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本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。...
该专利属于三星电子株式会社;高丽大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;高丽大学校产学协力团授权不得商用。

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