异质结HJT光伏电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种异质结HJT光伏电池及其制作方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面从内到外依次设有第一金属电极、第一非晶硅本征层、P+型晶体硅层、N型晶体硅层、N+型晶体硅层、第二非晶硅本征层及第二金属电极。本发明专利技术异质结HJT光伏电池能节约材料，大大减少对硅片的依赖，生产成本低，有效提高市场竞争力。有效提高市场竞争力。有效提高市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】
异质结HJT光伏电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种异质结HJT光伏电池，尤其涉及一种节约材料，生产成本低，有效减少对硅片的依赖的异质结HJT光伏电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]常规HIT电池一般是以N型硅片为衬底，厚度约180um,在正面依次为透明导电氧化物膜(简称TCO)、P型非晶硅薄膜，和本征富氢非晶硅薄膜；在电池背面依次为TCO透明导电氧化物膜，N型非晶硅薄膜和本征非晶硅膜，最后通过丝网印刷在电池两面制备金属电极，再经过低温固化工艺，完成HIT电池的制造。然而，现有的这种方式的衬底的厚度要求较大，使得对N型硅片材料的需求很大，批量生产电池时会消耗大量的硅片，因此对硅片具有很强的依赖，而且通过丝网印刷制备金属电极需要大量的银浆，生产成本很高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种节约材料，生产成本低的异质结HJT光伏电池。
[0004]本专利技术的另一目的在于提供一种节约材料，生产成本低，有效减少对硅片的依赖的异质结HJT光伏电池制作方法。
[0005]为了实现上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结HJT光伏电池，其特征在于：包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面从内到外依次设有第一金属电极、第一非晶硅本征层、P+型晶体硅层、N型晶体硅层、N+型晶体硅层、第二非晶硅本征层及第二金属电极。2.如权利要求1所述的异质结HJT光伏电池，其特征在于：所述第一非晶硅本征层的背面设有第一透明导电氧化层，所述第一金属电极设置于所述第一透明导电氧化层与所述玻璃基板之间；所述第二非晶硅本征层的表面设有第二透明导电氧化层，所述第二金属电极设置于所述第二透明导电氧化层的表面。3.如权利要求2所述的异质结HJT光伏电池，其特征在于：所述第一透明导电氧化层和/或第二透明导电氧化层的厚度范围为500nm至1um，电阻率范围为10Ωcm至4Ωcm。4.如权利要求1所述的异质结HJT光伏电池，其特征在于：所述N型晶体硅层的厚度范围为20nm至30um。5.如权利要求1所述的异质结HJT光伏电池，其特征在于：所述P+型晶体硅层和/或所述N+型晶体硅层的厚度范围为20nm至1000nm。6.如权利要求1所述的异质结HJT光伏电池，其特征在于：所述第一非晶硅本征层和/或所述第二非晶硅本征层的厚度范围为2nm至20nm。7.如权利要求1所述的异质结HJT光伏电池，其特征在于：所述玻璃基板的厚度范围为2mm至5mm。8.一种异质结HJT光伏电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基板的表面通过磁控溅射或离子束溅射的方式镀上...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱锋，姚飞，廖运华，宋银海，贾银海，王小东，
申请(专利权)人：东莞帕萨电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：