The invention discloses an image pickup device and an electronic device including the image pickup device. The imaging device includes a substrate having a first side and a second as the light incident side, wherein the substrate comprises a first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit; a wiring layer, arranged adjacent to the first side of the substrate; and a photoelectric conversion film disposed on the top. The second side of the substrate wherein the second photoelectric conversion unit at least a portion is arranged between the first photoelectric conversion unit and the photoelectric conversion film and the substrate is disposed between the photoelectric conversion film and the wiring layer. According to the invention, can reduce the sensitivity caused by differences in location of photoelectric conversion film and photoelectric conversion layer in the incident direction of the optical axis with respect to the change of F-measure, so can reduce the sensitivity of each color of the F-measure dependence.
【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2012年4月28日、专利技术名称为“固体摄像器件和电子装置”的申请号为201210134797.5的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及固体摄像器件和电子装置,特别地,涉及使用光电转换膜对入射光进行光电转换的固体摄像器件和设置有该固体摄像器件的电子装置。
技术介绍
例如,对于固体摄像器件,其所通常使用的器件中的与R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)三基色相对应的像素(子像素)平面地排列在半导体基板上,三基色的光束分别在各像素中受到光电转换,并且将由光电转换获得的电荷读出。通过拜耳阵列(Bayerarray)举例说明了彩色像素阵列,在拜耳阵列中,针对两个绿色像素设置有一个红色像素和一个蓝色像素。在这种类型的固体摄像器件中,存在着这样的问题:由于RGB三基色的光束是在互不相同的平面位置中检测出来的,所以发生了分色(colorseparation),并且由于接收光位置的不同而产生了伪彩色(falsecolor)。伪彩色导致了图像质量的劣化。为了避免该问题,目前提出了具有相关技术中所谓的层叠型像素结构的固体摄像器件,在该固体摄像器件中,在半导体基板外部设置有G光光电转换膜,并在半导体基板内部设置有B光光电转换层和R光光电转换层(例如,参照日本专利申请特开2006-278446号公报)。日本专利申请特开2006-278446号公报所披露的具有层叠型像素结构的固体摄像器件采用了前表面侧照射型像素结构,在该结构中,当半导体基板的形成有配线层的一侧的表面被设定为前表面时,入射光从半导体基板的该前表面照射像素。在前表面照射型像素结构的情况下,由于在基板表面与 ...
【技术保护点】
一种摄像器件,其包括:基板,其具有第一侧和作为光入射侧的第二侧,所述基板包括第一光电转换单元和第二光电转换单元;配线层,其布置成邻近于所述基板的所述第一侧;以及光电转换膜,其布置在所述基板的所述第二侧的上方,其中,所述第二光电转换单元的至少一部分布置在所述第一光电转换单元与所述光电转换膜之间,且所述基板布置在所述光电转换膜与所述配线层之间。
【技术特征摘要】
2011.05.10 JP 2011-1052841.一种摄像器件,其包括:基板,其具有第一侧和作为光入射侧的第二侧,所述基板包括第一光电转换单元和第二光电转换单元;配线层,其布置成邻近于所述基板的所述第一侧;以及光电转换膜,其布置在所述基板的所述第二侧的上方,其中,所述第二光电转换单元的至少一部分布置在所述第一光电转换单元与所述光电转换膜之间,且所述基板布置在所述光电转换膜与所述配线层之间。2.根据权利要求1所述的摄像器件,其还包括:下电极;以及上电极,其中,所述光电转换膜位于所述下电极与所述上电极之间。3.根据权利要求2所述的摄像器件,其还包括:电荷累积单元,其电连接至所述光电转换膜。4.根据权利要求3所述的摄像器件,其还包括:第一浮动扩散单元,其电连接至所述电荷累积单元。5.根据权利要求4所述的摄像器件,其还包括:第一传输晶体管,其被构造成将电荷从所述光电转换膜传输至所述第一浮动扩散单元。6.根据权利要求5所述的摄像器件,其中,所述第一传输晶体管和所述第一浮动扩散单元布置在所述基板的所述第一侧。7.根据权利要求4所述的摄像器件,其还包括:第一电导材料部,其通过绝缘膜与所述下电极分离。8.根据权利要求7所述的摄像器件,其中,所述第一电导材料部邻近于所述下电极。9.根据权利要求8所述的摄像器件,其中,所述第一电导材料部是第一遮光膜。10.根据权利要求1所述的摄像器件,其还包括:遮光膜,其布置在所述基板的所述第二侧,且被构造成遮挡入射光的至少一部分。11.根据权利要求10所述的摄像器件,其中,所述遮光膜包括Ti、TiN或W中的至少一者。12.根据权利要求11所述的摄像器件,其中,所述遮光膜包括布置在像素区域处的第一遮光膜和布置在光学黑区域处的第二遮光膜,所述第一遮光膜包括将光传递至所述基板的所述第二侧的开口。13.根据权利要求12所述的摄像器件,其还包括:像素阵列,其包括多个像素,其中,所述第一遮光膜位于所述像素阵列中的相邻像素之间,且其中,所述第一遮光膜被设定至预定电位。14.根据权利要求13所述的摄像器件,其中,所述光电转换膜的面积大于所述第一遮光膜的所述开口的面积。15.根据权利要求2所述的摄像器件,其还包括:供电单元,其经由布置在所述上电...
【专利技术属性】
技术研发人员:山口哲司,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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