成像像素和具有成像像素阵列的图像传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及成像像素和具有成像像素阵列的图像传感器。所述成像像素包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管形成于所述衬底上；导电层，所述导电层覆盖所述成像像素，使得入射光穿透所述导电层到达所述光电二极管；以及偏置电压供电线路，所述偏置电压供电线路耦接到所述导电层并且向所述导电层提供偏置电压。本实用新型专利技术解决的一个技术问题是提高像素对可见光和近红外光二者的感测。本实用新型专利技术实现的一个技术效果是提供具有深光电二极管以确保充分捕获可见光和近红外光二者的像素。

【技术实现步骤摘要】
成像像素和具有成像像素阵列的图像传感器相关申请的交叉引用本申请要求由SergeyVelichko、VictorLenchenkov和IrfanRahim专利技术的、提交于2016年2月9日的名称为“PixelsforHighPerformanceImageSensor”(用于高性能图像传感器的像素)的美国临时申请No.62/292925的优先权，该申请以引用方式并入本文，并且据此要求该申请的共同主题的优先权。
本技术整体涉及成像系统，更具体地讲，涉及具有高性能像素的成像系统。
技术介绍
现代电子设备(诸如移动电话、相机和计算机)通常使用数字图像传感器。成像传感器(有时称为成像器)可由二维图像感测像素阵列形成。每个像素包括光敏层，所述光敏层接收入射光子(光)并将光子转变为电荷。有时，图像传感器被设计为使用联合图像专家组(JPEG)格式将图像提供给电子设备。在特定应用中，像素可用于感测可见光和近红外(NIR)光。然而，在被转化成电荷前，NIR光可行进到光敏层的深处。因此，在这些应用中理想的是，像素中的光生电荷吸收要尽可能的深。形成光敏层的常规方法包括将离子注入到半导体材料中。然而，存在离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成像像素，其特征在于包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管形成于所述衬底上；导电层，所述导电层覆盖所述成像像素，使得入射光穿透所述导电层到达所述光电二极管；以及偏置电压供电线路，所述偏置电压供电线路耦接到所述导电层并且向所述导电层提供偏置电压。

【技术特征摘要】
2016.02.09 US 62/292,925;2016.06.06 US 15/174,3961.一种成像像素，其特征在于包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管形成于所述衬底上；导电层，所述导电层覆盖所述成像像素，使得入射光穿透所述导电层到达所述光电二极管；以及偏置电压供电线路，所述偏置电压供电线路耦接到所述导电层并且向所述导电层提供偏置电压。2.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于所述导电层包括多晶硅。3.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于所述导电层包括选自由以下材料构成的组：铝、钨和氧化铟锡。4.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于所述导电层包括金属网。5.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于所述成像像素包括掺杂硅，并且其中所述掺杂硅被弯曲以形成用于所述成像像素的微镜头。6.根据权利要求5所述的成像像素，其特征在于还包括：至少一个反型层，所述反型层形成于所述掺杂硅上，并且插入在所述掺杂硅和所述导电层之间。7.根据权利要求6所述的成像像素，其特征在于所述至少一个反型层包括选自由以下项构成的组中的至少一个层：二氧化铪层和五氧化二钽层。8.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于所述成像像素为背照式成像像素，所述成像像素还包括：反射器，所述反射器形成于所述成像像素的前侧。9.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于所述导电层形成于所述成像像素的后侧，所述成像像素还包括：额外的导电层，所述额外的导电层形成于所述成像像素的前侧，其中所述额外的导电层耦接到所述偏置电压供电线路。10.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于所述导电层形成于所述成像像素的后侧，所述成像像素还包括：额外的导电层，所述额外的导电层形成于所述成像像素的前侧，其中所述额外的导电层耦接到额外的偏置电压供电线路，所述额外的偏置电压供电线路提供与所述偏置电压供电线路不同的偏置电...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·瑞姆，V·兰臣克夫，S·威利卡奥，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US