一种浪涌防护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施方案提供了一种浪涌防护装置，包括一级防护单元、退耦电感和二级防护单元，还包括：电流退耦元件；所述一级防护单元通过所述退耦电感与所述二级防护单元连接，所述二级防护单元通过所述电流退耦元件与输出芯片相连。本实用新型专利技术中，通过采用电流退耦元件的方式，使经过一级防护单元、退耦电感和二级防护单元泄放后的残余浪涌信号再经过电流退耦元件进行退耦，减少了到达输出芯片的残余浪涌信号，使得耐受能力较低的输出芯片和耐受能力较高的输出芯片均能够被有效进行浪涌防护，因此，增大了浪涌防护装置的适用范围,解决了现有的浪涌防护装置的适用范围较小的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及浪涌防护领域，特别涉及一种浪涌防护装置。
技术介绍
浪涌普遍存在于配电系统中，浪涌是瞬间出现超出稳定值的峰值，是发生在仅仅微秒时间内的一种剧烈脉冲。一般可能引起浪涌的原因有：短路或电源切换等。当浪涌出现时，将导致电子器件损坏，使得电路无法正常工作，因此，对浪涌进行防护显得尤其重要。目前的浪涌防护装置包括一级防护单元、退耦电感和二级防护单元，一级防护单元通过退耦电感与二级防护单元连接，二级防护单元与输出芯片连接，工作过程为：当浪涌信号入侵时，通过该一级防护单元将大部分浪涌信号泄放，再通过退耦电感和二级防护单元泄放剩余的浪涌信号，使得经过一级防护单元、退耦电感和二级防护单元泄放后的残余浪涌信号的残余电压与残余电流在输出芯片的耐受范围内，有效的保护了输出芯片。由于经过上述浪涌防护装置的一级防护单元、退耦电感和二级防护单元泄放后的残余浪涌信号的残余电压与残余电流仍然较高，使得耐受能力较低的输出芯片无法承受该较高的残余电压与残余电流，因此上述浪涌防护装置只适用于输出芯片的耐受能力较高的场景中。当该浪涌防护装置应用于输出芯片的耐受能力较低的场景中时，例如：该浪涌防护装置应用于动环监控12V直流输出场景中时，由于该输出芯片的耐受能力较低，使得经过一级防护单元、退耦电感和二级防护单元泄放后的残余浪涌信号的残余电压与残余电流超出输出芯片的耐受范围，使得输出芯片损坏，导致浪涌防护失败。可见，现有的浪涌防护装置仅仅适用于耐受能力较高的输出芯片，对于耐受能力较低的输出芯片所作的浪涌防护效果较差，也即，现有的浪涌防护装置的适用范围较小。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术实施例公开了一种浪涌防护装置，以解决现有的浪涌防护装置的适用范围较小的问题。技术方案如下：一种浪涌防护装置，包括一级防护单元、退耦电感和二级防护单元，还包括：电流退耦元件；所述一级防护单元通过所述退耦电感与所述二级防护单元连接，所述二级防护单元通过所述电流退耦元件与输出芯片相连。可选的，还包括电子保险丝；所述电流退耦元件通过所述电子保险丝与所述输出芯片相连。可选的，还包括肖特基二极管；所述电流退耦元件通过所述肖特基二极管与所述电子保险丝相连。可选的，还包括电容，所述电流退耦元件通过所述电容与所述电子保险丝相连，其中，所述电容的一端接地，另一端与所述电流退偶元件的输出端相连。可选的，还包括电容，所述肖特基二极管通过所述电容与所述电子保险丝相连，其中，所述电容的一端接地，另一端与所述肖特基二级管的输出端相连。可选的，所述电流退耦元件为热敏电阻。可选的，所述一级防护单元包括至少两个并联的压敏电阻，每个所述压敏电阻的一端接地，另一端与所述退耦电感的输入端相连。可选的，所述二级防护单元包括瞬变电压抑制二极管，所述瞬变电压抑制二极管的一端接地，另一端与所述退耦电感的输出端相连。本技术中，通过采用电流退耦元件的方式，使经过一级防护单元、退耦电感和二级防护单元泄放后的残余浪涌信号再经过电流退耦元件进行退耦，减少了到达输出芯片的残余浪涌信号，使得耐受能力较低的输出芯片和耐受能力较高的输出芯片均能够被有效进行浪涌防护，因此，增大了浪涌防护装置的适用范围,解决了现有的浪涌防护装置的适用范围较小的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术所提供的一种浪涌防护装置的结构示意图；图2为本技术所提供的动环监控12V直流输出浪涌防护装置的结构示意图。具体实施方式为了解决现有的浪涌防护装置的适用范围较小的问题，本技术提供了一种浪涌防护装置。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参见图1，本技术所提供的一种浪涌防护装置，包括一级防护单元1、退耦电感2和二级防护单元3，还可以包括：电流退耦元件4；一级防护单元1通过退耦电感2与二级防护单元3连接，二级防护单元3通过电流退耦元件4与输出芯片相连。其中，该一级防护单元1可以包括至少两个并联的压敏电阻，每个压敏电阻的一端接地，另一端与退耦电感2的输入端相连，压敏电阻在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护电路中的敏感器件，因此，可以将至少两个并联的压敏电阻作为一级防护单元1对浪涌信号进行泄放。由于一般二级防护单元3包括的器件的工作电压低于一级防护单元1包括的器件的工作电压，使得当浪涌信号入侵时，有可能出现浪涌信号先进入二级浪涌防护单元2并到达输出芯片的情况发生，使得浪涌防护失败，因此，为了避免该情况的发生，本技术所提供的一种浪涌防护装置中，一级防护单元1通过退耦电感2与二级防护单元3连接，使得浪涌信号无法先进入二级防护单元3。该二级防护单元3可以包括瞬变电压抑制二极管，瞬变电压抑制二极管的一端接地，另一端与退耦电感2的输出端相连。当瞬变电压抑制二极管经受瞬间的高能量冲击时，将以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大的电流，将其两端之间的电压钳位在一个预定的数值上，从而确保在其后面的电路器件免受瞬态高能量的冲击而损坏，因此，可以将瞬变电压抑制二极管作为二级防护单元3对浪涌信号进行泄放。该浪涌防护装置的工作过程为：当浪涌信号入侵时，通过该一级防护单元1将大部分浪涌信号泄放，再通过退耦电感2和二级防护单元3泄放剩余的浪涌信号，再通过电流退耦元件4对经过一级防护单元1、退耦电感2和二级防护单元3泄放后的残余浪涌信号进行退耦并输出至输出芯片。由于电流退耦元件4在通过一定电流时阻抗会呈阶跃性增高，因此，经过电流退耦元件4泄放后的浪涌信号的残余电压与残余电流较小，使得最后到达输出芯片的残余电压与残余电流在输出芯片的耐受范围内。其中，该电流退耦元件4可以为PTC(PositiveTemperatureCoefficient，热敏电阻)，具体的，PTC泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件。另外，需要说明的是，电流退耦元件4的数量可以为至少一个，当为至少两个时，电流退耦元件4可以串联相接，形成串联退耦原件组。本技术中，通过采用电流退耦元件的方式，使经过一级防护单元、退耦电感和二级防护单元泄放后的残余浪涌信号再经过电流退耦元件进行退耦，减少了到达输出芯片的残余浪涌信号，使得耐受能力较低的输出芯片和耐受能力较高的输出芯片均能够被有效进行浪涌防护，因此，增大了浪涌防护装置的适用范围,解决了现有的浪涌防护装置的适用范围较小的问题。为了确保在一级防护单元1包含的器件老化失效后或者与一级防护单元1连接的外部设备短路的情况下，确保电路中各设备的其它功能仍能正常工作，在一种具体实现方式中，本技术所提供的一种浪涌防护装置还可以包括：电子保险丝；电流退耦元件4通过电子保险丝与输出芯片相连，使得在一级防护单元1包含的器件老化失效后或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浪涌防护装置，包括一级防护单元、退耦电感和二级防护单元，其特征在于，还包括：电流退耦元件；所述一级防护单元通过所述退耦电感与所述二级防护单元连接，所述二级防护单元通过所述电流退耦元件与输出芯片相连。

【技术特征摘要】
1.一种浪涌防护装置，包括一级防护单元、退耦电感和二级防护单元，其特征在于，还包括：电流退耦元件；所述一级防护单元通过所述退耦电感与所述二级防护单元连接，所述二级防护单元通过所述电流退耦元件与输出芯片相连。2.根据权利要求1所述的浪涌防护装置，其特征在于，还包括电子保险丝；所述电流退耦元件通过所述电子保险丝与所述输出芯片相连。3.根据权利要求2所述的浪涌防护装置，其特征在于，还包括肖特基二极管；所述电流退耦元件通过所述肖特基二极管与所述电子保险丝相连。4.根据权利要求2所述的浪涌防护装置，其特征在于，还包括电容，所述电流退耦元件通过所述电容与所述电子保险丝相连，其中，所述电容的一端接地，另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶斌，金庆田，周琦，杨洋，
申请(专利权)人：杭州海康威视数字技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33