The invention provides an inorganic thin film transistor, a preparation method and an RFID tag. An inorganic thin film transistor includes a flexible substrate, a source, a drain, and an active layer, a gate dielectric layer, and a gate electrode sequentially formed above the source and drain. The source and drain are respectively formed on the flexible substrate, the source and drain are made of the first flexible conductive film, and the thickness of the first flexible conductive film is greater than or equal to 100 nm and is less than or equal to 1 microns. The gate electrode is made of a second flexible conductive film, and the thickness of the second flexible conductive film is greater than or equal to 100 nanometers and is less than or equal to 1 microns.
【技术实现步骤摘要】
无机薄膜晶体管、制备方法及RFID标签
本专利技术涉及半导体领域,且特别涉及一种无机薄膜晶体管、制备方法及RFID标签。
技术介绍
随着智能手机以及移动支付的普及,中国电子商务飞速发展起来,带动着物流行业呈爆炸式增长。为了提升市场竞争力,降低人力成本和提高作业效率,急需建立一套更先进更有效的物流自动化系统。在此自动化系统中,核心部件电子标签起到了举足轻重的作用,使用电子标签可以极大地提高物流分拣的效率。现有的电子标签不仅价格昂贵且作为电子标签中重要部件的无机薄膜晶体管其基于刚性易脆的硅基片。相比有机薄膜晶体管,无机薄膜晶体管具有器件迁移率高、工作稳定性好(由于有机半导体材料的本征缺陷多,稳定性很差),工艺可重复性高(有机薄膜晶体管很容易受环境的影响而导致工艺重复性差)、大面积均匀性好以及可回收利用等优点,但是它没有有机半导体材料的柔性好,弯曲容易脆裂;该特性极大限制了电子标签的应用范围。
技术实现思路
本专利技术为了克服现有无机薄膜晶体管及电子标签柔性差的问题,提供一种无机薄膜晶体管、制备方法及RFID电子标签。为了实现上述目的,本专利技术提供一种无机薄膜晶体管,包括柔性基底、源极、漏极以及依次形成在源极和漏极上方的有源层、栅介质层和栅电极。源极和漏极分别形成在柔性基底上,源极和漏极均由第一柔性导电薄膜制成,第一柔性导电薄膜的厚度大于或等于100纳米且小于或等于1微米。栅电极由第二柔性导电薄膜制成,第二柔性导电薄膜的厚度大于或等于100纳米且小于或等于1微米。于本专利技术一实施例中,有源层为金属氧化物半导体薄膜,有源层的厚度小于或等于20纳米。于本专利技术一实 ...
【技术保护点】
一种无机薄膜晶体管,其特征在于,包括:柔性基底;源极和漏极,分别形成在柔性基底上,所述源极和漏极均由第一柔性导电薄膜制成,所述第一柔性导电薄膜的厚度大于或等于100纳米且小于或等于1微米;以及依次形成在源极和漏极上方的有源层、栅介质层和栅电极,所述栅电极由第二柔性导电薄膜制成,所述第二柔性导电薄膜的厚度大于或等于100纳米且小于或等于1微米。
【技术特征摘要】
1.一种无机薄膜晶体管,其特征在于,包括:柔性基底;源极和漏极,分别形成在柔性基底上,所述源极和漏极均由第一柔性导电薄膜制成,所述第一柔性导电薄膜的厚度大于或等于100纳米且小于或等于1微米;以及依次形成在源极和漏极上方的有源层、栅介质层和栅电极,所述栅电极由第二柔性导电薄膜制成,所述第二柔性导电薄膜的厚度大于或等于100纳米且小于或等于1微米。2.根据权利要求1所述的无机薄膜晶体管,其特征在于,所述有源层为金属氧化物半导体薄膜,所述有源层的厚度小于或等于20纳米。3.根据权利要求1所述的无机薄膜晶体管,其特征在于,所述第一柔性导电薄膜和第二柔性导电薄膜均为柔性金属导电薄膜、石墨导电薄膜、石墨烯导电薄膜、碳纳米管材或碳纳米线材中的任一种。4.根据权利要求3所述的无机薄膜晶体管,其特征在于,所述柔性金属导电薄膜为柔性的纳米银薄膜、柔性的银浆薄膜、锡膏薄膜或铜铟锡镓薄膜中的任一种。5.一种无机薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:提供一柔性基底;在柔性基底上沉积第一柔性导电薄膜,经图形化后形成无机薄膜晶体管的源极和漏极,所述第一柔性导电薄膜的厚度大于或等于100纳米且小...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆晓青,
申请(专利权)人:杭州潮盛科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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