一种晶振探头用控制系统技术方案

本发明专利技术公开了一种晶振探头用控制系统，主要由逻辑控制器，均与逻辑控制器相连接的触摸屏、电源、晶控测厚仪和电机调速器，以及与晶控测厚仪相连接的信号处理单元组成。本发明专利技术设置的晶控测厚仪能对晶振探头的晶振片的振荡频率进行采集，并且晶控测厚仪与逻辑控制系统相结合，能有效的对晶振探头的晶振片的转换进行控制，使晶振探头的对靶材的蒸发量进行检测的晶振片的振荡频率保持在一个稳定的范围值内，从而确保了本发明专利技术所控制的晶振探头的晶振片振荡频率更准确，有效的提高了对基片镀膜厚度检测的准确性。

Control system for crystal oscillator probe

The invention discloses a crystal probe control system, mainly by the logic controller are connected with the logic controller touch screen, power supply, crystal controlled thickness and motor speed, and the control signal processing unit and crystal thickness gauge connected. The present invention is the crystal oscillator frequency thickness gauge can jjk on the probe was collected and controlled thickness gauge and logic control system combined, can effectively control the crystal on the probe of the crystal oscillation frequency conversion, the detection of the target evaporation crystal probe the remained in a stable range, thus ensuring the crystal oscillation frequency of crystal oscillator control probe of the invention is more accurate and effective to improve the accuracy of detection of substrate coating thickness.

【技术实现步骤摘要】
一种晶振探头用控制系统
本专利技术涉及一种控制系统，具体是指一种晶振探头用控制系统。
技术介绍
蒸发镀膜机在对基片镀膜时，为了能确保基片镀膜厚度的准确性，人们多采用晶振探头来对靶材的蒸发量进行检测，通过对靶材的蒸发量的控制来实现对基片镀膜后度的控制，从而使基片镀膜厚度更准确。然而，现有的晶振探头用控制系统不能对晶振探头的晶振片的转换和振荡频率进行控制，导致晶振探头无法准确的对靶材的蒸发量进行检测，致使基片的镀膜厚度不稳定，从而严重的影响了基片的镀膜质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的晶振探头用控制系统不能对晶振探头的晶振片的转换和振荡频率进行控制的缺陷，提供一种晶振探头用控制系统。本专利技术的目的通过下述技术方案现实：一种晶振探头用控制系统，主要由逻辑控制器，均与逻辑控制器相连接的触摸屏、电源、晶控测厚仪和电机调速器，以及与晶控测厚仪相连接的信号处理单元组成；所述电源还分别与触摸屏和电机调速器以及晶控测厚仪相连接。所述信号处理单元包括信号放大电路，输入端与信号放大电路相连接的高通滤波电路，以及输入端与高通滤波电路的输出端相连接、输出端与晶控测厚仪相连接的信号转换电路。所述信号放大电路由放大器P1，正极作为信号放大电路的输入端、负极与放大器P1的正极相连接的极性电容C1，正极经电阻R1后与放大器P1的正极相连接、负极接地的极性电容C2，一端与放大器P1的负极相连接、另一端与极性电容C2的正极相连接的电阻R2，一端与放大器P1的正极相连接、另一端与放大器P1的输出端相连接的电阻R3，一端与放大器P1的正电极相连接、另一端与极性电容C2的正极相连接的电阻R4，以及一端与极性电容C2的正极相连接、另一端与极性电容C2的负极相连接的电阻R5组成；所述放大器P1的负电极接地、其输出端作为信号放大电路的输出端并与高通滤波电路相连接。进一步的，所述高通滤波电路由放大器P2，正极与放大器P1的输出端相连接、负极顺次经电阻R6和电阻R7后与放大器P2的正极相连接的极性电容C3，正极与电阻R6与电阻R7的连接点相连接、负极接地的极性电容C4，一端与放大器P2的正极相连接、另一端与放大器P2的输出端相连接的电阻R10，负极与放大器P2的输出端相连接、正极经电阻R9后与放大器P2的负极相连接的极性电容C5，以及一端与放大器P2的负极相连接、另一端接地的电阻R8组成；所述放大器P2的输出端作为高通滤波电路的输出端并与信号转换电路相连接。所述信号转换电路由转换芯片U，一端与放大器P2的输出端相连接、另一端与转换芯片U的INP管脚相连接的电阻R11，N极经电阻R12后与转换芯片U的VPSH管脚相连接、P极经电阻R13后与转换芯片U的PEST管脚相连接的二极管D，以及正极与转换芯片U的V-管脚相连接、负极接地的极性电容C6组成；所述转换芯片U的V+管脚与外部12V电源相连接，该转换芯片U的GND管脚与极性电容C6的负极相连接，所述转换芯片U的PSET管脚作为信号转换电路的输出端并与晶控测厚仪相连接。为了确保本专利技术的实际使用效果，所述转换芯片U为AD8302集成芯片。所述晶控测厚仪为XTC3晶控测厚仪。本专利技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术设置的晶控测厚仪能对晶振探头的晶振片的振荡频率进行采集，并且晶控测厚仪与逻辑控制系统相结合，能有效的对晶振探头的晶振片的转换和振荡频率进行控制，使晶振探头的对靶材的蒸发量进行检测的晶振片的振荡频率保持在一个稳定的范围值内，从而确保了本专利技术所控制的晶振探头的晶振片振荡频率更稳定，有效的提高了晶振探头对靶材的蒸发量检测的准确性，从而严重的影响了基片的镀膜质量。(2)本专利技术在晶控测厚仪的输入端设置了信号处理单元，该信号处理单元包括信号放大电路和高通滤波电路以及信号转换电路，其中，信号处理单元能对晶振探头所传输的信号中的微弱信号进行放大，使后部电路对信号处理更稳定；高通滤波电路能有效的对放大后的信号中的低频信号进行消除或抑制，使信号更准确；而信号转换电路能对经信号放大电路和高通滤波电路处理后的电信号转换为数据信号，从而使信号处理单元实现了对信号的处理的准确性，使晶控测厚仪能接收到准确的数据信号。(3)本专利技术的转换芯片U为AD8302集成芯片，该转换芯片U主要由精密匹配的两个宽带对数检波器、一个相位检波器、输出放大器组、一个偏置单元和一个输出参考电压缓冲器等部分组成，能同时对2.7GHz频率范围内的输入信号的幅度比和相位差进行处理，从而提高了本专利技术对晶振探头的晶振片的振荡频率控制的准确性。(4)本专利技术的晶控测厚仪为XTC3晶控测厚仪，该XTC3晶控测厚仪可对输入的数据信号进行精确的处理，能得到准确的振荡频率值，从而确保了本专利技术能对晶振探头的晶振片的振荡频率控制的稳定性。附图说明图1为本专利技术的结构框图。图2为本专利技术的信号处理单元的电路结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1、2所示，本专利技术公开了一种晶振探头用控制系统，主要由逻辑控制器，均与逻辑控制器相连接的触摸屏、电源、晶控测厚仪和电机调速器，以及与晶控测厚仪相连接的信号处理单元组成。所述电源还分别与触摸屏和电机调速器相连接。其中，所述的信号处理单元如图2所示，其由信号放大电路，高通滤波电路，以及信号转换电路组成。而本专利技术所说的晶振探头则如图1所示，其由晶振片和驱动电机以及编码器等组成，该晶振探头的具体结构为现有的，因此本专利技术并未对晶振探头的结构进行详细的说明。所述的电源为12V直流电源该电源为整个控制系统供电。实施时，所述的触摸屏作为本专利技术对晶振片的位数的录入部件，该触摸屏用于人们输入所需的晶振探头的晶振片的位数，触摸屏将录入的晶振探头的晶振片的位数传输给逻辑控制器。该逻辑控制器内预先输入了每个晶振片的转动角度值，逻辑控制器在接收到触摸屏所输入的晶振片的位数时，逻辑控制器则输出控制电流给电机调速器，该电机调速器在得到控制电流时便输出驱动电流给晶振探头的驱动电机，驱动电机开始带动晶振片的安装台转动，从而使位于晶振探头的检测口的晶振片进行位移，同时，晶振探头中的编码器则所采集到的驱动电机的转轴的转动角度传输给逻辑控制器，逻辑控制器将晶振探头中的编码器所传输的转动角度与逻辑控制器内存储的晶振片的转动角度相比对，当晶振探头中的编码器所传输的转动角度与逻辑控制器内存储的晶振片的转动角度一致时，逻辑控制器停止为电机调速器输出控制电流，电机调速器失电，电机调速器不在为晶振探头的驱动电机提供驱动电流，驱动电机停止转动，从而使所需对靶材蒸发量进行检测的晶振片准确的转换到晶振探头的检测口处，使晶振片能准确的对靶材的蒸发量进行检测。同时，本专利技术为了使对靶材的蒸发量进行检测的晶振片的振荡频率能保持在一个稳定的范围值内，以便确保晶振探头对靶材蒸发量检测的准确性，本专利技术设置了与逻辑控制器相连接的晶控测厚仪。该晶控测厚仪优先采用了XTC3晶控测厚仪，该晶控测厚仪用于对晶振探头的晶振片的晶振频率进行检测。本专利技术在晶控测厚仪内预先存储了一个晶振片可用振荡频率范围值。当晶控测厚仪所检测到晶振探头的晶振片的振荡频率低于所存储的振荡频率范围值时，晶控测厚仪输出一个脉冲信号给逻辑控制器，逻辑控制器则输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶振探头用控制系统，其特征在于：主要由逻辑控制器，均与逻辑控制器相连接的触摸屏、电源、晶控测厚仪和电机调速器，以及与晶控测厚仪相连接的信号处理单元组成；所述电源还分别与触摸屏和电机调速器以及晶控测厚仪相连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶振探头用控制系统，其特征在于：主要由逻辑控制器，均与逻辑控制器相连接的触摸屏、电源、晶控测厚仪和电机调速器，以及与晶控测厚仪相连接的信号处理单元组成；所述电源还分别与触摸屏和电机调速器以及晶控测厚仪相连接。2.根据权利要求1所述的一种晶振探头用控制系统，其特征在于：所述信号处理单元包括信号放大电路，输入端与信号放大电路相连接的高通滤波电路，以及输入端与高通滤波电路的输出端相连接、输出端与晶控测厚仪相连接的信号转换电路。3.根据权利要求2所述的一种晶振探头用控制系统，其特征在于：所述信号放大电路由放大器P1，正极作为信号放大电路的输入端、负极与放大器P1的正极相连接的极性电容C1，正极经电阻R1后与放大器P1的正极相连接、负极接地的极性电容C2，一端与放大器P1的负极相连接、另一端与极性电容C2的正极相连接的电阻R2，一端与放大器P1的正极相连接、另一端与放大器P1的输出端相连接的电阻R3，一端与放大器P1的正电极相连接、另一端与极性电容C2的正极相连接的电阻R4，以及一端与极性电容C2的正极相连接、另一端与极性电容C2的负极相连接的电阻R5组成；所述放大器P1的负电极接地、其输出端作为信号放大电路的输出端并与高通滤波电路相连接。4.根据权利要求3所述的一种晶振探头用控制系统，其特征在于：所述高通滤波电路由放大器P2，正极与放大器P1...

【专利技术属性】
技术研发人员：向勇，孙力，曹德，
申请(专利权)人：成都西沃克真空科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51