The present invention relates to an organic light emitting diode evaporation film compensation method, relates to vacuum evaporation technology, solves the operability is poor, the need for multiple parameter changes and the technical problems of low production efficiency of the production process exists in the prior art. The method of the invention is the life cycle in different crystal deposition, without the use of the Z value, and after adjustment of the corresponding value in the next life cycle of evaporation, can make the need to change the parameters in the production process is greatly reduced, and the change trend between the actual film thickness and transistor frequency tends to be linear, the quality of the products is more reliable and can improve the rate of qualified products and production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法
本专利技术涉及真空蒸镀
,特别地涉及一种有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法。
技术介绍
真空蒸镀有机材料进程,需要对各膜层厚度进行精确管控,才能确保蒸镀出来的器件能够合格。薄薄的一石英圆片,一面全镀,一面镀成钥匙孔形,放在探头夹具内并形成完整的通路,与振荡器相连,通过晶振片上固有频率的变化来监控膜厚。晶振片是根据晶振片固有频率的变化来换算出晶振片上蒸镀有机材料的厚度,当蒸镀膜厚质量远小于晶振片时,晶振片固有频率变化不大,晶振片固有频率变化可以很精确的反应膜厚的变化。但是制程中蒸镀厚膜,晶振片固有频率的变化会受到厚膜的影响,测量精度会越来越低,此时就需要对膜厚进行补偿。目前最简单的膜厚补偿是单一的使用修正值(Tooling)来进行膜厚补偿,即使测量膜厚满足下列定义式:目标膜厚=测量膜厚/修正值,例如蒸镀的目标膜厚为实际测量的膜厚只有那么修正值设为80%,才能使蒸镀的膜厚为但是随着检测膜厚的晶振片固有频率降低,目标膜厚真实检测出的膜厚会越来越薄(因为晶振片检测精度越来越低),即测量膜厚的数值将逐渐变小,因此需要通过测量膜厚的厚度差异(即目标膜厚与测量膜厚之差)并手动增加膜厚,给产品的生产带来很大的困难,同时产品生产效率及良率也会很大影响。针对随着检测膜厚的晶振片频率而导致的真实膜厚变薄问题,采用通过不断更改修正值的方法来补偿膜厚;目标膜厚=测量的膜厚1/修正值1;目标膜厚=测量的膜厚2/修正值2;目标膜厚=测量的膜厚3/修正值3;……在晶振片频率衰减的10个寿命周期(lifetime)里测试膜厚衰减差异修正值,也就是需要使用1 ...
【技术保护点】
一种有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法的方法,其特征在于,包括以下步骤:S10:将Z值设定为Z0,Z0为大于1且小于99的整数;将修正值T设定为与Z0对应的初始修正值T0;设定目标膜厚D后从晶振片的初始寿命周期开始进行蒸镀;S20:获得步骤S10中的实际膜厚d0,所述实际膜厚d0与目标膜厚D相同;S30:进行晶振片的第n个寿命周期蒸镀,获得相应的实际膜厚dn,若实际膜厚dn与目标膜厚D满足下列定义式:
【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法的方法,其特征在于,包括以下步骤:S10:将Z值设定为Z0,Z0为大于1且小于99的整数;将修正值T设定为与Z0对应的初始修正值T0;设定目标膜厚D后从晶振片的初始寿命周期开始进行蒸镀;S20:获得步骤S10中的实际膜厚d0,所述实际膜厚d0与目标膜厚D相同;S30:进行晶振片的第n个寿命周期蒸镀,获得相应的实际膜厚dn,若实际膜厚dn与目标膜厚D满足下列定义式:其中,n为大于等于1的整数;D为目标膜厚;dn为晶振片的第n个寿命周期的实际膜厚;Q为1.5%;则将Z值更改为Zn,Zn为大于1且小于99的整数,且Zn不等于Z0;其中,Zn为晶振片的第n个寿命周期的Z值;Z0为晶振片的初始寿命周期的Z值;并将修正值T更改为与Zn对应的初始修正值Tn0;S40:进行晶振片的第n+1个寿命周期蒸镀,直至最后一个寿命周期结束为止。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法的方法,其特征在于,步骤S30中,若Z0小于或等于5,则Zn满足下列定义式:Zn>Z0。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法的方法,其特征在于,步骤S30中,若Z0大于5,则Zn满足下列定义式:Zn<Z0。4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:裴龙,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。