本发明公开了一种直流电源保护电路及电子设备，该第一保护支路包括串联的半导体放电管和瞬态抑制二极管，第一直流线路接入正极电压，第二直流线路接入负极电压；第一直流线路和第二直流线路之间的正向电压大于第一预设电压时，瞬态抑制二极管和半导体放电...

本发明实施例公开了一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。其中，该交流电源浪涌保护装置包括：第一保护支路，该第一保护支路包括双向半导体放电管和开路失效型器件，双向半导体放电管和开路失效型器件串联连接于第一保护支路中，第一保护支路的第一端与第...

本发明实施例公开了一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。其中，该交流电源浪涌保护装置包括：第一保护支路，第一保护支路串接有至少一个双向半导体放电管，第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接，第一保...

本实用新型公开了一种电源防护电路及电子设备。该电源防护电路包括：保护电路和告警电路。保护电路包括限压型保护器件和开关型保护器件，限压型保护器件的第一端与第一电源线路电连接，限压型保护器件的第二端与开关型保护器件的第一端电连接，开关型保护...

本实用新型公开一种气体放电管及过电压保护装置，该气体放电管包括至少一绝缘体、至少两个电极组件和至少一电极冷却物，绝缘体设有通孔，至少两个电极组件相对的表面形成放电面，绝缘体和至少两个电极组件共同围合形成一放电内腔，通孔与放电内腔连通，通...

本实用新型公开了一种直流电源保护电路及电子设备，该第一保护支路包括串联的半导体放电管和瞬态抑制二极管，第一直流线路接入正极电压，第二直流线路接入负极电压；第一直流线路和第二直流线路之间的正向电压大于第一预设电压时，瞬态抑制二极管和半导体...

本实用新型公开了一种气体放电管，包括：端电极、绝缘管体、放电空腔以及隔离部件，所述隔离部件设在所述端电极和/或绝缘管体上，所述隔离部件通过低温密封粘合物连接所述端电极和/或绝缘管体，从而形成所述放电空腔；所述隔离部件设有透气孔，所述透气...

本实用新型公开了一种单向二极管芯片，包括：单向二极管芯片主体、正极和负极，正极和负极与单向二极管芯片主体电连接，正极和负极设置在单向二极管芯片主体的同侧。通过本实用新型的技术方案，将单向二极管芯片主体的正极和负极均设置在二极管芯片主体的...

本发明公开了一种电源防护电路及电子设备。该电源防护电路包括：保护电路和告警电路。保护电路包括限压型保护器件和开关型保护器件，限压型保护器件的第一端与第一电源线路电连接，限压型保护器件的第二端与开关型保护器件的第一端电连接，开关型保护器件...

本发明公开了一种气体放电管、过电压保护装置及气体放电管的制造方法。该气体放电管包括：绝缘基座、至少一个第一电极和第二电极，第一电极设置于绝缘基座的封接区域，并且每个第一电极贯穿对应的封接区域和绝缘基座；第二电极设置于绝缘基座靠近第一电极...

本实用新型实施例公开了一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。其中，该交流电源浪涌保护装置包括：第一保护支路，该第一保护支路包括双向半导体放电管和开路失效型器件，双向半导体放电管和开路失效型器件串联连接于第一保护支路中，第一保护支路的第一端...

本实用新型实施例公开了一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。其中，该交流电源浪涌保护装置包括：第一保护支路，第一保护支路串接有至少一个双向半导体放电管，第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接，第...

本发明实施例公开了一种气体放电管及过压保护装置。其中，该气体放电管包括：密封放电腔体，密封放电腔体内部充有放电气体；至少两个导电电极，至少两个导电电极的放电电极面位于密封放电腔体的内表面和/或内部；密封放电腔体包括至少一个可伸缩部件，至...

本发明公开一种气体放电管及过电压保护装置，该气体放电管包括至少一绝缘体、至少两个电极组件和至少一电极冷却物，绝缘体设有通孔，至少两个电极组件相对的表面形成放电面，绝缘体和至少两个电极组件共同围合形成一放电内腔，通孔与放电内腔连通，通过将...

本实用新型公开一种交流电源保护装置及电源设备，具有用以对应与市电连接的第一输入端、第二输入端和第三输入端、以及用以对应与电源设备连接的第一输出端、第二输出端和第三输出端，所述交流电源保护装置包括第一支路、第二支路及第三支路，所述第一支路...

本实用新型公开了一种共用电极半导体封装结构，本实用新型通过利用公共电极端连接芯片层中的半导体芯片，使半导体芯片具有一个共用电极，从而实现了一颗元器件代替多颗元器件的方案，具有降低占板面积，提升贴片效率，降低生产成本，提高产品的集成度的优点。

本发明公开一种瞬态抑制二极管芯片结构，该瞬态抑制二极管芯片结构包括：第一导电类型衬底层；形成于第一导电类型衬底层一表面的第一导电类型注入层；形成于第一导电类型衬底层与第一导电类型注入层之间的第二导电类型外延层；以及隔离结构，隔离结构贯穿...

本发明公开了一种气体放电管，包括绝缘管体，所述绝缘管体的两端分别设置有端电极，以使所述绝缘管体内部形成密闭空腔，所述绝缘管体、所述端电极以及所述密闭空腔至少一个设置有分割结构；所述分割结构用于在所述密闭空腔内存在放电气体时，对气体放电形...

提供了一种用于芯片封装的电极，该电极包括基体，该基体的膨胀系数的范围为0‑12×10

提供了一种芯片封装电极结构，包括：导电层，该导电层具有第一热膨胀系数；以及膨胀抑制层，至少部分地覆盖该导电层并用于抑制该导电层的膨胀，该膨胀抑制层具有第二膨胀系数并且该第二膨胀系数小于该第一热膨胀系数。还提供了一种芯片封装结构，包括：芯...