用于多重样式化的方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于多重样式化的方法，包含以下操作。冲突图中的多个顶点被分类到第一团集和第二团集中，其中冲突图对应于电路的布局。多个顶点的第一顶点与多个顶点的第二顶点合并，以产生简化图，其中第一团集不包括第二顶点，并且第二团集不包括第一顶点。在根据简化图的布局中，多个色彩图案的第一色彩图案被分配到对应于第一顶点的第一图案，并且被分配到对应于第二顶点的第二图案。

Method for multiple styles

The embodiment of the invention discloses a method for multiple styles, comprising the following operations. A number of vertices in a conflict graph are classified into the first set and the second cluster, where the conflict graph corresponds to the layout of the circuit. The first vertex of a plurality of vertices is combined with the second vertices of a plurality of vertices to produce a simplified graph, wherein the first set does not include second vertices, and the second set does not include the first vertex. In the layout according to the simplified drawing, the first color patterns of the plurality of color patterns are assigned to the first pattern corresponding to the first vertex, and are assigned to a second pattern corresponding to the second vertex.

【技术实现步骤摘要】
用于多重样式化的方法
本专利技术实施例涉及依次使用两个或多于两个的不同掩模在衬底的单层上形成图案的用于多重样式化的方法。
技术介绍
多重曝光或多重样式化技术(multi-patterningtechnology，MPT)涉及依次使用两个或多于两个的不同掩模在衬底的单层上形成图案。如果仅两个掩模用于对层进行样式化，那么该技术被称作双重曝光。双重曝光的一种形式被称作双重样式化技术(doublepatterningtechnology，DPT)。在DPT中，依次使用第一掩模和第二掩模以样式化同一层。只要每个掩模内的图案符合针对技术节点的相关最小间隔距离，则使用两种掩模形成的图案的组合可能包含与最小间隔距离相比更小的间隔。MPT允许线段，并且在一些情况下，在同一掩模上由垂直区段和水平区段形成更加复杂的形状。因此，在总体IC布局中，MPT提供灵活性并且通常便於显着简化。
技术实现思路
本专利技术实施例提出一种用于多重样式化的方法。该方法包含以下操作。将冲突图中的多个顶点分类到第一团集以及第二团集中，其中冲突图对应于电路的布局。合并多个顶点的第一顶点与多个顶点的第二顶点，以产生简化图，其中第一团集不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多重样式化的方法，其包括：将冲突图中的多个顶点分类到第一团集以及第二团集中，其中所述冲突图对应于电路的布局；合并所述多个顶点的第一顶点与所述多个顶点的第二顶点，以产生简化图，其中所述第一团集不包括所述第二顶点，并且所述第二团集不包括所述第一顶点；以及在所述布局中，根据所述简化图将多个色彩图案的第一色彩图案分配到对应于所述第一顶点的第一图案，并且分配到对应于所述第二顶点的第二图案。

【技术特征摘要】
2015.12.11 US 14/967,0611.一种用于多重样式化的方法，其包括：将冲突图中的多个顶点分类到第一团集以及第二团集中，其中所述冲突图对应于电路的布局；合并所述多个顶点的第一顶点与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林彦宏，刘钦洲，王中兴，胡琦伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71