陶瓷电子部件制造技术

本发明专利技术涉及一种陶瓷电子部件，其具有电介质层以及电极层。电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于多个陶瓷颗粒之间的晶界相。陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡。晶界相的平均厚度为1.0nm以上并且晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子部件
本专利技术涉及陶瓷电子部件。
技术介绍
陶瓷电子部件作为小型、高性能以及高可靠性的电子部件被广泛利用，在电气设备以及电子设备中被使用的个数也上升为多数。近年来，伴随于电气设备以及电子设备的小型化以及高性能化，对于陶瓷电子部件的小型化、高性能化以及高可靠性化的要求变得越来越严苛。相对于如此要求，在专利文献1中公开有一种层叠陶瓷电容器，其通过将钛酸钡的原料粉末的BET值和电介质陶瓷组合物的原料粉末的BET值设定为特定的关系，从而得到绝缘击穿电压等可靠性的提高。然而，现在要求进一步提高高温负荷寿命。进一步，要求高温负荷寿命的偏差也小。现有专利文献专利文献专利文献1：日本特开2006-290675号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的实际情况而完成的专利技术，目的在于实现高温负荷寿命的提高以及高温负荷寿命的偏差的降低，并且提供一种可靠性高的陶瓷电子部件。解决技术问题的手段本专利技术人为了解决上述技术问题而进行了探讨，其结果着眼于存在于陶瓷电子部件的电介质层中的多个陶瓷颗粒之间的晶界相的厚度。于是，发现通过将晶界相的平均厚度以及晶界相的厚度偏差σ设定为特定的范围内从而就能够提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电子部件，其特征在于：是一种具有电介质层以及电极层的陶瓷电子部件，所述电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于所述多个陶瓷颗粒之间的晶界相，所述陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡，所述晶界相的平均厚度为1.0nm以上，并且所述晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。

【技术特征摘要】
2015.12.28 JP 2015-2573741.一种陶瓷电子部件，其特征在于：是一种具有电介质层以及电极层的陶瓷电子部件，所述电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于所述多个陶瓷颗粒之间的晶界相，所述陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡，所述晶界相的平均厚度为1.0nm以上，并且所述晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于：所述电介质层含有钛酸钡、钇、镁、铬、钒、钙以及硅，在将所述钛酸钡的含量以BaTiO3进行换算并将其设定为100摩尔份的情况下，所述钇的含量以Y2O3进行换算为1.0～1.5摩尔份，所述镁的含量以MgO进行换算为1.8～2.5摩尔份，所述铬的含量以Cr2O3进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤雅之，今野阳介，由利俊一，伊藤康裕，小田嶋努，加纳裕士，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP