MIM电容器及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器及其形成方法。该方法包括：在半导体衬底上形成第一金属板，在第一金属板的表面上形成具有第一介电常数的第一介电层，在第一介电层的表面上形成具有第二介电常数的第二介电层，在第二介电层的表面上形成具有第三介电常数的第三介电层，以及在第三介电层的表面上形成第二金属板。第二介电常数不同于第一介电常数并且不同于第三介电常数。

【技术实现步骤摘要】
MIM电容器及其形成方法
本专利技术的实施例涉及MIM电容器及其形成方法。
技术介绍
集成芯片包括数百万或数十亿的晶体管器件，其配置为充当开关和/或以产生功率增益，以确保用于集成芯片的逻辑功能(例如，形成配置为实施逻辑功能的处理器)。集成芯片通常还包括诸如电容器、电阻器、电感器、变容二极管等的无源器件。无源器件广泛地用于控制集成芯片特性(例如，增益、时间常数等)并提供具有宽范围的不同功能的集成芯片(例如，在同一管芯上制造模拟和数字电路)。MIM(金属-绝缘体-金属)电容器是一种特定类型的电容器，其具有被绝缘材料分隔开的顶金属板和底金属板，其通常集成到集成电路的后段制程金属互连层中。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法，包括：在半导体衬底上方形成第一金属板；在所述第一金属板上形成具有第一介电常数的第一介电层；在所述第一介电层上形成具有第二介电常数的第二介电层；在所述第二介电层上形成具有第三介电常数的第三介电层；在所述第三介电层上形成第二金属板；其中，所述第二介电常数不同于所述第一介电常数和所述第三介电常数。本专利技术的另一实施例提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法，包括：在半导体衬底上方形成第一金属板；在所述第一金属板上形成具有第一介电常数的第一介电层；在所述第一介电层上形成具有第二介电常数的第二介电层；在所述第二介电层上形成具有第三介电常数的第三介电层；在所述第三介电层上形成第二金属板；其中，所述第二介电常数不同于所述第一介电常数和所述第三介电常数。

【技术特征摘要】
2016.01.14 US 62/278,685;2016.04.25 US 15/137,5531.一种形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法，包括：在半导体衬底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：林杏莲，金海光，蔡正原，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71