参数提取的方法及其系统技术方案

本发明专利技术的实施例涉及由至少一个处理器实施的方法，包括如下步骤：生成包括晶体管的芯片的布局数据；基于布局数据中的晶体管的位置确定用于晶体管的热相关参数；生成包括热相关参数的网表数据；基于网表数据实施布局后模拟；以及验证布局后模拟是否满足设计规格。本发明专利技术的实施例还涉及参数提取的方法及其系统。

Method and system for extracting parameters

The embodiment of the invention relates to a method for at least one processor implementation, which comprises the following steps: the layout of data generation including transistor chip; thermal parameters to determine the position of the transistor layout data for transistor based on network data tables including heat generation; parameter; simulation netlist implementation based on data layout; and verify the post layout simulation meets the design specifications. The embodiment of the invention also relates to a method for extracting parameters and a system thereof.

【技术实现步骤摘要】
参数提取的方法及其系统
本专利技术的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及参数提取的方法及其系统。
技术介绍
在用于制造半导体集成电路(IC)的设计流程中，可以结合各种方法和电子设计自动化工具以建立期望的模拟环境。使用多个内置器件模型和设计规则以验证设计的性能，诸如功能、功率、操作时间和管芯尺寸。此外，需要准备具有不同组参数的不同模型用于解决不同的应用。在模型参数中，利用热相关参数以模拟热源对于器件功能和性能的影响。然后，通过考虑热效应确定并在设计IC上反映合理的设计裕度。因此，在器件中最小化由于器件加热导致的功能误差和性能退化。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体设计方法，由至少一个处理器实施，包括：生成包括晶体管的芯片的布局数据；基于所述布局数据中的晶体管的位置信息确定用于所述晶体管的热相关参数；生成包括所述热相关参数的网表数据；基于所述网表数据实施布局后模拟；以及验证所述布局后模拟是否满足设计规格。本专利技术的实施例还提供了一种半导体设计方法，由至少一个处理器实施，包括：生成包括晶体管的芯片的布局数据；将具有与所述晶体管中的一个对应的标志区域的标志层结合至所述布局数据中；基于所述布局数据，确定对于所述晶体管中的每一个的热相关器件数量；生成包括所述热相关参数的网表数据；基于所述网表数据实施布局后模拟；以及验证所述布局后模拟是否满足设计规格。本专利技术的实施例还提供了一种半导体设计系统，包括一个或多个处理器和包括指令的一个或多个程序，当由所述一个或多个处理器执行所述指令时，使得所述系统：生成包括晶体管的芯片的布局数据；基于所述布局数据，确定用于所述晶体管的热相关参数；生成包括所述热相关参数的网表数据；基于所述网表数据实施布局后模拟；以及验证所述布局后模拟是否满足设计规格。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。图1是根据一些实施例的示出了设计流程的示意图。图2A和图2B是根据一些实施例的半导体器件的示意图。图3是根据一些实施例的布局的示意图。图4是根据一些实施例的布局的示意图。图5是根据一些实施例的模拟工艺的流程图。图6是根据一些实施例的模拟工艺的流程图。图7是根据一些实施例的硬件系统的框图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触而形成的实施例，并且也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上面”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。图1是根据一些实施例的示出了设计流程100的示意图。用于设计半导体芯片的设计流程100利用一个或多个电子设计自动化(EDA)工具以在其中执行操作。通常使用工作站或个人电脑执行该工具以完成该流程。设计流程100包括系统设计阶段110、逻辑设计阶段120、合成阶段130、预布局模拟阶段140、布局开发阶段150、参数提取阶段160和布局后模拟阶段170。最初，在系统设计阶段110中，为用于感兴趣的芯片的系统架构提供高水平的描述。在该阶段中，根据设计规格确定芯片的每个功能以及性能要求。通常由相应的示意性功能模块或功能块代表那些功能。此外，可以寻求优化或性能折衷以便获得具有经济实惠的成本和功率的设计规格。在设计阶段120中，使用硬件描述语言在寄存器传输级(RTL)中描述功能模块和功能块。通常可以从商业软件，例如，Verilog或VHDL获得语言工具。在逻辑设计阶段120中实施初步的功能检查以验证实施的功能是否符合在系统设计阶段110中设定的规格。随后，在合成阶段130中，将在RTL描述中的模块转化成网表数据，在网表数据中建立每个功能模块中的电路结构，例如，逻辑门和寄存器。在一些实施例中，进行这种逻辑门和寄存器至标准单元库中的可利用的单元的技术映射。此外，提供网表数据以描述在门级中的芯片器件的功能关系。在实施例中，将网表数据由门级视图转变成晶体管级视图。然后，在预布局模拟阶段140中验证门级网表数据。在阶段140的验证工艺期间，如果一些功能在模拟中验证失败，则设计流程100可以被暂时暂停并且回到阶段110或120以进一步更正或更改。在预布局模拟阶段140之后，IC芯片设计通过初步验证并且完成前端设计工艺。因此，将进行后端物理设计工艺。在布局开发阶段150中，实施在前端工艺期间确定的代表电路的物理架构。布局开发涉及一系列的放置操作和布线操作，允许在放置操作中确定每个组件和器件的具体结构和相关几何图形，并且在放置操作之后对不同组件之间的互连进行布线。此外，放置操作涉及决定有限大的空间中的每个IC芯片组件和电路的放置位置，并且布线操作决定连接线的实际引线。实施放置和布线两个操作以满足诸如来自芯片制造工厂的设计规则检查(DRC)卡片组(deck)，从而满足芯片的制造标准。在设计开发阶段150之后，创建放置和布线布局数据并且相应地生成具有放置和布线数据的网表。在参数提取阶段160中，进行布局参数提取(LPE)操作以导出来自于开发的布局中的依赖布局的参数，诸如寄生电阻和电容。在一些实施例中，在布局参数提取操作之前，实施布局-原理图(LVS)验证以就放置和布线网表而言检查芯片的功能性能。因此，然后生成布局后网表数据，其包括依赖布局的参数。在布局后模拟阶段170中，通过考虑先前阶段中获得的参数来实施物理验证。在阶段170中，进行晶体管级行为的模拟以便核查芯片是否在要求的系统规格内执行期望的功能。此外，实施布局后模拟以保证在芯片制造工艺中不出现电问题和光刻问题。在布局后模拟阶段170之后，在阶段180中确定布局后网表是否满足设计规格。如果肯定，则在阶段190中接受电路设计，并且然后相应地签署。然而，如果布局后模拟的结果不利，则设计流程100将回到先前的阶段以进行功能和性能调整。例如，设计流程100可以回到布局开发阶段150，在该阶段中重新开发布局以修正来自布局级的问题。可选地，设计流程100可以退至更早的阶段；或者系统设计阶段100或逻辑设计阶段120以便在不能在后端阶段中解决问题的情况下重新进行芯片设计。图1中示出的设计流程100是示例性的。阶段或操作的其他顺序、阶段的分割、或在示出的阶段之前、之间或之后的附加的阶段仍然落在本专利技术的考虑的范围内。再次参考图1的参数提取阶段160，基于布局数据而提取的依赖布局的参数确定模拟芯片操作中的SPICE(集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设计方法，由至少一个处理器实施，包括：生成包括晶体管的芯片的布局数据；基于所述布局数据中的晶体管的位置信息确定用于所述晶体管的热相关参数；生成包括所述热相关参数的网表数据；基于所述网表数据实施布局后模拟；以及验证所述布局后模拟是否满足设计规格。

【技术特征摘要】
2015.09.24 US 14/863,9001.一种半导体设计方法，由至少一个处理器实施，包括：生成包括晶体管的芯片的布局数据；基于所述布局数据中的晶体管的位置信息确定用于所述晶体管的热相关参数；生成包括所述热相关参数的网表数据；基于所述网表数据实施布局后模拟；以及验证所述布局后模拟是否满足设计规格。2.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述布局后模拟的步骤包括：基于所述晶体管的即时功率等级和热相关参数实施所述布局后模拟。3.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述热相关参数的步骤包括：基于所述晶体管的功率等级、所述晶体管的位置或所述晶体管是否共用共同的氧化物扩散(OD)区域来确定所述热相关参数。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布局数据包括所述晶体管共用的氧化物扩散(OD)区域，并且所述热相关参数包括基于所述氧化物扩散区域的分组识别符和对应于各个晶体管的系列数字。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热相关参数包括坐标。6.根据权利要求5所述的方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林威仰，刘凯明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71