静态随机存取记忆体阵列制造技术

一种静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)阵列的列包括第一子阵列及第二子阵列。第一子阵列包括第一多个SRAM单元。第二子阵列包括第二多个SRAM单元。第一多个SRAM单元及第二多个SRAM单元的每一者包括第一至第四源极主动区，其形成多个晶体管的源极区。SRAM阵列的列包括第一位线，其由第一多个SRAM单元的第三源极主动区形成；第二位线，其由第二多个SRAM单元的第三源极主动区形成且与第一位线间隔开；以及第三位线，其由在第一多个SRAM单元及第二多个SRAM单元的第三源极主动区上延伸的金属层形成且电性连接至第二位线但不电性连接至第一位线。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取记忆体阵列
本揭示内容实施例是关于静态随机存取记忆体(SRAM)阵列布局，且更特定言之是关于具有改良位线架构的SRAM阵列布局。
技术介绍
因为追求更高装置密度、更高性能、更低电力消耗及更低成本半导体工业已发展至纳米技术制程节点，来自制造及设计问题两者的挑战已促成发展三维设计，诸如鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor；FinFET)。在FinFET装置中，可使用额外侧壁并抑制短通道效应。另一候选设计为全包覆式栅极(gate-all-around；GAA)装置。虽然FinFET装置具有不受栅极控制的鳍式底部部分，然在GAA装置中，通道层的所有表面将受到栅极控制。GAA装置，诸如GAAMOSFET(或MISFET)装置，包括非常狭窄的圆柱形通道主体。特定言之，具有在垂直方向(亦即，垂直于基板)延伸的通道的垂直GAA装置是有希望候选用于低电力SRAM应用的装置。在本揭示内容中，提供使用具小面积单位单元(unitcell)的VGAA装置的SRAM的新型布局结构及配置。
技术实现思路
根据本揭示内容的一方面，静态随机存取记忆体(SRAM)阵列包括第一子阵列及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取记忆体(SRAM)阵列，其特征在于，包括：一第一子阵列，包含第一多个SRAM单元；及一第二子阵列，包含第二多个SRAM单元，其中在SRAM阵列的一个列中排列该第一多个SRAM单元及该第二多个SRAM单元，该第一多个SRAM单元及该第二多个SRAM单元的每一者包括形成晶体管的源极区的第一至第四源极主动区，且该SRAM阵列的该一个列包括：一第一位线，由该第一多个SRAM单元的第三源极主动区形成；一第二位线，由该第二多个SRAM单元的第三源极主动区形成且该第二位线与该第一位线间隔开；以及一第三位线，由该第一多个SRAM单元及该第二多个SRAM单元的所述第三源极主动区上延伸的一金属层形...

【技术特征摘要】
2015.12.18 US 14/974,9131.一种静态随机存取记忆体(SRAM)阵列，其特征在于，包括：一第一子阵列，包含第一多个SRAM单元；及一第二子阵列，包含第二多个SRAM单元，其中在SRAM阵列的一个列中排列该第一多个SRAM单元及该第二多个SRAM单元，该第一多个SRAM单元及该第二多个SRAM单元的每一者包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71