The invention relates to the field of magnetron sputtering, and provides a control device and a control method for dynamically controlling the utilization ratio of sputtering target material. The control device comprises a sputtering target morphology detection unit; the control unit; the wireless communication unit, detection information sputtering target detection unit morphology is transferred to an external system by the control unit and wireless communication unit; the magnetic sensor, the detection of sputtering target the synthesis of magnetic field, connected to the control unit and the resultant magnetic field will be detected by the control unit the wireless communication unit and real-time transfer to the external system, analysis of the processing results of the external system through the wireless communication unit to return to the control unit; the magnetic material controller, which is connected to the control unit, the control unit based on the analysis of the processing results from the external system will control the instructions sent to the controller of magnetic materials, magnetic field intensity and magnetic field strength magnetic control material controller materials and ultimately control the synthesis of magnetic field. According to the invention, the utilization ratio of the target can be understood and improved in real time.
【技术实现步骤摘要】
动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法
本专利技术涉及磁控溅射领域,更具体而言涉及一种动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法。
技术介绍
当前在磁控溅射领域,平面靶材的利用率只有20%-45%,旋转靶材的利用率只有30%-50%,从而造成很大的资源浪费。而且,目前检测靶材利用率的装置和方法均是在靶材使用完毕后通过采用称重、用直尺和卡尺测量最深点或者用3D扫描靶材形貌来进行的。这些方法都无法实现在线实时测量,这样既浪费了时间,也无法动态控制靶材利用率。因而,需要一种下述的动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法:其可以解决或至少减轻上述现有技术中所存在的部分或全部缺点。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于:提供一种旨在解决或至少减轻上述现有技术中所存在的部分或全部缺点的动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法。本专利技术所采用的技术方案如下所述。根据本专利技术的一方面,提供一种动态控制溅射靶材利用率的控制装置,其中,所述控制装置包括:溅射靶材形貌检测单元,所述溅射靶材形貌检测单元实时检测溅射靶材的刻蚀表面形貌;控制单元,所述控制单元连接至所述溅射靶材形貌检测单元并且接收来自所述溅射靶材形貌检测单元的检测结果;无线通讯单元,所述无线通讯单元连接至所述控制单元并且实时接收所述检测结果,所述无线通讯单元连接至外部系统并将所述检测结果实时传递到所述外部系统进行分析处理;磁性传感器,所述磁性传感器检测溅射设备的第一磁场与调整所述溅射靶材的表面磁场强度的磁性材料的第二磁场形成的合成磁场,所述磁性传感器连接至所述控制单元并将检测到的合成磁场经所述控制单 ...
【技术保护点】
一种动态控制溅射靶材利用率的控制装置,其特征在于,所述控制装置包括:溅射靶材形貌检测单元,所述溅射靶材形貌检测单元实时检测溅射靶材的刻蚀表面形貌;控制单元,所述控制单元连接至所述溅射靶材形貌检测单元并且接收来自所述溅射靶材形貌检测单元的检测结果;无线通讯单元,所述无线通讯单元连接至所述控制单元并且实时接收所述检测结果,所述无线通讯单元连接至外部系统并将所述检测结果实时传递到所述外部系统进行分析处理;磁性传感器,所述磁性传感器检测溅射设备的第一磁场与调整所述溅射靶材的表面磁场强度的磁性材料的第二磁场形成的合成磁场,所述磁性传感器连接至所述控制单元并将检测到的合成磁场经所述控制单元和所述无线通讯单元实时传递到所述外部系统以进行分析处理,所述外部系统的分析处理结果经所述无线通讯单元返回所述控制单元;磁性材料控制器,所述磁性材料控制器连接至所述控制单元,所述控制单元根据来自所述外部系统的分析处理结果将控制指令发送给所述磁性材料控制器,从而所述磁性材料控制器控制所述磁性材料的第二磁场的强度并最终控制合成磁场的磁场强度。
【技术特征摘要】
1.一种动态控制溅射靶材利用率的控制装置,其特征在于,所述控制装置包括:溅射靶材形貌检测单元,所述溅射靶材形貌检测单元实时检测溅射靶材的刻蚀表面形貌;控制单元,所述控制单元连接至所述溅射靶材形貌检测单元并且接收来自所述溅射靶材形貌检测单元的检测结果;无线通讯单元,所述无线通讯单元连接至所述控制单元并且实时接收所述检测结果,所述无线通讯单元连接至外部系统并将所述检测结果实时传递到所述外部系统进行分析处理;磁性传感器,所述磁性传感器检测溅射设备的第一磁场与调整所述溅射靶材的表面磁场强度的磁性材料的第二磁场形成的合成磁场,所述磁性传感器连接至所述控制单元并将检测到的合成磁场经所述控制单元和所述无线通讯单元实时传递到所述外部系统以进行分析处理,所述外部系统的分析处理结果经所述无线通讯单元返回所述控制单元;磁性材料控制器,所述磁性材料控制器连接至所述控制单元,所述控制单元根据来自所述外部系统的分析处理结果将控制指令发送给所述磁性材料控制器,从而所述磁性材料控制器控制所述磁性材料的第二磁场的强度并最终控制合成磁场的磁场强度。2.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于,所述磁性材料设置于所述溅射靶材的外表面、所述溅射靶材的内部、所述溅射靶材的焊合层、所述溅射靶材的背板/背管的非焊合面,所述磁性材料选自焊料、间隔件或添加剂,所述磁性材料的分布区域分包括一个或多个分区,所述控制装置包括一个或多个所述磁性传感器以及一个或多个所述磁性材料控制器,每个分区的合成磁场相应地由一个所述磁性传感器进行检测并且每个分区的所述磁性材料的第二磁场相应地由一个所述磁性材料控制器控制。3.根据权利要求2所述的控制装置,其特征在于,所述外部系统是溅射设备的控制主机、云端、手持式检测单元或者穿戴式检测单元,所述外部系统利用大数据进行分析处理,所述外部系统的分析处理结果形成对应模型,所述对应模型经所述无线通讯单元返回所述控制单元,所述控制单元根据所述对应模型将相应控制指令发送给所述磁性材料控制器,并且所述无线通讯单元利用loT通讯协议进行通讯。4.根据权利要求3所述的控制装置,其特征在于,所述靶材形貌检测单元设置于所述溅射靶材的外表面、所述溅射靶材的内部、所述溅射靶材的焊合层、所述溅射靶材的背板/背管的非焊合面、所述溅射设备的反应室的内部、或者所述反应室的外部,所述磁性传感器和所述磁性材料控制器设置于所述溅射靶材的外表面、所述溅射靶材的内部、所述溅射靶材的焊合层或者所述溅射靶材的背板/背管的非焊合面。5.根据权利要求1-4中任一项所述的控制装置,其特征在于,所述控制装置还包括重量传感器,所述重量传感器实时检测所...
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