及第一观点或第二观点所述的含硅高支化聚合物，所述单体B为具有至少1个乙烯基或(甲基)丙烯基的化合物。作为第四观点，涉及第三观点所述的含硅高支化聚合物，所述单体B为下述式[1]所示的化合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，R2表示通过硅原子与L1键合的聚硅氧烷链，L1表示碳原子数1～6的亚烷基。)作为第五观点，涉及第四观点所述的含硅高支化聚合物，所述单体B为下述式[2]所示的化合物。(式中，R1和L1分别表示与所述式[1]中的定义相同的含义，R3～R7分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，n表示1～200的整数。)作为第六观点，涉及第一观点或第二观点所述的含硅高支化聚合物，所述单体A为具有乙烯基和(甲基)丙烯酰基中的任一者或两者的化合物。作为第七观点，涉及第六观点所述的含硅高支化聚合物，所述单体A为二乙烯基化合物或二(甲基)丙烯酸酯化合物。作为第八观点，涉及第二观点所述的含硅高支化聚合物，所述单体C为具有至少1个乙烯基或(甲基)丙烯基的化合物。作为第九观点，涉及第八观点所述的含硅高支化聚合物，所述单体C为下述式[3]所示的化合物。(式中，R8表示氢原子或甲基，R9表示碳原子数6～30的烷基或碳原子数3～30的脂环基。)作为第十观点，涉及第一观点或第二观点所述的含硅高支化聚合物，所述聚合引发剂D为偶氮系聚合引发剂。作为第十一观点，涉及第一观点～第十观点中任一项所述的含硅高支化聚合物，其是相对于所述单体A的摩尔数使用0.01～10摩尔％的量的所述单体B而得到的。作为第十二观点，涉及第二观点～第十观点中任一项所述的含硅高支化聚合物，其是相对于所述单体A的摩尔数使用0.01～10摩尔％的量的所述单体B和10～300摩尔％的量的所述单体C而得到的。作为第十三观点，涉及一种漆，其含有第一观点～第十二观点中任一项所述的含硅高支化聚合物。作为第十四观点，涉及一种固化性组合物，其含有：(a)第一观点～第十二观点中任一项所述的含硅高支化聚合物0.01～10质量份、(b)活性能量射线固化性多官能单体100质量份、以及(c)通过活性能量射线产生自由基的聚合引发剂0.1～25质量份。作为第十五观点，涉及第十四观点所述的固化性组合物，所述(b)多官能单体为选自多官能(甲基)丙烯酸酯化合物和多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物中的至少1种。作为第十六观点，涉及第十四观点或第十五观点所述的固化性组合物，所述(c)聚合引发剂为烷基苯酮化合物。作为第十七观点，涉及第十四观点～第十六观点中任一项所述的固化性组合物，其还含有(d)全氟聚醚化合物和硅氧烷化合物中的至少1种表面改性剂0.01～10质量份。作为第十八观点，涉及第十七观点所述的固化性组合物，所述(d)表面改性剂为具有(甲基)丙烯酰基的化合物。作为第十九观点，涉及第十四观点～第十八观点中任一项所述的固化性组合物，其还含有(e)溶剂。作为第二十观点，涉及一种固化膜，其是由第十四观点～第十九观点中任一项所述的固化性组合物得到的。作为第二十一观点，涉及一种硬涂膜，其为在膜基材的至少一面具备硬涂层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含硅高支化聚合物，其是通过使单体A和单体B在聚合引发剂D的存在下进行聚合而得到的，所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键，所述单体B在分子内具有聚硅氧烷链和至少1个自由基聚合性双键，相对于该单体A的摩尔数，所述聚合引发剂D的量为5～200摩尔％。

【技术特征摘要】
2012.07.27 JP 2012-1677971.一种含硅高支化聚合物，其是通过使单体A和单体B在聚合引发剂D的存在下进行聚合而得到的，所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键，所述单体B在分子内具有聚硅氧烷链和至少1个自由基聚合性双键，相对于该单体A的摩尔数，所述聚合引发剂D的量为5～200摩尔％。2.根据权利要求1所述的含硅高支化聚合物，其还共聚了不属于所述单体A和所述单体B的其它单体。3.根据权利要求1所述的含硅高支化聚合物，其还共聚了单体C，所述单体C在分子内具有：碳原子数6～30的烷基或碳原子数3～30的脂环基、和至少1个自由基聚合性双键。4.根据权利要求3所述的含硅高支化聚合物，其还共聚了不属于所述单体A、所述单体B和所述单体C的其它单体。5.根据权利要求1～4中任一项所述的含硅高支化聚合物，所述单体B为具有至少1个乙烯基或(甲基)丙烯酰基的化合物。6.根据权利要求5所述的含硅高支化聚合物，所述单体B为下述式[1]所示的化合物，式中，R1表示氢原子或甲基，R2表示通过硅原子与L1键合的聚硅氧烷链，L1表示碳原子数1～6的亚烷基。7.根据权利要求6所述的含硅高支化聚合物，所述单体B为下述式[2]所示的化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：田村浩康，松山元信，原口将幸，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP