一种适用于OTP存储器的电源切换电路制造技术

本发明专利技术提供一种适用于OTP存储器的电源切换电路，包括：衬底切换模块、电源切换模块、第一电压输入端、第二电压输入端以及电压输出端；其中所述衬底切换模块包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及弱下拉器件，由衬底切换模块实现所有PMOS管的衬底始终连接到第一电压输入端和第二电压输入端中的最高电位；所述电源切换模块包括：第一PMOS管和第二PMOS管，由电源切换模块实现电压输出端始终连接到第一电压输入端和第二电压输入端中的最高电位。本发明专利技术中的所有PMOS管的Vgs，Vgd，Vds都在耐压要求范围内，通过本发明专利技术的电源切换电路，针对OTP存储器电路的特殊需求，以简洁实用的方式，使用低压MOS管来实现高压电源的传送，节省了芯片面积和成本，提高了电路性能。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于OTP存储器的电源切换电路
本专利技术属于集成电路领域，涉及一次性可编程(OTP)存储器电路，尤其是涉及一种适用于OTP存储器的电源切换电路，适用于单片式集成电路芯片中。
技术介绍
在集成电路OTP存储器电路领域，通常需要用到不同的电压电源对电路进行供电。比如对OTP电路进行写操作时，电源电压可能需要6V，而对OTP电路进行读操作时，电源电压可能只需要3V，所以我们需要电源切换电路来选择合适的电压对OTP电路进行供电，如图1所示，其中VDD为3V电源，VPP为6V电源。由于3V和6V两种电源同时存在，所以与6V电源相连的MOS管需要经受6V的耐压，这时候通常会有两种解决方法：1)直接使用高压MOS管用来实现6V电源的传送。这种方式的优点是电路简单，直接用一个高压MOS管就可以实现电源的开和关，但缺点也非常明显，因为它需要额外的掩膜层(Mask)，生产成本高。2)只使用3VMOS管来实现6V电源的传送。这种方式需要保证所有与6V电源相连的MOS管它们的Vgs，Vgd，Vds都在耐压要求范围内(通常在3.6V左右)，但不能影响芯片的寿命，这需要采用精巧的电路结构来实现。另外，U本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于OTP存储器的电源切换电路，其特征在于，所述适用于OTP存储器的电源切换电路至少包括：衬底切换模块、电源切换模块、第一电压输入端、第二电压输入端以及电压输出端；其中，所述衬底切换模块包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及弱下拉器件；所述第五PMOS管的漏端与第四PMOS管的漏端连接至衬底；所述第五PMOS管的栅端与第三PMOS管的漏端相连，并通过所述弱下拉器件与地连接；所述第五PMOS管的源端、第四PMOS管的栅端和第三PMOS管的栅端均与所述第一电压输入端相连；所述第四PMOS管的源端和第三PMOS管的源端均与所述第二电压输入端相连；所述电源切换模块包括：第一PM...

【技术特征摘要】
1.一种适用于OTP存储器的电源切换电路，其特征在于，所述适用于OTP存储器的电源切换电路至少包括：衬底切换模块、电源切换模块、第一电压输入端、第二电压输入端以及电压输出端；其中，所述衬底切换模块包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及弱下拉器件；所述第五PMOS管的漏端与第四PMOS管的漏端连接至衬底；所述第五PMOS管的栅端与第三PMOS管的漏端相连，并通过所述弱下拉器件与地连接；所述第五PMOS管的源端、第四PMOS管的栅端和第三PMOS管的栅端均与所述第一电压输入端相连；所述第四PMOS管的源端和第三PMOS管的源端均与所述第二电压输入端相连；所述电源切换模块包括：第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管的源端连接至第二电压输入端；所述第一PMOS管的栅端和所述第二PMOS管的源端连接至第一电压输入端；所述第一PMOS管的漏端和第二PMOS管的漏端连接至电压输出端；所述第二PMOS管的栅端与所述第五PMOS管的栅端以及第三PMOS管的漏端相连，并通过所述弱下拉器件与地连接；所述电源切换模块中第一PMOS管和第二PMOS管的衬底和所述衬底切换模块中第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的衬底连接在一起。2.根据权利要求1所述的适用于OTP存储器的电源切换电路，其特征在于：所述电源切换模还包括一控制开关管。3.根据权利要求2所述的适用于OTP存储器的电源切换电路，其特征在于：所述控制开关管为第六PMOS管，所述第六PMOS管的栅端接...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建兴，
申请(专利权)人：上海巨微集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31