本实用新型专利技术涉及功放技术领域，具体涉及一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，包括MCU、RF射频芯片、运算放大器、功率放大器、取样电路和温度补偿电路，所述MCU与RF射频芯片双向连接，RF射频芯片与运算放大器双向连接，运算放大器与功率放大器双向连接，取样电路与功率放大器和MCU连接，温度补偿电路与运算放大电路和MCU连接。通过设计MCU控制电路，使得功放偏置电压电路能够根据输距离的长短动态改变输出功率，节省直流功率消耗，提高效率。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功放
，具体涉及一种基于M⑶控制的功放偏置电压电路。
技术介绍
功率放大器广泛应用于各种无线通信发射设备中，随着移动通讯服务的快速增长，对低耗、高效、体积小的要求也迅速增加。对于双极晶体管的功率放大器，需要相对复杂的偏置电路，该电路提供一个恒定的约0.7V的电压(在一个严格范围内可调)，其次是非常低的内部电阻，最后是该电路要适应宽范围的“负载”电流(即射频晶体管的基极驱动电流)，同时能保持几乎恒定的输出电压，其他的所需特性是温度补偿和最低的电流消耗，现有的功放偏置电压电路主要是采用AB类二极管晶体偏置电路，但是这种电路在复杂的移动通信系统中，无法做到动态地根据输距离的长短动态改变输出功率。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术所提供了一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，通过设计MCU控制电路，使得功放偏置电压电路能够根据输距离的长短动态改变输出功率，节省直流功率消耗，提高效率。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案是，一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，包括MCU、RF射频芯片、运算放大器、功率放大器、取样电路和温度补偿电路，所述MCU与RF射频芯片双向连接，RF射频芯片与运算放大器双向连接，运算放大器与功率放大器双向连接，取样电路与功率放大器和MCU连接，温度补偿电路与运算放大电路和MCU连接。进一步的，所述取样电路由多个取样电阻串联而成。进一步的，所述功率放大器包括多个功率放大器级联而成。进一步的，RF射频芯片型号为RAD1846。进一步的，所述温度补偿电路包括温补二极管。本技术通过采用上述技术方案，与现有技术相比，具有如下优点:本技术通过设计一个带有MCU、取样电路和温度补偿电路的功放偏置电压调节电路，通过取样电路获取功率放大器的驱动电压反馈至MCU，MCU根据该电压计算出偏置电压值，并通过运算放大器放大后，实现对功率放大器的偏置电压的自适应调整。同时还设计了温度补偿电路，进一步提高偏置电压调节的准确性。本技术使得功放偏置电压电路能够根据输距离的长短动态改变输出功率，节省直流功率消耗，提高效率。【附图说明】图1是本技术的实施例的结构示意图。【具体实施方式】现结合附图和【具体实施方式】对本技术进一步说明。作为一个具体的实施例，如图1所示，本技术的一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，包括M⑶1、RF射频芯片2、运算放大器3、功率放大器4、取样电路5和温度补偿电路6，RF射频芯片2型号为RAD1846，所述M⑶与RF射频芯片2双向连接，RF射频芯片2与运算放大器3双向连接，运算放大器3与功率放大器4双向连接，取样电路5与功率放大器4和MCU连接，温度补偿电路6与运算放大电路和MCU连接。所述功率放大器4包括多个功率放大器4级联而成，从而进行多级放大，提高功放效率。本实施例中，所述温度补偿电路6包括温补二极管。本技术的工作原理:所述取样电路5由多个取样电阻串联而成。取样电路5和温度补偿电路6的功放偏置电压调节电路，通过取样电路5获取功率放大器4的驱动电压反馈至MCU，MCU根据该电压计算出偏置电压值，并通过运算放大器3放大后，实现对功率放大器4的偏置电压的自适应调整。从而产生出能够随着现实情况进行自适应调整的相对稳定的偏置电压，同时加入了温度补偿电路，可以整个电路的对温度变化起到一定的补偿作用。本技术设计简单，能够提高偏压电路在自适应调节的精度和准确度。本技术使得功放偏置电压电路能够根据输距离的长短动态改变输出功率，节省直流功率消耗，提高效率。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。【主权项】1.一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，其特征在于:包括MCU、RF射频芯片、运算放大器、功率放大器、取样电路和温度补偿电路，所述MCU与RF射频芯片双向连接，RF射频芯片与运算放大器双向连接，运算放大器与功率放大器双向连接，取样电路与功率放大器和MCU连接，温度补偿电路与运算放大电路和MCU连接。2.根据权利要求1所述的一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，其特征在于:所述取样电路由多个取样电阻串联而成。3.根据权利要求1所述的一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，其特征在于:所述功率放大器包括多个功率放大器级联而成。4.根据权利要求1所述的一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，其特征在于:RF射频芯片型号为RAD1846。5.根据权利要求1所述的一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，其特征在于:所述温度补偿电路包括温补二极管。【专利摘要】本技术涉及功放
，具体涉及一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，包括MCU、RF射频芯片、运算放大器、功率放大器、取样电路和温度补偿电路，所述MCU与RF射频芯片双向连接，RF射频芯片与运算放大器双向连接，运算放大器与功率放大器双向连接，取样电路与功率放大器和MCU连接，温度补偿电路与运算放大电路和MCU连接。通过设计MCU控制电路，使得功放偏置电压电路能够根据输距离的长短动态改变输出功率，节省直流功率消耗，提高效率。【IPC分类】H03F1/02, H03F1/30, H03F3/20【公开号】CN205212786【申请号】CN201521106554【专利技术人】巫立斌 【申请人】伍翠玉【公开日】2016年5月4日【申请日】2015年12月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于MCU控制的功放偏置电压电路，其特征在于：包括MCU、RF射频芯片、运算放大器、功率放大器、取样电路和温度补偿电路，所述MCU与RF射频芯片双向连接，RF射频芯片与运算放大器双向连接，运算放大器与功率放大器双向连接，取样电路与功率放大器和MCU连接，温度补偿电路与运算放大电路和MCU连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：巫立斌，
申请(专利权)人：伍翠玉，
类型：新型
国别省市：福建;35
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。