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本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在第一半导体层上；中间半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上，...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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