堆栈电子结构制造技术

本发明专利技术公开了一种堆栈式电子结构。该堆栈式电子结构包括一磁性装置、电子装置和一基板。基板设置在磁性装置下方，一第一电子装置与一第二电子装置设置在磁性装置的下表面和基板的上表面之间，其中，该第一装置与该第二电子装置的一个端子分别在不使用所述基板的情况下电性连接至所述磁性装置，该第一装置与该第二电子装置的另一个端子分别电性连接至所述基板，其中所述磁性装置、所述第一电子装置、所述第二电子装置和所述基板可形成一容纳电子装置的空间。

【技术实现步骤摘要】
堆栈电子结构
本专利技术涉及一种堆栈电子结构，尤其涉及一种电源模块或直流-直流转换器的堆栈电子结构。
技术介绍
电子结构，例如电源模块和直流-直流转换器，通常包括具有电路的基板以及电性连接至该具有电路的基板的电子装置。这些电子装置耦合到用于连接至导电图案和/或其他电子元件的接脚。如图3所示的电子结构100，其为一种使用现有方法来缩小电子产品体积的堆栈结构，电子结构100包含堆栈在PCB基板110上方的磁性本体120，其间具有电子装置112。磁性本体120的外部导电接脚102和104连接到基板110，以支撑磁性本体120，采用这种设置方式时，基板不仅需要使用表面面积来容纳磁性本体120的外部导电接脚102和104，而且会增加磁性本体120的外部导电接脚102和104的整体阻抗。因此，需要一种更好的堆栈电子结构来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一堆栈电子结构，其中磁性装置可直接电性连接至多个电子装置而无需使用基板，该多个电子装置可设置于基板上以支撑该磁性装置，该多个电子装置也可设置于桥接结构中，该桥接结构设置于基板上以支撑该磁性装置。磁性装置可以更短的导电路径电性连接至电子装置，不仅可缩小堆栈的电子结构的体积，还可减少磁性装置与电子装置的导电路径的总阻抗。此外，使用桥接结构可以实现设计的灵活性。在一实施例中，公开了一种堆栈电子结构，其中堆栈电子结构包含：一磁性装置；一基板，其中基板设置在磁性装置下面，一第一电子装置，设置在所述磁性装置的一下表面和所述基板的一上表面之间，所述第一电子装置包含一第一端子和一第二端子，该第一端子在不使用基板的情况下电性连接至所述磁性装置，且第二端子电性连接至基板，以及一第二电子装置，设置于该磁性装置的一下表面与该基板的一下表面之间，其中该第二电子装置包含一第三端子与一第四端子，该第三端子在不使用基板的情况下电性连接该磁性装置，且第四端子电性连接至基板。在一实施例中，第一端子设置在第一电子装置的一第一表面上，且第二端子设置在第一电子装置与第一表面相对的一第二表面上。在一实施例中，第三端子设置在第二电子装置的一第三表面上，且第四端子设置在第二电子装置与第三表面相对的一第四表面上。在一实施例中，一第三电子装置设置在由磁性装置、第一电子装置、第二电子装置和基板形成的空间中，其中第三电子装置电性连接至基板。在一实施例中，磁性装置包含一电感器或扼流器。在一实施例中，第一电子装置包含一主动电子元件。在一实施例中，第一电子装置包含一被动电子元件。在一实施例中，第一电子装置的至少一部分被封装在设置在磁性装置的一第一侧边的一第一桥接结构中；第二电子装置的至少一部分被封装在设置在磁性装置的一第二侧边的一第二桥接结构中，第二侧边与第一侧边相对，其中第一桥接结构的至少一部分从磁性装置的下表面延伸到基板的上表面，并且所述第二桥接结构的至少一部分从所述磁性装置的所述下表面延伸到所述基板的所述上表面，以在所述基板上方支撑所述磁性装置。在一实施例中，磁性装置包含一磁性本体，磁性本体具有一第一突起部和一第二突起部，第一突起部和第二突起部从磁性装置的下表面延伸到上表面，分别形成第一桥接结构和第二桥接结构。在一实施例中，第一电子装置被封装设置在磁性装置的一第一侧边下方的一第一桥接结构中，第二电子装置被封装于设置在磁性装置的一第二侧边下方的一第二桥接结构中，第一侧边与第二侧边相对。在一实施例中，第一电子装置与磁性装置的下表面接触，以支撑磁性装置于基板上。在一实施例中，第一电子装置和第二电子装置分别与磁性装置的下表面接触，以支撑磁性装置于基板上。在一实施例中，磁性装置的下表面上具有一嵌入电极，其中第一电子装置的第一表面上的第一端子焊接到磁性装置的嵌入电极，所述第一电子装置的的第二端子焊接到所述基板的上表面。在一实施例中，第一电子装置为一第一MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)，第二电子装置为一第二MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)，且磁性装置为一扼流器，其中扼流器的一第一端子电性连接至第一MOSFET和第二MOSFET。附图说明图1为现有的一电子结构的示意剖面侧视图。图2为本专利技术一实施例的一堆栈电子结构的示意图。图3A为本专利技术另一实施例的一堆栈电子结构的局部示意剖面侧视图。图3B为本专利技术又一实施例的一堆栈电子结构的局部示意剖面侧视图。图4A为本专利技术另一实施例的一堆栈电子模块的局部示意剖面侧视图。图4B为本专利技术又一实施例的一堆栈电子模块的局部示意剖面侧视图。图5A为本专利技术另一实施例的一堆栈电子模块的局部示意剖面侧视图。图5B为本专利技术又一实施例的一堆栈电子模块的局部示意剖面侧视图。图5C为图5B中的堆栈电子模块的一实施例的示意图。附图标记说明：100-电子结构；102-引脚；104-引脚；110-PCB基板；112-电子装置；120-磁性本体；200-电子结构；202-第一桥接结构；204-第二桥接结构；210-基板；212-第一装置；214-第二装置；216-第三装置；218-电子装置；220-磁性本体；232-金属线；234-金属线；300A堆栈电子结构；300B堆栈电子结构；302-第一桥接结构；304-第二桥接结构；310-基板；312-电路；314-第一电子装置；316-第二电子装置；318-第三电子装置；320-磁性装置；322-第一电极；324-第二电极；326-本体；330-封装材料；332-金属线；334-金属线；380-第一端子；381-第二端子；382-第三端子；383-第四端子；400A-堆栈电子模块；400B-堆栈电子模块；402-第一端子；406-第二端子；404-第三端子；408-第四端子；410-基板；412-电路；420-磁性装置；422-嵌入电极；424-第一嵌入电极；426-第二嵌入电极；442-第一支撑装置；444-第二支撑装置；500A-堆栈电子模块；500B-堆栈电子模块；502-第一端子；504-第三端子；506-第二端子；508-第四端子；510-基板；512-电路；520-磁性装置；522-嵌入电极；546-第一电子装置；548-第二电子装置。具体实施方式应当理解，以下揭露提供了用于实现本专利技术不同特征的许多不同的实施例或示例。下述装置和布置的具体示例，用以简化本专利技术。当然，这些仅是示例，并非用来限定本专利技术。例如，在下面的描述中，第一特征在第二特征之上或其上的形成，可包括第一特征和第二特征以直接接触形成的实施例，并且还可以包括在第一特征和第二特征之间形成附加特征的实施例，使得第一特征和第二特征不直接接触。另外，本专利技术可以在各种示例中重复参考数字和/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的，且本身不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。本专利技术在一实施例中提供了一种堆栈电子结构。该堆栈电子结构包括一磁性装置、第一电子装置、第二电子装置设置以及一基板，该基板设置在该磁性装置下方，该第一电子装置和该第二电子装置设置在该磁性装置的一下表面和基板的一上表面之间，其中，第一电子装置和第二电子装置的第一端子和第三端子分别在不使用所述基板的情况下电性连接至该磁性装置，第一电子装置和第二电子装置的第二端子和第四端子分别电性连接至该基板。图2为本专利技术的实施例的一堆栈电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种堆栈电子结构，其特征在于，包含：一磁性装置；一基板，所述基板设置在所述磁性装置下方；一第一电子装置，设置在所述磁性装置与所述基板之间，其中，所述第一电子装置包含一第一端子以及一第二端子，该第一端子在不使用所述基板的情况下电性连接至所述磁性装置，该第二端子电性连接至所述基板；以及一第二电子装置，设置于所述磁性装置与所述基板之间，其中，所述第二电子装置包含一第三端子与一第四端子，该第三端子在不使用所述基板的情况下电性连接所述磁性装置，所述第四端子电性连接至所述基板。

【技术特征摘要】
2016.01.29 US 62/288,4591.一种堆栈电子结构，其特征在于，包含：一磁性装置；一基板，所述基板设置在所述磁性装置下方；一第一电子装置，设置在所述磁性装置与所述基板之间，其中，所述第一电子装置包含一第一端子以及一第二端子，该第一端子在不使用所述基板的情况下电性连接至所述磁性装置，该第二端子电性连接至所述基板；以及一第二电子装置，设置于所述磁性装置与所述基板之间，其中，所述第二电子装置包含一第三端子与一第四端子，该第三端子在不使用所述基板的情况下电性连接所述磁性装置，所述第四端子电性连接至所述基板。2.根据权利要求1所述的堆栈电子结构，其特征在于，该第一端子设置于该第一电子装置的一第一表面上，该第二端子设置于该第一电子装置与该第一表面相对的一第二表面上。3.根据权利要求2所述的堆栈电子结构，其特征在于，所述第三端子设置在所述第二电子装置的一第三表面上，所述第四端子设置在所述第二电子装置与所述第三表面相对的一第四表面上。4.根据权利要求1所述的堆栈电子结构，其特征在于，还包含一第三电子装置，该第三电子装置设置在由所述磁性装置、所述第一电子装置、所述第二电子装置和所述基板形成的一空间中，其中所述第三电子装置电性连接至所述基板。5.根据权利要求1所述的堆栈电子结构，其特征在于，所述磁性装置为一电感器。6.根据权利要求1所述的堆栈电子结构，其特征在于，所述第一电子装置包含一主动电子元件。7.根据权利要求1所述的堆栈电子结构，其特征在于，所述第一电子装置包含一被动电子元件。8.根据权利要求1所述的堆栈电子结构，其特征在于，所述基板为以下之一：印刷电流板、树脂基板、金属基板以及陶瓷基板。9.根据权利要求1所述的堆栈电子结构，其特征在于，所述第一电子装置的至少一部分被封装在位于所述磁性装置与所述基板间的一第一桥接结构中，所述第二电子装置的至少一部分被封装在位于所述磁性装置与所述基板间的一第二桥接结构中，所述第一桥接结构的至少一部分从所述磁性装置的所述下表面延伸到所述基板的上表面，所述第二桥接结构的至少一部分从所述磁性装置的下表面延伸到所述基板的上表面。10.根据权利要求9所述的堆栈电子结构，其特征在于，还包含一第三电子装置，该第三电子置装设置在由所述磁性装置、所述第一电子装置、所述第二电子装置和所述基板形成的一空间中，该第三电子装置电性连接至所述基板。11.根据权利要求9所述的堆栈电子结构，其特征在于，所述磁性装置包含一磁性本体，所述磁性本体具有一第一突起部...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄启峰，吕保儒，陈大容，
申请(专利权)人：乾坤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71