电介质组合物以及电子元件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种即使是在以高频(2GHz)进行使用的情况下相对介电常数也高且介电损耗小即Q值高而且绝缘破坏电压高的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。本发明专利技术所涉及的电介质组合物的特征在于：作为主成分含有由化学式A

【技术实现步骤摘要】
电介质组合物以及电子元件
本专利技术涉及电介质组合物以及电子元件。
技术介绍
为了对应于以智能手机或平板电脑为代表的移动体通信设备的更一步高速大容量通信化而开始了同时使用多个频带的MIMO技术(Multi-InputMulti-Output)的实用化。如果使用于通信的频带有所增加的话则各个高频元件在每一个频带上成为必要，但是对于就这样维持设备的尺寸并增加元件个数来说要求各个元件被进一步小型化以及高功能化。作为像这样的高频对应的电子元件例如有同向双工器(天线分离滤波器)(diplexer)和带通滤波器(band-passfilter)等。这些是由无论哪个都由担当着电容器的电介质与担当着电感器的磁性体的组合所构成，但是为了获得良好的高频特性而要求抑制在高频带上的各个损耗。如果着眼于电介质的话则要求下述各项目等：(1)对应于小型化的要求为了减小电容器部的面积而要提高相对介电常数(εr)；(2)为了良好地做到频率的选择性而要降低介电损耗即要提高Q值；(3)绝缘破坏电压要高。例如，一般来说非晶SiNx膜因为其在高频(2GHz)条件下的Q值高到大约500左右并且绝缘破坏电压也高到大约500～70本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电介质组合物，其特征在于：作为主成分含有由化学式A

【技术特征摘要】
2015.10.06 JP 2015-1986671.一种电介质组合物，其特征在于：作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足：α+β+γ＝1.0000.000＜α≤0.3750.625≤β＜1.0000.000≤γ≤0.375其中，A为Ba元素，B为选自Ca或Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或Nb中的至少一种元素。2.如权利要求1所述的电介质组合物，其特征在于：作为主成分含有由所述化学式表示的复合氧化物，所述化学式中，α、β、γ的关系满足：α+β+γ＝1.0000.000＜α≤0.3750.625≤β＜1.0000.000＜γ≤0.375。3.如权利要求1所述的电介质组合物，其特征在于：作为主成分含有由所述化学式表示的复合氧化物，所述化学式中，α、β、γ的关系满足：α+β+γ＝1.0000.100≤α≤0.3750....

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井祥平，政冈雷太郎，内山弘基，城川真生子，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP