阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括：第一衬底基板；多条栅极线，沿第一方向设置于所述第一衬底基板上；多条数据线，沿第二方向设置于所述第一衬底基板上，且所述第一方向与所述第二方向相互交错；多个像素单元，沿所述第一方向和所述第二方向阵列设置于所述第一衬底基板上；其中，每个所述像素单元包括：薄膜晶体管，耦接于所述栅极线和所述数据线；像素电极，耦接所述薄膜晶体管；其中，沿所述第一方向相邻的像素单元的像素电极沿所述第二方向交错设置，以消除所述相邻的像素单元的电磁耦合。本发明专利技术通过将相邻像素沿一方向错开一定距离，增加相邻像素的像素电极之间的距离，改善了液晶显示器的侧视色偏现象，增大了可视角度。

Array substrate and display panel

The invention discloses an array substrate includes a first substrate; a plurality of gate lines disposed on the first substrate along a first direction; a plurality of data lines are arranged on the first substrate on the substrate along the second direction and the first direction and the second direction intersect; multiple the pixel unit is arranged on the first substrate along the first direction and the second direction array; among them, each of the pixel unit includes: a thin film transistor coupled to the gate line and the data line; a pixel electrode is coupled to the thin film transistor; wherein, the pixel electrode pixel unit along the first direction adjacent along the second direction staggered, to eliminate the electromagnetic coupling of the pixel unit adjacent to the. The adjacent pixels along a direction staggered a certain distance between adjacent pixel electrodes, increasing pixel distance, improve the side color cast phenomenon of liquid crystal display, increase the viewing angle.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
高分辨率是保证彩色显示器清晰度的重要前提，显示器分辨率大小是由显示屏内像素数量决定，显示屏内像素数量越多则显示器分辨率越高。因此，为满足高分辨率显示需求，需要在有限的区域内配置大量的像素。现有的液晶显示器的阵列基板上根据分辨率需求配置多个像素结构，而每一像素结构参见图1。如图1所示，阵列基板包含栅极线15、数据线14、薄膜晶体管17和像素电极11，相邻的两条数据线14和相邻的两条栅极线15垂直交叉形成的区域为像素区域16，像素电极11配置于像素区域16中，薄膜晶体管17的源/漏极通过通孔12、13分别与像素电极11和数据线14耦接，栅极线15配置于薄膜晶体管17的栅极上并与其耦接。图2A为现有液晶显示器的多个像素结构的配置于基板上的俯视示意图。如图2A所示，多个像素之间是以相同的排列方式进行配置，亦即像素中的像素电极在像素区域的设置位置以及与薄膜晶体管之间的走线方式趋同。由于高分辨率的需要，像素单元的尺寸越来越小，而沿水平方向相邻的像素中通孔的尺寸受工艺限制，并不能随着像素单元的尺寸减小而减小，因此通孔12、23之间的距离D1以及通孔12、22之间的距离D2受像素之间距离的影响，间隔距离均非常小，导致像素电极、数据线与薄膜晶体管的连接走线和通孔之间的空间越来越小，进而会造成像素结构制造难度增加，且容易造成线路短路等不良问题。图2B为现有液晶显示器驱动液晶旋转的示意图。如图2B所示，受水平方向相邻像素的像素电极11、21之间电磁耦合效应的影响，相邻像素产生的电场E会相互干扰。对于高分辨率的液晶显示器，相邻像素的像素电极11、21之间的距离非常小，致使相邻像素电极之间的电磁耦合效应增强，导致相邻像素电场E干扰进一步加剧，如此会使相邻像素之间的黑矩阵24下方液晶25旋转角度增大，进而造成侧视色偏现象加剧等问题。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种改善了液晶显示器的侧视色偏现象，增大可视角度的阵列基板及显示面板。为实现上述目的，本公开一方面提供一种阵列基板，包括：第一衬底基板；多条栅极线，沿第一方向设置于所述第一衬底基板上；多条数据线，沿第二方向设置于所述第一衬底基板上，且所述第一方向与所述第二方向相互交错；多个像素单元，沿所述第一方向和所述第二方向阵列设置于所述第一衬底基板上；其中，每个所述像素单元包括：薄膜晶体管，耦接于所述栅极线和所述数据线；像素电极，耦接所述薄膜晶体管；其中，沿所述第一方向相邻的像素单元的像素电极沿所述第二方向交错设置。在本公开的一种示例性实施例中，所述像素电极至少弯折一次，且所述多个像素单元中像素电极的弯折方向部分相同。在本公开的一种示例性实施例中，所述薄膜晶体管包括漏极、源极和栅极，所述像素单元还包括第一通孔，所述像素电极经由所述第一通孔耦接所述漏极，且沿所述第一方向相邻的像素单元的第一通孔沿所述第二方向交错设置。在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元还包括第二通孔，所述数据线经由所述第二通孔耦接所述源极。在本公开的一种示例性实施例中，沿所述第一方向线相邻的耦接至同一条所述栅极线的两个像素单元，所述第一通孔位于所述栅极线的不同侧在本公开的一种示例性实施例中，沿所述第一方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反，沿所述第二方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相同。在本公开的一种示例性实施例中，沿所述第一方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反，沿所述第二方向相邻的像素单元中的像素电极的弯折方向相反。在本公开的一种示例性实施例中，沿所述第一方向相邻的像素单元中耦接同一条栅极线的薄膜晶体管沿第一方向排列。在本公开的一种示例性实施例中，沿所述第一方向相邻的像素单元中连接同一条栅极线的薄膜晶体管沿所述第二方向交错设置。在本公开的一种示例性实施例中，所述栅极线沿所述第一方向弯折延伸。在本公开的一种示例性实施例中，所述栅极线配置于所述像素单元中所述薄膜晶体管上，且与所述薄膜晶体管的所述栅极耦接。本公开另一方面提供一种显示面板，包括：上述阵列基板；彩膜基板，相对所述阵列基板设置；以及液晶层，夹持于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。在本公开的一种示例性实施例中，还包括：黑矩阵，设置于所述阵列基板或所述彩膜基板上。本专利技术通过将相邻像素沿一方向错开一定距离，增加相邻像素的像素电极之间的距离，降低了像素电极之间的电磁耦合效应，进而降低了像素电极之间的液晶旋转角度，改善了液晶显示器的侧视色偏现象，增大了可视角度。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施例，本专利技术的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。图1为现有技术的阵列基板上一像素结构的俯视示意图；图2A为现有技术的阵列基板上多个像素结构的俯视示意图；图2B为现有技术的液晶显示器驱动液晶旋转的示意图；图3A示意性示出根据本专利技术示例实施方式的阵列基板的俯视示意图；图3B示意性示出图3A的剖视示意图；图4示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图；图5示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图；图6示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板的俯视示意图；图7示意性示出根据本专利技术示例实施方式的液晶旋转示意图；图8示意性示出根据本专利技术示例实施方式的黑矩阵的结构排列示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本专利技术的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本专利技术的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本专利技术的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免喧宾夺主而使得本专利技术的各方面变得模糊。图3A示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一像素结构的俯视示意图；图3B示意性示出图3A的剖视示意图。如图3A所示，本专利技术的阵列基板，包括：衬底基板(图中未示出)、栅极线30、数据线31和像素单元32。栅极线30沿第一方向设置于衬底基板上，例如栅极线30可以沿水平方向排列。数据线31沿第二方向设置于衬底基板上，例如数据线31可以沿垂直方向排列，数据线31与栅极线30交叉区域形成像素区域。像素单元32配置于像素区域中，包括薄膜晶体管33和像素电极34，本实施例的薄膜晶体管33耦接于栅极线30、数据线31与像素电极34。其中，相对于薄膜晶体管33的部分栅极线30以作为薄膜晶体管33的栅极，而薄膜晶体管33的半导体层设置于栅极下方，也即半导体层位于栅极线30的区域下方，薄膜晶体管33的源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：第一衬底基板；多条栅极线，沿第一方向设置于所述第一衬底基板上；多条数据线，沿第二方向设置于所述第一衬底基板上，且所述第一方向与所述第二方向相互交错；多个像素单元，沿所述第一方向和所述第二方向阵列设置于所述第一衬底基板上；其中，每个所述像素单元包括：薄膜晶体管，耦接于所述栅极线和所述数据线；像素电极，耦接所述薄膜晶体管；其中，沿所述第一方向相邻的像素单元的像素电极沿所述第二方向交错设置。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一衬底基板；多条栅极线，沿第一方向设置于所述第一衬底基板上；多条数据线，沿第二方向设置于所述第一衬底基板上，且所述第一方向与所述第二方向相互交错；多个像素单元，沿所述第一方向和所述第二方向阵列设置于所述第一衬底基板上；其中，每个所述像素单元包括：薄膜晶体管，耦接于所述栅极线和所述数据线；像素电极，耦接所述薄膜晶体管；其中，沿所述第一方向相邻的像素单元的像素电极沿所述第二方向交错设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极至少弯折一次，且所述多个像素单元中像素电极的弯折方向部分相同。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括漏极、源极和栅极，所述像素单元还包括第一通孔，所述像素电极经由所述第一通孔耦接所述漏极，且沿所述第一方向相邻的像素单元的第一通孔沿所述第二方向交错设置。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向线相邻的耦接至同一条所述栅极线的两个像素单元，所述第一通孔位于所述栅极线的不同侧。5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括第二通孔，所述数据线经由所述第二通孔耦接所述源极。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，陈国照，李俊谊，朱绎桦，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35