一种低功耗电池电源反向保护电路制造技术

技术编号:9104301 阅读:248 留言:0更新日期:2013-08-30 21:14
一种低功耗电池电源反向保护电路,包括:一晶体二极管,接在外接直流电源插座的正极X8和设备正极电源入口之间;一电池组,负极接在外接直流电源插座的动触头,正极接在P沟道场效应管的输入端;所述P沟道场效应管的输出端接在设备正极电源入口;控制端接在电源地GND;所述外接直流电源插座的静触头接电源地GND。由于P沟道场效应管加在电池组和应用电路之间,其控制极接电源地GND,所以只有电池组安装正确,P沟道场效应管才彻底导通,形成通路,反之,P沟道场效应管呈现的阻值为无穷大。本实用新型专利技术以较小的成本实现了防止电池组反装的功能,有效地保护了应用电路,功耗极低。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路,尤其涉及一种保护电路,特别是一种低功耗电池电源反向保护电路
技术介绍
在使用电池作为电源的产品中,经常会出现电池组装反向,损坏电子控制板,产品不工作。所以产品设计时会进行防止电池组装反向的设计。而目前使用的设计多是机械的防反装结构,这种结构仍然不能杜绝电池组反装。还有一些防反装是复杂的高功耗的电路保护设计,不值得提倡。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题,本技术提出一种低功耗电池电源反向保护电路。本技术在电池组与应用电路之间用一只P沟道场效应管进行隔离,当电池组得正负极安装正确时,P沟道场效应管呈导通状态,其输入与输出极之间的电压降仅为零点几伏,可以忽略不计。当电池组得正负极安装反向时,P沟道场效应管呈截止状态,其输入与输出极之间的阻值为无穷大,等于电池组并未接入。设计制造一种低功耗电池电源反向保护电路,所述电路包括:一晶体二极管,接在外接直流电源插座的正极X8和设备正极电源入口之间;一电池组,负极接在外接直流电源插座的动触头,正极接在P沟道场效应管的输入端;所述P沟道场效应管的输出端接在设备正极电源入口 ;所述P沟道场效应管的控制端接在电源地GND。所述设备正极电源入口与电源地GND之间接一电容器;所述外接直流电源插座的静触头接电源地GND。与现有技术相比较,由于P沟道场效应管加在电池组和应用电路之间,又由于P沟道场效应管的控制极接电源地GND,所以只有电池组安装正确,P沟道场效应管才彻底导通,形成通路,反之,P沟道场效应管呈现的阻值为无穷大。本方案以较小的成本实现了防止电池组反装的功能,有效地保护了应用电路,功耗极低。附图说明图1是本技术一种低功耗电池电源反向保护电路的原理示意图。标号说明2 晶体二极管3P沟道场效应管4电容器5电池组6设备正极电源入口。具体实施方式为了进一步说明本技术的一种一种低功耗电池电源反向保护电路,现结合图1具体说明。设计制造一种一种低功耗电池电源反向保护电路,包括:一晶体二极管2,接在外接直流电源插座的正极X8和设备正极电源入口 6之间;一电池组5,负极接在外接直流电源插座的动触头,正极接在P沟道场效应管3的输入端;所述P沟道场效应管3的输出端接在设备正极电源入口 6 ;所述P沟道场效应管3的控制端接在电源地GND。所述设备正极电源入口 6与电源地GND之间接一电容器4 ;所述外接直流电源插座的静触头接电源地GND。晶体二极管2起到隔离作用。电容器4可以使用I微法的电容。P沟道场效应管3可以选用的型号很多,在此不一一例举。本实用 新型的具体实施方式不止上述一种,本技术所例举的实施例并非对自己的限定,凡是未脱离本技术技术方案的内容,依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本技术技术方案的范围内。权利要求1.一种低功耗电池电源反向保护电路,其特征在于,所述电路包括: 一晶体二极管(2),接在外接直流电源插座的正极X8和设备正极电源入口(6)之间;一电池组(5),负极接在外接直流电源插座的动触头,正极接在P沟道场效应管(3)的输入端; 所述P沟道场效应管(3)的输出端接在设备正极电源入口(6); 所述P沟道场效应管(3)的控制端接在电源地GND。2.根据权利要求1所述的低功耗电池电源反向保护电路,其特征在于: 所述设备正极电源入口(6)与电源地GND之间接一电容器(4)。3.根据权利要求1所述的低功耗电池电源反向保护电路,其特征在于,所述外接直流电源插座的静触头接电 源地GND。专利摘要一种低功耗电池电源反向保护电路,包括一晶体二极管,接在外接直流电源插座的正极X8和设备正极电源入口之间;一电池组,负极接在外接直流电源插座的动触头,正极接在P沟道场效应管的输入端;所述P沟道场效应管的输出端接在设备正极电源入口;控制端接在电源地GND;所述外接直流电源插座的静触头接电源地GND。由于P沟道场效应管加在电池组和应用电路之间,其控制极接电源地GND,所以只有电池组安装正确,P沟道场效应管才彻底导通,形成通路,反之,P沟道场效应管呈现的阻值为无穷大。本技术以较小的成本实现了防止电池组反装的功能,有效地保护了应用电路,功耗极低。文档编号H02H7/18GK203166486SQ20132011341公开日2013年8月28日 申请日期2013年3月13日 优先权日2013年3月13日专利技术者汤守利, 宋连辉, 黄英 申请人:意拉德电子(东莞)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗电池电源反向保护电路,其特征在于,?所述电路包括:一晶体二极管(2),接在外接直流电源插座的正极X8和设备正极电源入口(6)之间;一电池组(5),负极接在外接直流电源插座的动触头,正极接在P沟道场效应管(3)的输入端;所述P沟道场效应管(3)的输出端接在设备正极电源入口(6);所述P沟道场效应管(3)的控制端接在电源地GND。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汤守利宋连辉黄英
申请(专利权)人:意拉德电子东莞有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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