离子注入跑片方法和离子注入跑片系统技术方案

本发明专利技术公开一种离子注入跑片方法，包括以下步骤：A)将多个硅片排列放入硅片托盘上。B)多个载有硅片的硅片托盘同时由多个输送带装置输送至缓冲区。C)硅片托盘上的硅片经过离子注入设备注入其中一种离子后输送到切换区。D)切换区内还设有隔板孔切换装置。E)硅片托盘反向输送至离子注入设备的位置时，离子注入设备将另一种离子注入硅片托盘上的硅片上。F)硅片托盘上的硅片注入两种离子后，输送回缓冲区完成离子注入。本发明专利技术离子注入的条件只需要在硅片托盘进出的真空度一致即可实现；该方法采用离子扩散的方式无法实现；本方法采用离子注入的方式，控制单种类型的离子逐一注入硅片上，可以通过调节离子注入设备的离子注入的种类，能量和注入剂量，使离子注入的效果更佳，制作成本更低。

Ion implantation running method and ion implantation running chip system

The invention discloses an ion implantation running method, comprising the following steps: A) arranging a plurality of silicon wafers onto a silicon wafer tray. (B) a plurality of silicon wafer trays that are simultaneously transported by a plurality of belt devices to a buffer zone. (C) silicon wafers on wafer trays are injected into one of the ions via the ion implantation device and then transferred to the switching area. D) the switching zone is also provided with a baffle hole switching device. E) when the wafer tray is transported back to the location of the ion implantation device, the ion implantation device adds another ion to the silicon wafer on the wafer tray. F) silicon wafers on a wafer tray are injected with two ions and transported back to the buffer to complete ion implantation. The invention of ion implantation in silicon vacuum conditions only need to implement the tray out of the degree to be consistent; the method adopts the ion diffusion mechanism can be realized; the method of using ion implantation, ion control of single type of each injection on a silicon wafer, by ion implantation equipment for ion implantation and injection energy regulation the effect of the ion implantation dose, better, lower production costs.

【技术实现步骤摘要】
离子注入跑片方法和离子注入跑片系统
本专利技术涉及离子注入跑片方法，特别涉及一种离子注入跑片方法。
技术介绍
硅太阳能电池在被暴露至来自太阳的太阳辐射时产生电能。该辐射与硅原子交互作用并形成电子和空穴，所述电子和空穴迁移到硅本体中的p离子掺杂区和n离子掺杂区，并在掺杂区之间产生电压差和电流。取决于用途，太阳能电池已经与集中元件集成以提高效率。太阳辐射使用将所述辐射引导至活性光伏材料的一个或更多部分的集中元件来积累和聚焦。尽管有效，但是这些太阳能电池仍有很多限制。仅仅作为一个实例，太阳能电池依赖诸如硅的起始材料。这种硅通常使用多晶硅(即多晶体的硅)和/或多晶硅材料制成。这些材料通常难以制造。多晶硅电池通常通过制造多晶硅板来形成。尽管这些板可以有效地形成，但是它们不具备高效太阳能电池的最佳性能。单晶硅具有高级太阳能电池的适当性能。然而，这种单晶硅价格昂贵，还难以按照高效且成本有效的方式用于太阳能用途。此外，多晶硅材料和单晶硅材料在传统制造过程中均遭受称为“刮线损失"的材料损失，其中，出于铸件或生长晶锭并将材料单片化成晶片形式的因素，锯割工艺消除起始材料的多达40％甚至达到60％。这是制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入跑片方法，其特征在于，包括以下步骤：A)将多个硅片排列成一列或n列放入硅片托盘上，每列硅片的排放方向是硅片托盘的行进方向，每两个硅片之间具有一定的间隙，每两个硅片之间的间隙相同，每列硅片之间垂直于硅片托盘行进方向的间隔大于一个硅片的横向尺寸，在硅片的正上方盖上一个可以切换位置的隔板，在隔板上间隔设置有两排或2n排供不同离子通过的通孔，两排或2n排通孔的位置在硅片行进方向上相互交叉错开；B)多个载有硅片的硅片托盘同时由多个输送带装置从进出片腔(或真空过渡腔室)输送至缓冲区，缓冲区内的硅片托盘从上至下逐个依次输送至水平输送装置上，水平输送装置的输送带的中部设置离子注入设备，缓冲区内的硅...

【技术特征摘要】
1.一种离子注入跑片方法，其特征在于，包括以下步骤：A)将多个硅片排列成一列或n列放入硅片托盘上，每列硅片的排放方向是硅片托盘的行进方向，每两个硅片之间具有一定的间隙，每两个硅片之间的间隙相同，每列硅片之间垂直于硅片托盘行进方向的间隔大于一个硅片的横向尺寸，在硅片的正上方盖上一个可以切换位置的隔板，在隔板上间隔设置有两排或2n排供不同离子通过的通孔，两排或2n排通孔的位置在硅片行进方向上相互交叉错开；B)多个载有硅片的硅片托盘同时由多个输送带装置从进出片腔(或真空过渡腔室)输送至缓冲区，缓冲区内的硅片托盘从上至下逐个依次输送至水平输送装置上，水平输送装置的输送带的中部设置离子注入设备，缓冲区内的硅片托盘输送出的个数达到一定个数时，进出片腔(或真空过渡室)输送带装置再一次性输送与送出的托盘个数相同的硅片托盘到缓冲区内；离子注入设备将其中一种离子通过隔板的其中一排或n排通孔逐片注入到硅片托盘上的硅片上；C)硅片托盘上的硅片经过离子注入设备注入其中一种离子后输送到切换区，所述切换区内由下至上依次设有多个用于叠放已经注入其中一种离子的硅片托盘的托盘支架、及将水平输送装置输送过来的硅片托盘逐个输送至托盘支架上的垂直皮带输送装置；所述切换区内的硅片托盘存放满料后，停止水平输送装置送料；D)所述切换区内还设有用于水平推动隔板、使隔板的另一排通孔对准硅片托盘上的硅片正上方的隔板孔切换装置；当水平输送装置反向输送硅片托盘时，隔板孔切换装置将硅片托盘上的隔板推向另一侧边，使隔板的另一排通孔对准硅片托盘上的硅片正上方，E)硅片托盘反向输送至离子注入设备的位置时，离子注入设备将另一种离子从隔板的另一排通孔注入硅片托盘上的硅片上；由于隔板上的两排或n排通孔是在硅片行进方向上相互错开的，因此，两种离子均可以注入到硅片上而不会重合；F)硅片托盘上的硅片注入两种离子后，输送回缓冲区，缓冲区的垂直皮带输送装置逐个将水平输送装置输送的硅片托盘输送至缓冲区内，当缓冲区的上方放入了足够个数的托盘时，输送带装置将多个托盘同时输送出至进出片腔(真空过渡腔室)，完成离子注入。2.根据权利要求1所述的离子注入跑片方法，其特征在于，步骤C和步骤E所述的离子为n﹢型离子或p﹢型离子，如果步骤C注入的离子是n﹢型离子，则步骤E注入的离子是p﹢型离子，如果步骤C注入的离子是p﹢型离子，则步骤E注入的离子是n﹢型离子。3.根据权利要求2所述的离子注入跑片方法，其特征在于，所述硅片托盘输送入和输送出进出片腔(或真空过渡腔室)时，所述进出片腔(或真空过渡腔室)、缓冲区和所述切换区内均由真空装置抽真空，所述缓冲区和所述切换区在硅片托盘输送入和输送出时的真空度一致。4.根据权利要求3所述的离子注入跑片方法，其特征在于，所述输送带装置每次输入和输出所述硅片托盘的个数为5个。5.根据权利要求4所述的离子注入跑片方法，其特征在于，两排所述通孔的错位距离为10μm～50μm。6.一种离子注入跑片系统，其特征在于，包括水平进出传送区、托盘垂直输送缓冲区、单个托盘水平传送区和...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱锋，宋银海，贾银海，姚飞，埃尔詹·马兹，
申请(专利权)人：东莞帕萨电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44