半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在第一半导体层上；中间半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上，并且具有n型的导电型；第二绝缘体层，其设置在上述中间半导体层上；第二半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上；传感器，其形成于上述第一半导体层的上述第二区域；接触电极，其与上述中间半导体层连接；以及电路元件，其形成于上述第二半导体层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
已知有在同一半导体基板经由绝缘膜层叠形成了传感器的半导体层和形成了周边电路的半导体层的半导体装置。例如，专利文献1记载了一种半导体装置，具备：光电二极管，其具备n型的第二半导体层、和设于第二半导体层的一主面的p型的半导体区域；第一半导体层，其设置在第二半导体层15上，并形成有晶体管；p型的第三半导体层，其设置在第一半导体层与第二半导体层之间，并被给予接地电位；第一绝缘层，其设置在第一半导体层与第三半导体层之间；以及第二绝缘层，其设置在第二半导体层与第三半导体层之间。专利文献1记载了通过将p型的第三半导体层固定为接地电位，即使在为了使第二半导体层耗尽化而对第二半导体层施加高电压的情况下，施加给第二半导体层的高电压也不传递到第一半导体层。专利文献1：日本特开2014－135454号公报在专利文献1所述的半导体装置中，若在利用蚀刻、CVD等使用了等离子体的制造工序中第三半导体层裸露于等离子体，则充电的静电荷滞留在第三半导体层与第一绝缘层的界面附近以及第三半导体层与第二绝缘层的界面附近。由此，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在上述第一半导体层上；中间半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上，并且具有n型的导电型；第二绝缘体层，其设置在上述中间半导体层上；第二半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上；传感器，其形成于上述第一半导体层的上述第二区域；接触电极，其与上述中间半导体层连接；以及电路元件，其形成于上述第二半导体层。

【技术特征摘要】
2015.09.24 JP 2015-1870141.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在上述第一半导体层上；中间半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上，并且具有n型的导电型；第二绝缘体层，其设置在上述中间半导体层上；第二半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上；传感器，其形成于上述第一半导体层的上述第二区域；接触电极，其与上述中间半导体层连接；以及电路元件，其形成于上述第二半导体层。2.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在上述第一半导体层上；中间半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上，并且具有p型的导电型；第二绝缘体层，其设置在上述中间半导体层上；第二半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上；传感器，其形成于上述第一半导体层的上述第二区域；接触电极，其与上述中间半导体层连接；以及电路元件，其形成于上述第二半导体层，上述中间半导体层以第一反转层和第二反转层不连接的厚度形成，由于滞留在上述中间半导体层与上述第一绝缘体层的界面附近的正电荷而在上述中间半导体层的上述第一绝缘体层侧形成上述第一反转层，由于滞留在上述中间半导体层与上述第二绝缘体层的界面附近的正电荷而在上述中间半导体层的上述第二绝缘体层侧形成上述第二反转层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述中间半导体层的厚度为150nm以上。4.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在上述第一半导体层上；中...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛西大树，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP