运用于非易失性存储器的电源切换电路制造技术

电源切换电路，包括：一第一晶体管、第二晶体管与一电流源。第一晶体管的一第一源漏端与一栅极端分别接收一第一供应电压与一第二供应电压，一第二源漏端与一体极端连接至一节点z，且该节点z产生一输出信号。一第二晶体管的一第一源漏端与一栅极端分别接收该第二供应电压与该第一供应电压，一第二源漏端与一体极端连接至该节点z。一电流源连接于一偏压电压与该节点z之间。该第一供应电压、该第二供应电压或者该偏压电压可被选择成为该输出信号。

Power switching circuit

The power switching circuit comprises a first transistor, a second transistor and a current source. The first source of the first transistor drain and a gate terminal respectively receiving a first supply voltage and a second supply voltage, a second source drain and one terminal is connected to a Z node, and the node Z generates an output signal. A first source drain terminal of a second transistor and a grid pole respectively receive the second supply voltage and the first supply voltage, and a second source drain terminal is connected with the integrated extreme to the node Z. A current source is connected between a bias voltage and the node Z. The first supply voltage, the second supply voltage, or the bias voltage may be selected to become the output signal.

【技术实现步骤摘要】
电源切换电路
本专利技术涉及一种电源切换电路，且特别涉及一种运用于非易失性存储器的电源切换电路。
技术介绍
众所周知，非易失性存储器可在电源消失之后，仍可保存数据，因此非易失性存储器已经广泛的运用于电子产品中。再者，非易失性存储器中包括多个非易失性记忆胞(non-Volatilecell)排列而成非易失性记忆胞阵列(non-Volatilecellarray)，而每个非易失性记忆胞中皆包含一浮动门晶体管(floatinggatetransistor)。请参照图1，其所绘示为易失性存储器示意图。非易失性存储器中包括一非易失性记忆胞阵列110与一电源切换电路(powerswitchcircuit)120。其中，电源切换电路120连接至非易失性记忆胞阵列110。电源切换电路120接收多个供应电压(supplyvoltage)，并可在不同运作模式下输出适当的供应电压作为输出信号Vs，并提供至非易失性记忆胞阵列110。举例来说，电源切换电路120接收第一供应电压与第二供应电压。于非易失性记忆胞阵列的抹除模式(erasemode)时，电源切换电路120提供第一供应电压至非易失性记忆胞阵列110。再者，在编程模式(programmode)时，提供第二供应电压至非易失性记忆胞阵列110。
技术实现思路
本专利技术涉及一种电源切换电路，包括：一第一晶体管，具有一第一源漏端接收一第一供应电压，一第二源漏端连接至一节点z，一栅极端接收一第二供应电压，一体极端连接至该节点z，其中该节点z产生一输出信号；一第二晶体管，具有一第一源漏端接收该第二供应电压，一第二源漏端连接至该节点z，一栅极端接收该第一供应电压，一体极端连接至该节点z；以及一电流源，连接于一偏压电压与该节点z之间；其中，当该第一供应电压小于该第二供应电压时，该输出信号等于该第一供应电压；当该第一供应电压大于该第二供应电压时，该输出信号等于该第二供应电压；当该第一供应电压等于该第二供应电压时，该输出信号等于该偏压电压。本专利技术涉及一种电源切换电路，包括：一第一晶体管，具有一第一源漏端接收一第一供应电压，一第二源漏端连接至一节点z，一栅极端接收一第二供应电压，一体极端连接至该节点z，其中该节点z产生一输出信号；一第二晶体管，具有一第一源漏端接收该第二供应电压，一第二源漏端连接至该节点z，一栅极端接收该第一供应电压，一体极端连接至该节点z；一第三晶体管，具有一第一源漏端接收一偏压电压，一第二源漏端连接至该节点z，一栅极端接收一转换信号，一体极端连接至该节点z；一自动选择电路，接收该第一供应电压与该第二供应电压，并产生一输出电压，其中当该第一供应电压小于该第二供应电压时，该输出电压等于该第一供应电压；以及当该第一供应电压大于该第二供应电压时，该输出电压等于该第二供应电压；以及一电平转换器，接收该输出电压，其中该电平转换器根据该输出电压与一控制信号，将该控制信号转换为该转换信号。本专利技术涉及一种电源切换电路，包括：一第一晶体管，具有一第一源漏端接收一第一供应电压，一第二源漏端连接至一节点w，一栅极端接收一第一转换信号，其中该节点w产生一输出信号；一第二晶体管，具有一第一源漏端接收该第二供应电压，一第二源漏端连接至该节点w，一栅极端接收一第二转换信号；一第一自动选择电路，接收该第一供应电压与该第二供应电压，并产生一输出电压，其中当该第一供应电压小于该第二供应电压时，该输出电压等于该第一供应电压；以及当该第一供应电压大于该第二供应电压时，该输出电压等于该第二供应电压；一第一电平转换器，接收该输出电压，其中该第一电平转换器根据该输出电压与一第一控制信号，将该第一控制信号转换为该第一转换信号；以及一第二电平转换器，接收该输出电压，其中该第二电平转换器根据该输出电压与一第二控制信号，将该第二控制信号转换为该第二转换信号。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1所绘示为易失性存储器示意图。图2A所绘示为自动选择电路。图2B所绘示为自动选择电路10的真值表。图3A所绘示为本专利技术电源切换电路的第一实施例。图3B所绘示为第一实施例电源切换电路的真值表。图4所绘示为本专利技术电源切换电路的第二实施例。图5A所绘示为本专利技术电源切换电路的第三实施例。图5B所绘示为第三实施例切换电路的真值表。图6A所绘示为本专利技术电源切换电路的第四实施例。图6B所绘示为第四实施例电平转换器的真值表。图7所绘示为本专利技术电源切换电路的第五实施例。图8所绘示为本专利技术电源切换电路的第六实施例。图9所绘示为本专利技术电源切换电路的第七实施例。图10所绘示为本专利技术电源切换电路的第八实施例。图11所绘示为本专利技术电源切换电路的第九实施例。【符号说明】110：非易失性记忆胞120、300、400、500、600、650、700、800：电源切换电路10、310、320、640、654、710、720：自动选择电路330、620、630、652、810：电平转换器410、910：控制电路412、912：与门414、416、510、914、916、952：电流源900、950：电源切换电路具体实施方式请参照图2A，其所绘示为自动选择电路。自动选择电路10包括二个n型晶体管ma、mb。晶体管ma的第一源漏端(source/drainterminal)连接至节点x、第二源漏端连接至节点z、栅极端连接至节点y、体极端(bodyterminal)连接至节点z。晶体管mb的第一源漏端连接至节点y、第二源漏端连接至节点z、栅极端连接至节点x、体极端连接至节点z。再者，节点x与节点y为自动选择电路10的二输入端，分别接收供应电压Vp1与Vp2；节点z为自动选择电路10的输出端，可以选择性地将二个供应电压Vp1与Vp2其中之一作为输出信号Vs。在本专利技术的实施例中，供应电压Vp1与Vp2的电压值小于等于零。而自动选择电路10可以自动地选择二个供应电压Vp1与Vp2中较小的电压做为输出信号Vs。当然，自动选择电路10的二个供应电压Vp1与Vp2的电压值也可大于零，而自动选择电路10也可以自动地选择二个供应电压Vp1与Vp2中较小的电压做为输出信号Vs。请参照图2B，其所绘示为自动选择电路10的真值表。当供应电压Vp1为0V且供应电压Vp2为-4V时，晶体管mb开启(turnon)且晶体管ma关闭(turnoff)，较低的供应电压Vp2(-4V)即成为输出信号Vs。再者，当供应电压Vp1为-6V且供应电压Vp2为-4V时，晶体管ma开启且晶体管mb关闭，较低的供应电压Vp1(-6V)即成为输出信号Vs。由于自动选择电路10输出信号Vs为二个供应电压Vp1与Vp2中较小的电压。因此，将输出信号Vs作为晶体管ma与mb的体极端电压，可以消除晶体管ma与mb的基体效应(bodyeffect)。另外，当二供应电压Vp1、Vp2皆相同，或者一个供应电压未提供时，输出信号Vs的电压值可能约为0V的浮接状态(floating)。在此状况下，输出信号Vs约为供应电压减去Vtn。其中，Vtn为晶体管ma与mb的临限电压(thresholdVoltage)。如图2B所示，当供应电压Vp1、Vp2皆为0V时，其输出信号Vs为0-V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源切换电路，包括：第一晶体管，具有第一源漏端接收第一供应电压，第二源漏端连接至节点z，栅极端接收第二供应电压，体极端连接至该节点z，其中该节点z产生输出信号；第二晶体管，具有第一源漏端接收该第二供应电压，第二源漏端连接至该节点z，栅极端接收该第一供应电压，体极端连接至该节点z；以及电流源，连接于偏压电压与该节点z之间；其中，当该第一供应电压小于该第二供应电压时，该输出信号等于该第一供应电压；当该第一供应电压大于该第二供应电压时，该输出信号等于该第二供应电压；当该第一供应电压等于该第二供应电压时，该输出信号等于该偏压电压。

【技术特征摘要】
2016.01.19 US 62/280,6831.一种电源切换电路，包括：第一晶体管，具有第一源漏端接收第一供应电压，第二源漏端连接至节点z，栅极端接收第二供应电压，体极端连接至该节点z，其中该节点z产生输出信号；第二晶体管，具有第一源漏端接收该第二供应电压，第二源漏端连接至该节点z，栅极端接收该第一供应电压，体极端连接至该节点z；以及电流源，连接于偏压电压与该节点z之间；其中，当该第一供应电压小于该第二供应电压时，该输出信号等于该第一供应电压；当该第一供应电压大于该第二供应电压时，该输出信号等于该第二供应电压；当该第一供应电压等于该第二供应电压时，该输出信号等于该偏压电压。2.如权利要求1所述的电源切换电路，其中该偏压电压等于该第一供应电压或者该偏压电压等于该第二供应电压。3.如权利要求1所述的电源切换电路，其中该第一晶体管与该第二晶体管为n型晶体管，且该电流源为弱电流源。4.一种电源切换电路，包括：第一晶体管，具有第一源漏端接收第一供应电压，第二源漏端连接至节点z，栅极端接收第二供应电压，体极端连接至该节点z，其中该节点z产生输出信号；第二晶体管，具有第一源漏端接收该第二供应电压，第二源漏端连接至该节点z，栅极端接收该第一供应电压，体极端连接至该节点z；第三晶体管，具有第一源漏端接收偏压电压，第二源漏端连接至该节点z，栅极端接收转换信号，体极端连接至该节点z；自动选择电路，接收该第一供应电压与该第二供应电压，并产生输出电压，其中当该第一供应电压小于该第二供应电压时，该输出电压等于该第一供应电压；以及当该第一供应电压大于该第二供应电压时，该输出电压等于该第二供应电压；以及电平转换器，接收该输出电压，其中该电平转换器根据该输出电压与控制信号，将该控制信号转换为该转换信号。5.如权利要求4所述的电源切换电路，其中该偏压电压等于该第一供应电压或者该偏压电压等于该第二供应电压。6.如权利要求4所述的电源切换电路，其中该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管为n型晶体管。7.如权利要求4所述的电源切换电路，其中该自动选择电路包括：第四晶体管，具有第一源漏端接收该第一供应电压，第二源漏端产生该输出电压，栅极端接收该第二供应电压，体极端连接至该第二源漏端；以及第五晶体管，具有第一源漏端接收该第二供应电压，第二源漏端与体极端连接至该第四晶体管的该第二源漏端，栅极端接收该第一供应电压。8.如权利要求4所述的电源切换电路，还包括：第四晶体管，具有第一源漏端与体极端接收该第一供应电压，第二源漏端连接至节点a，栅极端接收该第二供应电压；第五晶体管，具有第一源漏端与体极端接收该第二供应电压，第二源漏端连接至节点b，栅极端接收该第一供应电压；第一电流源，连接于电压源与该节点a之间；第二电流源，连接于该电压源与该节点b之间；以及与门，具有二输入端分别连接至该节点a与该节点b，并产生该控制信号。9.一种电源切换电路，包括：第一晶体管，具有第一源漏端接收第一供应电压，第二源漏端连接至节点w，栅极端接收第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄智扬，古惟铭，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71