一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉区，或者所述增益区的一部分构成多模干涉区。本实用新型专利技术提出的锁模半导体激光器能得到高功率的超短脉冲，且制作简单，利于光学集成。

【技术实现步骤摘要】
一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器
本技术涉及一种半导体发光器件，具体涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器。
技术介绍
锁模半导体激光器(MLLD)由于具有稳定性好，可靠性高，价格低廉，并且能在很宽的波长范围内提供功率适中的亚皮秒脉冲等优点，因此在光通讯、高速模数转换器、光运算、光互联、电光采样等领域中取得重要的应用。然而锁模半导体激光器的一个主要局限性在于其相对较低的出光功率，致使其无法应用于如染料激光器和固体激光器等大型台式激光系统中。一般锁模半导体激光器的出光功率在几十毫瓦左右。外加空间滤波器、采用阵列结构、后置放大等方法已经证明能有效提高锁模激光器的出光功率，且保持单横模输出。楔形波导结构如楔形增益区，通过增加有源区的增益面积，使单横模的窄区域变成宽的多模区域，从而获得较高的输出功率，又以窄波导区作为饱和吸收区，在压缩脉宽的同时还充当模式过滤器的作用，抑制高阶模式波产生激射。采用楔形波导结构的锁模半导体激光器能得到几百毫瓦的亚皮秒脉冲。因此，增大有源区模式传导的增益面积，能有效提高锁模半导体激光器的出光功率。
技术实现思路
为了得到高功率、窄脉宽的超短脉冲，本技术提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，其特征在于，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，其中，所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉结构，或者所述增益区的一部分构成多模干涉结构。

【技术特征摘要】
1.一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，其特征在于，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，其中，所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉结构，或者所述增益区的一部分构成多模干涉结构。2.根据权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述增益区的总长度大于饱和吸收区的总长度。3.根据权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述多模干涉区的长度为多模波导输出截面得到单一成像的最短耦合长度。4.根据权利要求1-3中任一项所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述增益区包括第一长条形以及从第一长条形的长度方向的第一端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第二长条形，第二长条形相对于该轴线对称，第二长条形的宽度小于第一长条形的宽度；所述饱和吸收区包括第三长条形以及从第三长条形的长度方向的第一端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第四长条形，第四长条形相对于该轴线对称；所述电隔离区一侧的表面与增益区的第一长条形的远离第一端面的第二端面接触，相对的另一侧的表面与饱和吸收区的第三长条形的远离第一端面的第二端面接触；所述增益区的第一长条形、所述电隔离区和所述饱和吸收区的第三长条形一起构成所述多模干涉区。5.根据权利要求1-3中任一项所述的锁模半导体激光器，其特征在于，所述增益区包括第一长条形、从第一长条形的长度方向的第一端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第二长条形以及从第一长条形的长度方向的第二端面沿其长度方向的轴线延伸出的位于该轴线上的第三长条形，第二长条形和第三长条形均相对于该轴线对称，第二端面与第一端面相对；第二长条形和第三长条形的宽度相等；饱...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐玉兰，林琦，林中晞，王凌华，苏辉，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：新型
国别省市：福建,35