The invention provides a radio frequency multi chip package and shielding circuit. The circuit includes a first substrate, a second substrate, a shielding layer, a first connecting shell structure, second connecting structure, a first chip, second chip, third chip, the outer shielding layer is assembled on the first substrate, and form a closed space with the first substrate and the second substrate, the first connection the structure, the second connecting structure, the first chip and the second chip and the third chip package structure in the enclosed space; between the first substrate and the second substrate and the first connecting structure connected by the, between the first chip and the first substrate by the second connection structure is connected between the second chip and the second substrate through the second structure is connected between the third chip and the second substrate by the The second structure is connected. The invention can reduce the volume of the integrated component and increase the cost of the integrated component.
【技术实现步骤摘要】
射频多芯片封装及屏蔽电路
本专利技术涉及集成电路
,尤其涉及一种射频多芯片封装及屏蔽电路。
技术介绍
多芯片封装(MultiChipPackage,MCP)中的层叠封装,旨在垂直地集成分立的逻辑和存储球栅阵列(BallGridArray,BGA)封装。将原分立结构的芯片堆叠到同一封装中,两个或者更多的芯片堆叠到同一封装中,为通信设备、导航设备、移动电话、个人数字终端、台式计算机、便携式计算机、平板计算机等应用提供了理想的高密度封装解决方案。基于此,本专利技术的专利技术人发现,高密度封装中包含射频组件,这些射频组件的存在一方面会对其他电磁原件产生电磁干扰,另一方面,周围电磁原件也会产生一些干扰信号影响射频组件的工作,因此,为了使高密度封装结构中的组件更好的工作,需要将电磁干扰信号屏蔽,将射频组件与周围电磁组件隔离开来,减少外界对其干扰,同时防止射频组件的信号泄露到周围环境中。现有技术中常用的高密度封装结构的屏蔽方法,主要是将包含有多个射频组件的高密度封装结构在完成一个功能后使用法拉第笼进行隔离,其中,法拉第笼材质主要使用金属或者良导体,依据法拉第笼的电磁屏蔽原理,将高密度封装芯片与周围环境隔离开来。在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现现有技术中至少存在如下技术问题:将多个高密度封装结构进行屏蔽使用的法拉第笼体积较大,不满足集成原件精细化发展的要求。
技术实现思路
本专利技术提供的射频多芯片封装及屏蔽电路,能够减少集成元件的体积,提高集成元件成本。第一方面,本专利技术提供一种射频多芯片封装及屏蔽电路,包括:第一基板、第二基板、外壳屏蔽层、第一连接结构、第 ...
【技术保护点】
一种射频多芯片封装及屏蔽电路,其特征在于,包括:第一基板、第二基板、外壳屏蔽层、第一连接结构、第二连接结构、第一芯片、第二芯片,第三芯片,其中,所述外壳屏蔽层组装于所述第一基板上,并与所述第一基板组成封闭空间,所述第二基板、所述第一连接结构、所述第二连接结构、所述第一芯片、所述第二芯片及所述第三芯片组成的封装结构位于所述封闭空间内部;且,所述第一基板与所述第二基板之间通过所述第一连接结构连接,所述第一芯片与所述第一基板之间通过所述第二连接结构相连,所述第二芯片与所述第二基板之间通过所述第二结构相连,所述第三芯片与所述第二基板之间通过所述第二结构相连。
【技术特征摘要】
1.一种射频多芯片封装及屏蔽电路,其特征在于,包括:第一基板、第二基板、外壳屏蔽层、第一连接结构、第二连接结构、第一芯片、第二芯片,第三芯片,其中,所述外壳屏蔽层组装于所述第一基板上,并与所述第一基板组成封闭空间,所述第二基板、所述第一连接结构、所述第二连接结构、所述第一芯片、所述第二芯片及所述第三芯片组成的封装结构位于所述封闭空间内部;且,所述第一基板与所述第二基板之间通过所述第一连接结构连接,所述第一芯片与所述第一基板之间通过所述第二连接结构相连,所述第二芯片与所述第二基板之间通过所述第二结构相连,所述第三芯片与所述第二基板之间通过所述第二结构相连。2.根据权利要求1所述的射频多芯片封装及屏蔽电路,其特征在于,所述第一芯片、所述第二芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员:李仲茂,郭瑞,蒯冲,尹军舰,邱昕,慕福奇,叶甜春,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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