用于芯片封装的电极以及使用该电极的芯片封装结构制造技术

提供了一种用于芯片封装的电极，该电极包括基体，该基体的膨胀系数的范围为0‑12×10

Electrode for chip package and chip packaging structure using the electrode

An electrode for chip package is provided comprising the electrode substrate, the substrate range expansion coefficient is 0 12 x 10

【技术实现步骤摘要】
用于芯片封装的电极以及使用该电极的芯片封装结构
本专利技术涉及封装电极，特别是用于芯片封装的电极以及使用该电极的芯片封装结构。
技术介绍
在功率芯片在应用时一方面需要良好的散热，另一方面在温度上升及下降循环或冲击等热疲劳试验时由于散热电极的热膨胀系数与芯片不匹配时将会使得芯片产生开裂而失效。传统的芯片封装在芯片的两边焊接有两个铜电极，整体再采用陶瓷或塑封而成。由于铜的散热及导电均较好，但其热膨胀系数较高，在温度循环(-40℃-85℃)或冲击等疲劳测试时很容易将芯片拉扯开裂。采用铜作为电极其散热与温度循环或冲击等热疲劳性能不能够兼容。因此，需要开发一种芯片封装电极，防止在温度循环过程中芯片损伤而失效。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于芯片封装的电极，以解决芯片在温度循环或冲击等热疲劳试验过程中被电极拉扯导致损伤的问题。为实现以上目的，本专利技术提供一种用于芯片封装的电极，该电极包括基体，该基体的膨胀系数的范围为0-12×10-6/℃并且该基体的材料为：石墨、钨和金属化非导电材料中的一种；或石墨、钨和非导电材料中的一种或一种以上与第一导电材料形成的复合材料。进一步，该第一导电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于芯片封装的电极，该电极包括基体，该基体的膨胀系数的范围为0‑12×10

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装的电极，该电极包括基体，该基体的膨胀系数的范围为0-12×10-6/℃并且该基体的材料为：石墨、钨和金属化非导电材料中的一种；或石墨、钨和非导电材料中的一种或一种以上与第一导电材料形成的复合材料。2.如权利要求1所述的电极，其特征在于该第一导电材料为热导为60-600W/m﹒k的金属或金属复合材料。3.如权利要求2所述的电极，其特征在于该第一导电材料为铜、铝或银，或者为含有铜、铝或银的合金。4.如权利要求1所述的电极，其特征在于该非导电材料为AlN、BeO、Al2O3或SiC。5.如权利要求1所述的电极，其特征在于，该电极还包括覆盖该基体的外表面的至少一部分的金属层。6.如权利要求5所述的电极，其特征在于该金属层的材料为铜、银、金、铂、钯、铝、钼、锰或镍中的一种或多种，或其中的一种或多种与其他材料形成的复合材料。7.如权利要求1所述的电极，其特征在于，该基体具有多孔连孔结构，该电极还包括填充于该基体中的孔中的第二导电材料。8.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：付猛，
申请(专利权)人：东莞市阿甘半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44