【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件
实施方式涉及半导体存储器件，更具体地涉及包括磁隧道结图案的半导体存储器件。
技术介绍
作为已经广泛使用的便携式计算装置和无线通信装置，已经需要高密集、低功率和非易失性的存储器装置。磁存储器件可以满足这些要求，因此进行对于磁存储器件的各种研究。具体地，磁隧道结图案中显示的隧道磁阻(TMR)效应可以用作磁存储器件的数据存储机制。在21世纪前十年已经报导了具有数百％至数千％的TMR的磁隧道结图案。因此，已经开发了包括磁隧道结图案的磁存储器件。
技术实现思路
实施方式提供能够改善电特性的半导体存储器件。根据一些示例实施方式，半导体存储器件可以包括：在基板上的自由磁图案；参考磁图案，设置在自由磁图案上并且包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案。第一被钉扎图案可以包括交替地层叠的第一铁磁图案和第一非磁性图案。第二被钉扎图案可以包括交替地层叠的第二铁磁图案和第二非磁性图案。...
【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：在基板上的自由磁图案；在所述自由磁图案上的参考磁图案，所述参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在所述第一被钉扎图案和所述第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在所述参考磁图案和所述自由磁图案之间的隧道势垒图案；在所述隧道势垒图案和所述第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在所述极化增强磁图案和所述第一被钉扎图案之间的插入图案，其中所述第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和第一非磁性图案，其中所述第二被钉扎图案包括交替地层叠的第二铁磁图案和第二非磁性图案，其中所述第二铁磁图案包括与所述第一铁磁图案相同的铁磁材料，并且其中所述第二非磁性图...
【技术特征摘要】
2015.10.16 KR 10-2015-0144891;2015.11.19 KR 10-2011.一种半导体存储器件，包括：在基板上的自由磁图案；在所述自由磁图案上的参考磁图案，所述参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在所述第一被钉扎图案和所述第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在所述参考磁图案和所述自由磁图案之间的隧道势垒图案；在所述隧道势垒图案和所述第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在所述极化增强磁图案和所述第一被钉扎图案之间的插入图案，其中所述第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和第一非磁性图案，其中所述第二被钉扎图案包括交替地层叠的第二铁磁图案和第二非磁性图案，其中所述第二铁磁图案包括与所述第一铁磁图案相同的铁磁材料，并且其中所述第二非磁性图案包括与所述第一非磁性图案不同的非磁性材料。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述第一被钉扎图案中层叠的所述第一铁磁图案的数目小于在所述第二被钉扎图案中层叠的所述第二铁磁图案的数目。3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中：所述第一被钉扎图案包括奇数个所述第一铁磁图案和偶数个所述第一非磁性图案，并且所述第一铁磁图案的一个偶数的第一铁磁图案的厚度大于所述第一铁磁图案的奇数的第一铁磁图案的厚度。4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中：所述第一被钉扎图案包括奇数个所述第一铁磁图案和偶数个所述第一非磁性图案，并且所述第一铁磁图案的奇数的第一铁磁图案的厚度等于所述第一铁磁图案的偶数的第一铁磁图案的厚度。5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二被钉扎图案的所述第二铁磁图案的厚度彼此相等。6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述自由磁图案和所述极化增强磁图案与所述隧道势垒图案接触。7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一被钉扎图案具有与所述极化增强磁图案不同的晶体结构。8.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述极化增强磁图案具有与所述自由磁图案相同的晶体结构。9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述极化增强磁图案包括磁性材料，该磁性材料具有比所述第一被钉扎图案的磁矩大小大的大小的磁矩。10.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中每个所述第一非磁性图案包括耦合彼此相邻的第一铁磁图案使得所述相邻的第一铁磁图案的磁矩彼此反平行的非磁性材料。11.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述插入图案包括与所述极化增强磁图案和所述第一被钉扎图案的所述第一铁磁图案中的一个接触的非磁性材料以耦合所述极化增强磁图案和所述一个第一铁磁图案，使得所述极化增强磁图案的磁矩平行于所述一个第...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴相奂，金晥均，金起园，张荣万，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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