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一种静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)阵列的列包括第一子阵列及第二子阵列。第一子阵列包括第一多个SRAM单元。第二子阵列包括第二多个SRAM单元。第一多个SRAM单元及第二多个SRAM单元...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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