嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法技术

本发明专利技术涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

Block copolymer and method for manufacturing integrated circuit device using the same

The present invention relates to block copolymers and methods of manufacturing integrated circuit devices using the same. The block copolymer comprises a first polymer block having a different structure and a second polymer block, and the first polymer block and the second polymer block have a halogen substituted structure.

【技术实现步骤摘要】
嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年10月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0145431的权益，其公开内容全部引入本文中作为参考。
本专利技术构思的示例实施方式涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法，更特别地涉及具有提高的聚合物材料的有效分散性的嵌段共聚物以及能够通过使用所述嵌段共聚物形成精细图案的制造集成电路器件的方法。
技术介绍
随着半导体器件已经高度集成化，由各单位单元(元件)占据的面积当在平面图中观看时已变得更小。响应于单位单元的面积的减小，具有数纳米至数十纳米的纳米级的关键尺寸(特征尺寸，CD)的设计规则被应用。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施方式提供具有能够通过如下改善相分离特性的结构的嵌段共聚物：当通过使用定向自组装(DSA)技术以约50nm或更多的相对大的间距重复地形成多个精细孔图案时提高有效分散性。本专利技术构思的示例实施方式提供能够形成待用于集成电路器件中的精细图案的方法，所述精细图案通过如下而具有改善的CD均匀性：当通过使用DSA技术以约50nm或更多的相对大的间距重复地形成多本文档来自技高网...

【技术保护点】
嵌段共聚物，包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

【技术特征摘要】
2015.10.19 KR 10-2015-01454311.嵌段共聚物，包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。2.如权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段具有不同的溶解度参数；且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段中的具有卤素取代的结构的一个具有较小的溶解度参数。3.如权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一聚合物嵌段包括得自丙烯酸酯的重复单元；且所述第二聚合物嵌段包括得自如下的苯乙烯或苯乙烯的衍生物的重复单元：其具有在苯乙烯的α位处的氢原子的至少一个和在苯乙烯的衍生物的α位处的取代基中的氢原子的至少一个被卤素原子代替。4.嵌段共聚物，包括：具有第一溶解度参数的第一聚合物嵌段；和具有小于所述第一溶解度参数的第二溶解度参数的第二聚合物嵌段，所述第二聚合物嵌段包括卤素取代的结构。5.如权利要求1或4所述的嵌段共聚物，其中所述第一聚合物嵌段包括得自丙烯酸酯的重复单元；且所述第二聚合物嵌段包括包含卤素取代的芳族基团的重复单元。6.如权利要求1或4所述的嵌段共聚物，其中所述嵌段共聚物包括以下式(1)的结构：式(1)其中X1为卤素原子，p为1-5的整数，R1和R2各自为如下之一：氢原子、C1-C5直链或支化烷基、和C1-C5卤代烷基，且m/(m+n)＝0.6-0.8。7.如权利要求4所述的嵌段共聚物，其中所述嵌段共聚物包括以下式(3)的结构：式(3)其中X1为卤素原子，p为1-5的整数，R1和R2各自为如下之一：氢原子、C1-C5直链或支化烷基、和C1-C5卤代烷基，R5为由-S-(C＝S)-R'表示的含硫官能团，其中R'为如下之一：取代或未取代的C1-C25烷基、取代或未取代的C2-C25烯基、取代或未取代的C2-C25炔基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苄基、取代或未取代的C1-C25烷硫基、取代或未取代的C1-C25烷氧基、取代或未取代的C1-C25烷基氨基、或取代或未取代的C6-C10芳基，R6为氢原子、卤素原子、取代或未取代的C1-C25烷基、取代或未取代的C1-C25烷硫基、取代或未取代的C6-C10芳基、取代或未取代的C6-C25芳氧基羰基、羧基、取代或未取代的C1-C25酰氧基、取代或未取代的C1-C25氨基甲酰基、或氰基，且m/(m+n)＝0.6-0.8。8.如权利要求4所述的嵌段共聚物，其中所述嵌段共聚物包括以下式(5)的结构：式(5)其中X1和X3各自为卤素原子，p和r各自为1-5的整数，R1、R2、R7和R8各自为如下之一：氢原子、C1-C5直链或支化烷基、或C1-C5卤代烷基，且R5为由-S-(C＝S)-R'表示的含硫官能团，其中R'为取代或未取代的C1-C25烷基、取代或未取代的C2-C25烯基、取代或未取代的C2-C25炔基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苄基、取代或未取代的C1-C25烷硫基、取代或未取代的C1-C25烷氧基、取代或未取代的C1-C25烷基氨基、或取代或未取代的C6-C10芳基，R6为氢原子、卤素原子、取代或未取代的C1-C25烷基、取代或未取代的C1-C25烷硫基、取代或未取代的C6-C10芳基、取代或未取代的C6-C25芳氧基羰基、羧基、取代或未取代的C1-C25酰氧基、取代或未取代的C1-C25氨基甲酰基、或氰基，1/(1+m+n)＝0.6-0.8，m/(1+m+n)＝0.01-0.15，和x/(x+y)＝0.2-0.8。9.嵌段共聚物，包括：包括聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚(环氧乙烷)(PEO)、聚(乳酸)(PLA)和聚异戊二烯(PI)的至少一种的第一聚合物嵌段；和包括卤素取代的苯乙烯的第二聚合物嵌段。10.如权利要求9所述的嵌段共聚物，其中所述第一聚合物嵌段为PMMA；且所述第二聚合物嵌段为聚(氟化苯乙烯)(PFS)。11.如权利要求9所述的嵌段共聚物，其中所述第二聚合物嵌段具有比所述第一聚合物嵌段小的溶解度参数。12.如权利要求1、4或9所述的嵌段共聚物，进一步包括：连接所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段的无规嵌段共聚物，所述无规嵌段共聚物具有无规共聚的至少两种重复单元。13.如权利要求12所述的嵌段共聚物，其中所述无规嵌段共聚物由以下式(4)表示：式(4)其中X3为卤素原子，r为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：权承哲，朴贞珠，李时镛，金垠成，李京美，方畯昰，禹尚勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，高丽大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR