一种阵列基板的制作方法及阵列基板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，包括第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，第一数据线与第二数据线位于扫描线两端，且互不连接；第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线。本发明专利技术的阵列基板的制作方法及阵列基板，通过在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线，且在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线，从而简化了工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制作方法及阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
技术介绍
现在开发的自容内嵌式(IncellTouch)触控技术是将有效显示区的公共电极分成小区块作为触控电极。每个触控电极都有连接触控芯片的触控信号线以接收触控信号。参阅图1，图1为现有的阵列基板的结构示意图，如图1所示，在现有的阵列基板制程中，在基板101上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道102。在有源层上依次生长第一绝缘层103和第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极104和扫描线105。在第一金属层上生长第二绝缘层106，随后在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极107和漏极108，以及数据线109，接着在第二金属层上依次生长有机平坦化层110和第三金属层，以形成触控信号线111。在第三金属层上依次生长第三绝缘层112和第四金属层，以形成触控电极113。在第四金属层上生长第四绝缘层114和第五金属层，以形成像素电极115。其中，像素115电极通过第一过孔116与薄膜晶体管的漏极108连接，触控电极113通过第二过孔117与触控信号线111连接。由此可见，为了制作触控信号线111，在制作阵列基板时，新增一道金属制程，及第三金属层，其增加了产品的制作成本并且会降低产品的良率。故，有必要提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，能够简化工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。本专利技术提供一种阵列基板的制作方法，包括：基板；在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；在所述有源层上生长第一绝缘层；在所述第一绝缘层上生长第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；在所述第一金属层上生长第二绝缘层；在所述第二绝缘层上生长第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；在所述第二金属层上生长有机平坦化层；在所述有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；在所述第三金属层上生长第三绝缘层；在所述第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，所述第二绝缘层上设有第一通孔和第二通孔，所述连接线通过所述第一通孔与所述第一数据线连接，所述连接线通过所述第二通孔与所述第二数据线连接。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，所述薄膜晶体管的源极通过第三通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的一端连接，所述薄膜晶体管的漏极通过第四通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的另一端连接。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，所述第三通孔以及所述第四通孔均贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，所述像素电极通过第五通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，所述第五通孔均贯穿所述第三绝缘层、所述第三金属层以及所述有机平坦化层。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，所述触控电极通过第六通孔与所述触控信号线连接。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，所述第六通孔贯穿所述有机平坦化层。在本专利技术的阵列基板的制作方法中，在所述在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道的步骤之前，还包括：在所述基板上依次形成遮光层以及第四绝缘层。依据本专利技术的上述目的，还提供一种阵列基板，包括：基板；在所述基板上的有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；在所述有源层上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；在所述第一金属层上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；在所述第二金属层上的有机平坦化层；在所述有机平坦化层上的第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；在所述第三金属层上的第三绝缘层；在所述第三绝缘层上的第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。本专利技术的阵列基板的制作方法及阵列基板，通过在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线，且在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线，从而简化了工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为现有的阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术优选实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤流程示意图；图3为本专利技术优选实施例的阵列基板的制作方法制成的阵列基板结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参阅图2，图2为本专利技术优选实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤流程示意图。如图1所示，本优选实施例的阵列基板的制作方法，包括以下步骤：步骤S101，在基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道。步骤S102，在有源层上生长第一绝缘层。步骤S103，在第一绝缘层上生长第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，第一数据线与第二数据线位于扫描线两端，且互不连接。步骤S104，在第一金属层上生长第二绝缘层。步骤S105，在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，连接线用于连接第一数据线与第二数据线。步骤S106，在第二金属层上生长有机平坦化层。步骤S107，在有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，触控电极与触控信号线连接。步骤S108，在第三金属层上生长第三绝缘层。步骤S109，在第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，像素电极与薄膜晶体管的漏极连接。特别地，本优选实施例的阵列基板的制作方法中，为了防止阵列基板的显示区中的薄膜晶体管器件漏电，一般会在薄膜晶体管的导电沟道的下方设置一遮光层，其中，该遮光层采用的材料为金属。因而，在采用本专利技术的阵列基板的制作方法时，上述步骤S102之前，还包括：在基板上依次形成遮光层以及第四绝缘层。其中，第四绝缘层用于阻隔遮光层与有源层，使得导电沟道与遮光层阻隔开。具体地，以下对本优选实施例的阵列基板的制作方法形成的阵列基板的结构进行详细描述。参阅图3，图3为本专利技术优选实施例的阵列基板的制作方法制成的阵列基板结构示意图。如图3所示，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：基板；在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；在所述有源层上生长第一绝缘层；在所述第一绝缘层上生长第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；在所述第一金属层上生长第二绝缘层；在所述第二绝缘层上生长第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；在所述第二金属层上生长有机平坦化层；在所述有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；在所述第三金属层上生长第三绝缘层；在所述第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：基板；在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；在所述有源层上生长第一绝缘层；在所述第一绝缘层上生长第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线以及第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；在所述第一金属层上生长第二绝缘层；在所述第二绝缘层上生长第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；在所述第二金属层上生长有机平坦化层；在所述有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；在所述第三金属层上生长第三绝缘层；在所述第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层上设有第一通孔和第二通孔，所述连接线通过所述第一通孔与所述第一数据线连接，所述连接线通过所述第二通孔与所述第二数据线连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极通过第三通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的一端连接，所述薄膜晶体管的漏极通过第四通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的另一端连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第三通孔以及所述第四通孔均贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。5.根据权利要求1所述的阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪光辉，龚强，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42