一种三维电场调制低漏电终端保护结构制造技术

本发明专利技术公开了一种三维电场调制低漏电终端保护结构，包括有源区、器件隔离区，以及位于所述有源区和器件隔离区之间的终端保护区，所述终端保护区具有多个多边形注入区；所述多边形注入区的各边与有源区主结形成一夹角，使得终端保护区的电场与有源区主结形成的夹角不等于90°，降低垂直于有源区部分的电场分量。在本发明专利技术中，注入区各个边与有源区主结夹角来将终端保护区电场调整到不与主结垂直的方向上。即引入其他方向电场分量降低了垂直于有源区方向的电场分量，进而降低了终端保护区的漏电。

【技术实现步骤摘要】
一种三维电场调制低漏电终端保护结构
本专利技术涉及半导体器件技术，尤其是一种三维电场调制低漏电终端保护结构一种三维电场调制低漏电终端保护结构。
技术介绍
SiC材料禁带宽度大、击穿电场高、饱和漂移速度和热导率大，这些材料优越性能使其成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想材料。碳化硅的优势在于制作高压器件，因此为了充分发挥其材料优势必须尽可能的提高终端保护效率，降低器件漏电。到目前为止终端保护有多种，包括浮空场限环、结终端、场板、台面等。仿真结果证明理论上各类终端保护的总长度大于漂移层厚度就可以实现预期的终端保护效率。申请人研究分析现有各种技术之后发现：由于在实际器件加工中存在材料、界面及钝化层缺陷造成的表面钝化能力不足，为了达到较高的终端保护效率就需要延长终端保护区长度，这就降低了晶圆表面的利用率，提高了器件加工的成本。
技术实现思路
专利技术目的：提供一种三维电场调制低漏电终端保护结构，以解决现有技术存在的上述问题。技术方案：一种三维电场调制低漏电终端保护结构，包括有源区、器件隔离区，以及位于所述有源区和器件隔离区之间的终端保护区，所述终端保护区具有多个多边形注入区；所述多边形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，包括有源区、器件隔离区，以及位于所述有源区和器件隔离区之间的终端保护区，所述终端保护区具有多个多边形注入区；所述多边形注入区的各边与有源区主结形成一夹角，使得终端保护区的电场与有源区主结形成的夹角不等于90°，降低垂直于有源区部分的电场分量。

【技术特征摘要】
1.一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，包括有源区、器件隔离区，以及位于所述有源区和器件隔离区之间的终端保护区，所述终端保护区具有多个多边形注入区；所述多边形注入区的各边与有源区主结形成一夹角，使得终端保护区的电场与有源区主结形成的夹角不等于90°，降低垂直于有源区部分的电场分量。2.如权利要求1所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区为三角形、六边形或菱形注入区。3.如权利要求1所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区成纵横排列。4.如权利要求1所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述终端保护区的掺杂为第一导电类型，所述多边形注入区的掺杂为第二导电类型。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄润华，柏松，陶永洪，汪玲，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32