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本实用新型涉及成像像素和具有成像像素阵列的图像传感器。所述成像像素包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管形成于所述衬底上；导电层，所述导电层覆盖所述成像像素，使得入射光穿透所述导电层到达所述光电二极管；以及偏置电压供电线路，所述偏置电压供电...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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