介电组合物及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器制造技术

提供一种介电组合物及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器。所述介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，且主要成分由(Ba

Dielectric composition and multilayer ceramic capacitor comprising the dielectric composition

A dielectric composition and a multilayer ceramic capacitor including the dielectric composition are provided. The dielectric composition comprises an oxide of Ba and Ti as the main component, and the main component consists of (Ba

【技术实现步骤摘要】
介电组合物及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器本申请要求于2015年12月28日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0187166号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种能够满足X5R温度特性、X7R温度特性和X8R温度特性以改善可靠性的新的介电组合物以及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器。
技术介绍
近来，由于显示装置的尺寸的增加、计算机的中央处理器(CPU)的速度的增加等，发热已经成为电子装置的重要问题。因此，能够在高温下确保稳定的电容和可靠性以稳定操作集成电路(IC)的X5R(工作温度：-55℃-+85℃)多层陶瓷电容器、X7R(工作温度：-55℃-+125℃)多层陶瓷电容器以及X8R(工作温度：-55℃-+150℃)多层陶瓷电容器的市场需求已增加。另外，根据近期的电子产品总体朝向小型化、重量变轻以及多功能的趋势，具有紧凑尺寸、高电容和耐高压的多层陶瓷电容器(MLCC)已得到连续不断地需求。因此，除了介电层的纤薄之外，优异的耐受电压和DC特性已被认为是开发X5R、X7R和X8R多层陶瓷电容器中的重要特征。介电层的纤薄和耐高压特性增加了施加的电场的强度，并可使其DC特性和耐电压特性劣化。具体地，由于介电层的纤薄而导致的精细的结构缺陷可对诸如击穿电压(BDV)的耐受电压特性、高温绝缘电阻(IR)等有严重的负面影响。
技术实现思路
本公开的一方面提供一种能够改善X5R温度特性、X7R温度特性、X8R温度特性和可靠性的新的介电组合物以及包含该介电组合物的多层陶瓷电容器。根据本公开的一方面，一种介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，其中，所述主要成分由(Ba1-x(Na,Ca)x)TiO3表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba1-x(Na,Ca)x)/Ti<1.003。根据本公开的另一方面，采用如上所述的介电组合物实现一种多层陶瓷电容器，从而可改善介电特性、耐受电压特性等。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电容器包含陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在所述陶瓷主体中。所述介电层包含含有作为主要成分的Ba和Ti的氧化物的介电组合物，且所述主要成分由(Ba1-x(Na,Ca)x)TiO3表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba1-x(Na,Ca)x)/Ti<1.003。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将会被更清楚地理解，其中：图1是示意性地示出当BaTiO3中的Ba被Ca或Na取代时的晶格结构变化的视图；图2是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；图3是示出沿着图2的线I-I’截取的多层陶瓷电容器的剖视图。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本专利技术构思的实施例。然而，本专利技术构思可按照多种不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。确切地说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并且将把本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其他元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可以不存在介于它们之间的其它元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括所列出的相关项的一项或更多项的任意和全部组合。将明显的是，虽然“第一”、“第二”、“第三”等的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面论述的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。为了方便描述，在这里可使用诸如“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等的空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件与其他元件的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除了在附图中所描绘的方位之外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在另一元件或特征“之上”或“上方”的元件随后将定位为在其他元件或特征“之下”或“下方”。因此，术语“在…之上”可根据附图的特定方向而包括“在…之上”和“在…之下”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其他方位)，并可对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。在此使用的术语仅用于描述特定的实施例，而不意图限制本专利技术构思。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，列举存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。在下文中，将参照示出本专利技术构思的实施例的示意性示图描述本专利技术构思的实施例。在附图中，例如，由于生产技术和/或公差，可估计所示出的形状的修改。因此，本专利技术构思的实施例不应被理解为局限于在此示出的区域的特定形状，例如，不限于包括制造导致的形状的改变。以下的实施例还可由一个或它们的组合而构成。以下描述的本专利技术构思的内容可具有各种构造，且仅在此提出了需要的构造，但不限于此。本公开涉及一种介电组合物和包含该介电组合物的电子组件。包含该介电组合物的电子组件的示例包括电容器、电感器、压电元件、压敏电阻器、热敏电阻器等。在下文中，将描述介电组合物和作为电子组件的示例的多层陶瓷电容器。介电组合物根据本公开的示例性实施例的介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，其中，主要成分由组成式(Ba1-x(Na,Ca)x)TiO3表示，其中Ba被Na或Ca部分地取代，且满足0.005≤x≤0.035以及0.994<(Ba1-x(Na,Ca)x)/Ti<1.003。满足上述条件的介电组合物可满足电子工业协会(EIA)标准的X5R(工作温度：-55℃-+85℃)特性、X7R(工作温度：-55℃-+125℃)特性和X8R(工作温度：-55℃-+150℃)特性。更详细地，根据示例性实施例，可提供能够使用镍(Ni)作为内电极且在镍(Ni)不被氧化的还原气氛下以1300℃或更低的温度烧结的介电组合物。此外，本公开可提供采用介电组合物的多层陶瓷电容器，从而可满足温度特性，且可实现优异的可靠性。在下文中，将详细地描述根据示例性实施例的介电组合物中的各个成分。a)主要成分在根据示例性实施例的介电组合物中，主要成分为Ba和Ti的氧化物。详细地，主要的成分可由组成式(Ba1-x(Na,Ca)x)TiO3表示，其中，Ba被Na或Ca部分地取代，且满足0.005≤x≤0.035以及0.994<(Ba1-x(Na,Ca)x)/Ti<1.003。根据多层陶瓷电容器(MLCC)的代表性退化模型的还原模型(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介电组合物，所述介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，其中，所述主要成分由(Ba

【技术特征摘要】
2015.12.28 KR 10-2015-01871661.一种介电组合物，所述介电组合物包含作为主要成分的Ba和Ti的氧化物，其中，所述主要成分由(Ba1-x(Na,Ca)x)TiO3表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba1-x(Na,Ca)x)/Ti<1.003。2.根据权利要求1所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第一辅助成分，其中，所述第一辅助成分为Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物或碳酸盐。3.根据权利要求2所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第二辅助成分，其中，所述第二辅助成分为Mg和Al中的至少一种的氧化物或碳酸盐。4.根据权利要求3所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第三辅助成分，其中，所述第三辅助成分为Ce、Nb、La和Sb中的至少一种的氧化物或碳酸盐。5.根据权利要求4所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第四辅助成分，其中，所述第四辅助成分为Si、Ba、Ca和Al中的至少一种的氧化物或碳酸盐。6.根据权利要求4所述的介电组合物，所述介电组合物基于100mol％的主要成分还包括0.1mol％至1.0mol％的第四辅助成分，其中，所述第四辅助成分为包含Si的玻璃复合物。7.一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括陶瓷主体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宰成，金珍成，金斗永，金昶勋，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR