一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法技术

本申请提供的一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法，用以将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现手势识别和/或指纹识别，从而增加了阵列基板的使用附加值。本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括：超声波发射传感器，在所述超声波发射传感器之上的玻璃基板，在所述玻璃基板之上的薄膜晶体管TFT像素电路层，在所述TFT像素电路层之上与所述TFT像素电路层电连接的超声波接收传感器；其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法。
技术介绍
现有技术中，采用硅基超声波换能器微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)阵列来收发超声波，探测手势位置，进行手势识别。显示装置集成手势识别是基于硅基MEMS阵列和互补金属氧化物半导体集成电路(ComplementaryMetalOxideSemiconductorIntegratedCircuit，CMOSIC)的模组集成。综上所述，现有技术中实现手势识别的功能模块完全外置，没有与显示屏集成。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法，用以将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现手势识别和/或指纹识别，从而增加了阵列基板的使用附加值。本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括：超声波发射传感器，在所述超声波发射传感器之上的玻璃基板，在所述玻璃基板之上的薄膜晶体管TFT像素电路层，在所述TFT像素电路层之上与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：超声波发射传感器，在所述超声波发射传感器之上的玻璃基板，在所述玻璃基板之上的薄膜晶体管TFT像素电路层，在所述TFT像素电路层之上与所述TFT像素电路层电连接的超声波接收传感器；其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：超声波发射传感器，在所述超声波发射传感器之上的玻璃基板，在所述玻璃基板之上的薄膜晶体管TFT像素电路层，在所述TFT像素电路层之上与所述TFT像素电路层电连接的超声波接收传感器；其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述超声波发射传感器包括：第一驱动电极层，在第一驱动电极层之上的第一压电层，在所述第一压电层之上的第二驱动电极层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一压电层在显示区和非显示区的材料相同，所述第一压电层在显示区的厚度小于所述第一压电层在非显示区的厚度。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一压电层在显示区和非显示区的厚度相同，所述第一压电层在显示区的材料的频率常数大于所述第一压电层在非显示区的材料的频率常数。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一驱动电极层和所述第二驱动电极层包括相互平行设置的多个条状驱动电极。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一驱动电极层和所述第二驱动电极层为面状驱动电极。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述超声波接收传感器包括：第一感应电极层，在所述第一感应电极层之上的第二压电层，在所述第二压电层之上的第二感应电极层。8.根据权利要求2或7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一压电层与所述第二压电层的材料及厚度相...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩艳玲，董学，王海生，吴俊纬，丁小梁，刘英明，郭玉珍，郑智仁，李昌峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11