在每个像素具有补偿薄膜晶体管的超高分辨率液晶显示器制造技术

本发明专利技术涉及公开一种在每个像素具有补偿薄膜晶体管的超高分辨率液晶显示器。本发明专利技术提出了一种薄膜晶体管基板，包括：在水平方向上延伸的多条栅极线以及在垂直方向上延伸的多条数据线，栅极线与数据线在基板上限定多个像素区域；通过将设置在上侧和下侧的任一侧的任一条栅极线分开而形成第一栅极和第二栅极；与第一栅极连接的第一薄膜晶体管；以及与第一薄膜晶体管和第二栅极连接的第二薄膜晶体管。根据本发明专利技术的平板显示器具有300PPI以上的超高密度分辨率，同时具有高开口率。

Ultra high resolution liquid crystal display with compensated thin-film transistors per pixel

The present invention relates to an ultra high resolution liquid crystal display having a compensation thin-film transistor per pixel. The present invention provides a thin film transistor substrate includes a plurality of gate lines extending in the horizontal direction and extending in the vertical direction of the data lines, gate lines and data lines define a plurality of pixel regions on the substrate through the ceiling; any will set on either side of the upper side and lower side of the gate lines separately and the formation of the first gate and the second gate; the first thin film transistor is connected with the first gate; and connected with the gate of the first transistor and the second film the second thin film transistor. The flat panel display according to the invention has an ultra high density resolution of more than 300PPI, and has a high aperture ratio.

【技术实现步骤摘要】
在每个像素具有补偿薄膜晶体管的超高分辨率液晶显示器相关申请的交叉引用本申请要求享有2012年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2012-0158351的权益，在此通过援引的方式将该专利申请的全部内容并入本文。
本专利技术涉及一种每个像素具有补偿薄膜晶体管（TFT）的超高分辨率液晶显示器（LCD）。具体地，本专利技术涉及一种用于超高分辨率LCD的具有高开口率的像素结构，所述像素结构具有补偿TFT以补偿用于驱动像素的TFT的导通/截止电流特性。
技术介绍
当前，随着信息社会的发展，对用于呈现信息的显示器的需求日益增长。因此，发展了各类平板显示器（FPD）以克服阴极射线管（CRT）的诸如重量重、体积大等这样的诸多缺陷。平板显示装置包括液晶显示器（LCD）装置、场致发射显示器（FED）、等离子体显示面板（PDP）、有机发光显示装置（OLED）以及电泳显示装置（ED）。平板显示器的显示面板可包括薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板具有分配在以矩阵形式排列的每个像素区域中的薄膜晶体管。例如，液晶显示装置通过使用电场控制液晶层的透光率来呈现视频数据。根据电场的方向，可将LCD分为两种主要类型：一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：在水平方向上延伸的多条栅极线以及在垂直方向上延伸的多条数据线，所述栅极线与所述数据线在基板上限定多个像素区域；第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极通过将设置在一个像素区域的上侧和下侧的任一侧的任一条栅极线分开而形成，其中所述第一栅极和所述第二栅极仅被设置在一个像素区域的上侧和下侧中的任一侧；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第一栅极连接；以及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管和所述第二栅极连接。

【技术特征摘要】
2012.12.31 KR 10-2012-01583511.一种薄膜晶体管基板，包括：在水平方向上延伸的多条栅极线以及在垂直方向上延伸的多条数据线，所述栅极线与所述数据线在基板上限定多个像素区域；第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极通过将设置在一个像素区域的上侧和下侧的任一侧的任一条栅极线分开而形成，其中所述第一栅极和所述第二栅极仅被设置在一个像素区域的上侧和下侧中的任一侧；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第一栅极连接；以及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管和所述第二栅极连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：半导体层，所述半导体层被设置成从靠近所述第一栅极的第一像素区域至靠近所述第二栅极的第二像素区域延伸，其中所述第一薄膜晶体管的漏极区域通过所述半导体层与所述第二薄膜晶体管的源极区域连接。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一薄膜晶体管包括：第一源极，所述第一源极从所述数据线分支并且与所述半导体层的一侧接触；第一沟道层，所述第一沟道层包括所述半导体层的与所述第一栅极交叠的部分；以及第一漏极区域，所述第一漏极区域从所述第一沟道层延伸；并且其中所述第二薄膜晶体管包括：第二源极区域，所述第二源极区域从所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正一，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR