一种交流电源浪涌保护装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。其中，该交流电源浪涌保护装置包括：第一保护支路，第一保护支路串接有至少一个双向半导体放电管，第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接，第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时，至少一个双向半导体放电管导通，第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压，控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复。本发明专利技术实施例的技术方案可以实现在浪涌发生时可以保护受电设备，在浪涌消失后，浪涌保护装置可以断开，以使交流输电线路向后边的受电设备或系统正常供电。

【技术实现步骤摘要】
一种交流电源浪涌保护装置及电子设备
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。
技术介绍
雷击是极其普遍的自然现象，据统计，全世界有四万多个雷暴中心，每天有800万次雷击，这意味着地球上每秒有100次左右的雷击发生。雷击对外部供电线路有很大影响，例如：若雷电击中户外电网线路，会有大量电流流入外部线路或接地电阻，因而产生了干扰电压；间接雷击(如云层间或云层内的雷击)在外部线路上感应出的脉冲电压和电流；雷电击中线路邻近物体，在其周围建立强大电磁场，在外部线路上感应出电压；雷电击中附近地面，地电流通过公共接地系统时所引进的干扰。除自然界的雷击外，变电所等场合的开关动作也会引进浪涌干扰，如：主电源系统切换时的干扰；同一电网，在靠近受电设备附近的一些小开关跳动时形成的干扰；切换伴有谐振线路的晶闸管设备；各种系统性的故障，如设备接地网络或者接地系统间的短路和飞弧故障。由此可知，在受电设备的供电端口处设置浪涌保护装置至关重要。浪涌保护装置的作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内，或将强大的雷电流泄流入地，保护被保护的设备或系统不受冲击而损坏。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种交流电源浪涌保护装置及电子设备，以实现在浪涌发生时可以保护受电设备，在浪涌消失后，浪涌保护装置可以断开，以使交流输电线路向后边的受电设备或系统正常供电。第一方面，本专利技术实施例提供了一种交流电源浪涌保护装置，包括：第一保护支路，第一保护支路串接有至少一个双向半导体放电管，第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接，第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时，至少一个双向半导体放电管导通，第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压，控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复。进一步地，第一保护支路包括第一双向半导体放电管和第二双向半导体放电管，其中，第一双向半导体放电管的第一端与第一交流线路连接，第一双向半导体放电管的第二端与第二双向半导体放电管的第一端电连接，第二双向半导体放电管的第二端与第二交流线路电连接。进一步地，第一双向半导体放电管的第二端接地线。进一步地，还包括第三双向半导体放电管，第三双向半导体放电管的第一端与第一双向半导体放电管的第二端电连接，第三双向半导体放电管的第二端接地线。进一步地，还包括第二保护支路，第二保护支路串接有至少一个第四双向半导体放电管，第二保护支路的第一端与第二交流线路电连接，第二保护支路的第二端接地线。进一步地，第一保护支路还包括第一双向瞬态抑制二极管，其中，第一双向瞬态抑制二极管与至少一个双向半导体放电管串联。进一步地，第一交流线路和第二交流线路分别与受电设备的两个电源端口电连接。进一步地，第一交流线路为火线，第二交流线路为零线。进一步地，第一交流线路和第二交流线路为三相交流供电线路中的任意两相线路。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种插排，包括本专利技术任意实施例提供的交流电源浪涌保护装置。本专利技术实施例的技术方案通过在交流电源口设置串接有至少一个双向半导体放电管的第一保护支路，其中，第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接，第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时，至少一个双向半导体放电管导通，第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压，控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复，以实现在浪涌发生时可以保护受电设备，在浪涌消失后，浪涌保护装置可以断开，以使交流输电线路向后边的受电设备或系统正常供电。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种双向半导体放电管的伏安特性曲线示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的又一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图；图10为现有技术中的一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图；图11为现有技术中的一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。本专利技术实施例提供一种交流电源浪涌保护装置。图1为本专利技术实施例提供的一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图，图1示例性画出包括一个双向半导体放电管的情况，如图1所示，该交流电源浪涌保护装置，包括：第一保护支路110，第一保护支路110串接有至少一个双向半导体放电管111，第一保护支路110的第一端与第一交流线路电连接，第一保护支路110的第二端与第二交流线路电连接，第一保护支路110用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时，至少一个双向半导体放电管111同时导通，第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压，控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复。其中，该交流电源浪涌保护装置可集成在各种交流受电设备和/或市电接口电路中，如插排。第一交流线路和第二交流线路可以为市电传输线路。可选的，如图1所示，第一交流线路为火线L，第二交流线路为零线N。第一交流线路和第二交流线路可用于向受电设备提供工频交流电。可选的，如图1所示，第一交流线路L和第二交流线路N分别与受电设备120的两个电源端口电连接。其中，双向半导体放电管111为多层PN结构成的可控硅结构，因此具有响应速度快，通态压降低，通流能量大，无老化失效，无极性双向保护，可重复使用，能承受较大的冲击电流，产品一致性及稳定性远优于气体放电管及压敏电阻，使用安全、可靠，其性能优于其它瞬间过压保护元器件。图2为本专利技术实施例提供的一种双向半导体放电管的伏安特性曲线示意图，其中，横轴表示双向半导体放电管两端的电压V，纵轴表示流过双向半导体放电管的电流I，如图2所示，双向半导体放电管的伏安特性曲线位于第一象限和第三象限，且关于原点对称。根据第一象限的伏安特性曲线可知，即双向半导体放电管两端的外加电压为正向电压，当双向半导体放电管两端的外加正向电压低于断态电压VDRM时，漏电流很小，处于断开状态。当双向半导体放电管两端的外加正向电压大于转折电压VS时，双向半导体放电管很快进入导通状态，双向半导体放电管两端的压降很小。当双向半导体放电管两端的外加正向电压去掉后，或外加正向电压减小至0，电流很快就降到低于维持电流IH，双向半导体放电管自然恢复，回到断开状态。根据第三象限的伏安特性曲线可知，即双向半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交流电源浪涌保护装置，其特征在于，包括：第一保护支路，所述第一保护支路串接有至少一个双向半导体放电管，所述第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，所述第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接，所述第一保护支路用于在所述第一交流线路和所述第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时，至少一个所述双向半导体放电管导通，所述第一交流线路和所述第二交流线路之间的正常传输电压，控制导通的所述至少一个双向半导体放电管关断恢复。

【技术特征摘要】
1.一种交流电源浪涌保护装置，其特征在于，包括：第一保护支路，所述第一保护支路串接有至少一个双向半导体放电管，所述第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，所述第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接，所述第一保护支路用于在所述第一交流线路和所述第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时，至少一个所述双向半导体放电管导通，所述第一交流线路和所述第二交流线路之间的正常传输电压，控制导通的所述至少一个双向半导体放电管关断恢复。2.根据权利要求1所述的交流电源浪涌保护装置，其特征在于，所述第一保护支路包括第一双向半导体放电管和第二双向半导体放电管，其中，所述第一双向半导体放电管的第一端与所述第一交流线路连接，所述第一双向半导体放电管的第二端与所述第二双向半导体放电管的第一端电连接，所述第二双向半导体放电管的第二端与所述第二交流线路电连接。3.根据权利要求2所述的交流电源浪涌保护装置，其特征在于，所述第一双向半导体放电管的第二端接地线。4.根据权利要求2所述的交流电源浪涌保护装置，其特征在于，还包括第三双向半导体放电管，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆生辉，蔡锦波，陈国源，周垠群，
申请(专利权)人：东莞市阿甘半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44