空穴传输化合物及组合物制造技术

一种组合物，该组合物包含取代有至少一个式(I)基团的第一材料和取代有选自式(IIa)和(IIb)的至少一个基团的第二材料：其中：Sp

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】空穴传输化合物及组合物专利技术背景对于在器件例如有机发光二极管(OLED)、有机光响应器件(特别是有机光伏器件和有机光传感器)、有机晶体管和存储器阵列器件中的应用，含有活性有机材料的电子器件正引起越来越多的关注。含有活性有机材料的器件提供诸如低重量、低功率消耗和柔性的益处。此外，可溶有机材料的使用允许在器件制造中利用溶液加工，例如喷墨印刷或者旋涂。OLED可以包含带有阳极的基底、阴极以及介于阳极和阴极之间的一个或多个有机发光层。在器件工作期间空穴通过阳极被注入器件并且电子通过阴极被注入器件。发光材料的最高已占分子轨道(HOMO)中的空穴和最低未占分子轨道(LUMO)中的电子结合从而形成激子，所述激子以光的形式释放其能量。发光层可以包含半导电主体材料和发光掺杂剂，其中能量从主体材料转移至发光掺杂剂。例如，J.Appl.Phys.65,3610,1989公开了用荧光发光掺杂剂掺杂的主体材料(即，其中通过单重态激子的衰变而发出光的发光材料)。磷光掺杂剂也是已知的(即，其中通过三重态激子的衰变而发出光的发光掺杂剂)。可在阳极和发光层之间提供空穴传输层。“SynthesisandApplicationofPhotolithographicallyPatternableDeepBlueEmittingPoly(3,6-Dimethoxy-9,9-dialkylsilafluorene)s”AppliedMaterials&Interfaces(2014),6(1),83-93公开了通过用光刻法沉积蓝色发光的聚(硅芴)并使该聚合物的降冰片烯取代基反应来形成图案化的发光层。KR2009/093144公开了取代有三芳胺基团的降冰片烯单体的聚合。ChemistryofMaterials(2007),19(23),5602-5608公开了基于降冰片烯的共聚物以及它们在发光二极管中的应用，其中在它们的侧链中具有铱络合物以及二(咔唑基)芴基团。WO2013/005026公开了取代有苯并环丁烯基团的空穴传输聚合物。公开了这些聚合物作为OLED的空穴传输层的应用。使苯并环丁烯基团交联以使该层不可溶。苯并环丁烯基团可彼此反应或者可与双键基团反应。本专利技术的目的是改善有机电子器件特别是有机发光器件的性能，其中该器件的一个或多个层是通过溶液沉积方法沉积该器件的半导体层形成。
技术实现思路
在第一方面，本专利技术提供了一种组合物，该组合物包含取代有至少一个式(I)基团的第一材料和取代有选自式(IIa)和(IIb)的至少一个基团的第二材料：其中：Sp1表示第一间隔基团；NB在每次出现时独立地为降冰片烯基团，该降冰片烯基团可以是未取代的或取代有一个或多个取代基；n1为0或1；如果n1为0则m1为1，并且如果n1为1则m1为至少1；Sp2表示第二间隔基团；n2是0或1；如果n2为0则m2为1，以及如果n2为1则m2为至少1；Ar1在每次出现时独立地表示芳基或杂芳基，该芳基或杂芳基可以是未取代的或者取代有一个或多个取代基；R1在每次出现时独立地为H或取代基；和*表示至第一或第二材料的连接点。在第二方面，本专利技术提供了一种形成有机电子器件的层的方法，该方法包括使根据第一方面的组合物反应的步骤。在第三方面，本专利技术提供了一种形成有机发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：在阳极上方形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成发光层；以及在所述发光层上方形成阴极，其中形成所述空穴传输层的步骤包括在所述阳极上方沉积取代有至少一个式(I)基团的第一材料的空穴传输层，并使所述式(I)基团交联。该第三方面的第一材料可以是如本文任何地方所述，并且可以通过本文所述的任何沉积和交联方法进行沉积和交联。可以通过形成其中第一材料是唯一可交联材料的层并使其交联来形成空穴传输层，在这种情形中，该层可以基本上由第一材料组成。可以通过形成包含第一材料和第二材料两者的层并使其交联而形成空穴传输层，其中第二材料如本文任何地方所述。在第四方面，本专利技术提供了一种形成有机电子器件的层的方法，所述方法包括步骤：形成包含第一材料的层和通过热处理使第一层交联。任选地，该有机电子器件是有机发光器件。该第四方面的第一材料可以如本文任何地方所述，并且可以通过本文所述的任何沉积和热交联方法沉积和热交联。该层可以通过形成其中第一材料是唯一可交联材料的层并使其热交联而形成，在这种情形中，该层可以基本上由第一材料组成。该层可通过形成包含第一材料和第二材料两者的层并使其热交联而形成，其中第二材料如本文任何地方所述。在第五方面，本专利技术提供了包含取代有一个或多个式(I)基团的核心的非聚合化合物，其中所述一个或多个式(I)基团与所述核心的芳基结合。所述核心可以是包含本文所述的一个或多个芳族基团的任何核心基团。在第六方面，本专利技术提供了包含取代有一个或多个式(I)基团的重复单元的聚合物，其中所述一个或多个式(I)基团与重复单元的一个或多个芳族基团结合。所述重复单元可以是本文所述的包含一个或多个芳族基团的任何重复单元。第五方面的非聚合化合物和第六方面的聚合物可以反应从而形成如本文任何地方所述的有机电子器件的层，例如有机发光器件的空穴传输层。附图说明现在将参照附图更详细地描述本专利技术，其中：图1示意性地示出了根据本专利技术实施方案的OLED；图2示出了通过根据本专利技术实施方案的组合物的反应获得的产物混合物和通过比较组合物的反应获得的产物混合物的HPLC迹线；图3是根据本专利技术实施方案的聚合物和比较聚合物的在加热之后除去的可溶材料相对于加热温度的坐标图；图4示出了根据本专利技术实施方案的器件和比较器件的电致发光光谱；图5示出了根据本专利技术实施方案的器件和比较器件的电流密度相对于电压的坐标图；图6示出了根据本专利技术实施方案的器件和比较器件的亮度相对于电压的坐标图；图7示出了根据本专利技术实施方案的器件和比较器件的外部量子效率相对于电压的坐标图；图8是根据本专利技术实施方案的白色器件和比较器件的电压相对于外部量子效率的坐标图；和图9是根据本专利技术实施方案的白色器件和比较器件的电流密度相对于电压的坐标图。专利技术详述未按任何比例绘制的图1说明了根据本专利技术实施方案的OLED100，其包含阳极103、阴极109、介于阳极和阴极之间的发光层107以及介于阳极和发光层之间的空穴传输层105。该器件100承载在基底101上，例如玻璃或塑料基底。发光层107可以是未图案化的，或者可以是图案化的以形成离散的像素。每个像素可以进一步分为子像素。发光层可包含单一发光材料，例如对于单色显示器或其它单色器件，或者可包含发出不同颜色的材料，特别地对于全色显示器而言包含红色、绿色和蓝色发光材料。如果使发光层107图案化，则空穴传输层105可以按与发光层相同的方式图案化，或者可以在未图案化的空穴传输层105上形成图案化的发光层107。空穴传输层105含有空穴传输材料。通过使含有式(I)基团的第一材料与含有式(IIa)或(IIb)基团的第二材料反应而形成该空穴传输层。为了形成空穴传输层，在阳极上方沉积第一材料和第二材料。然后使式(I)的基团与式(IIa)或(IIb)的基团反应。然后在空穴传输层105上形成发光层107。优选地，通过如下方式形成发光层：沉积溶解或分散在溶剂或溶剂混合物中的发光层的一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，该组合物包含取代有至少一个式(I)基团的第一材料和取代有选自式(IIa)和(IIb)的至少一个基团的第二材料：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.09 GB 1412213.91.一种组合物，该组合物包含取代有至少一个式(I)基团的第一材料和取代有选自式(IIa)和(IIb)的至少一个基团的第二材料：其中：Sp1表示第一间隔基团；NB在每次出现时独立地为降冰片烯基团，该降冰片烯基团可以是未取代的或取代有一个或多个取代基；n1为0或1；如果n1为0则m1为1，并且如果n1为1则m1为至少1；Sp2表示第二间隔基团；n2是0或1；如果n2为0则m2为1，以及如果n2为1则m2为至少1；Ar1在每次出现时独立地表示芳基或杂芳基，该芳基或杂芳基可以是未取代的或者取代有一个或多个取代基；R1在每次出现时独立地为H或取代基；和*表示至第一材料或第二材料的连接点。2.根据权利要求1所述的组合物，其中式(I)的取代基具有式(Ia)：3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中n1为1以及Sp1为C1-20烷基。4.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中n2为1以及Sp2为C1-20烷基。5.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中至少一个R1不是H。6.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中Ar1是未取代或取代的苯基。7.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中所述第一材料和第二材料中的至少一种是非聚合的材料。8.根据权利要求7所述的组合物，其中所述第一材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·皮洛，M·汉弗莱斯，R·佩金顿，F·布尔塞，Y·赫莱巴，T·库格勒，S·朱贝里，
申请(专利权)人：剑桥显示技术有限公司，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：英国,GB