有机电子传输材料制造技术

有机电子传输材料，具有式(I)所述结构的化合物，其中，R1‑R4独立地表示为氢、C1‑C8取代或者未取代的烷基、或C2‑C8取代或者未取代的烯烷基、或C2‑C8取代或者未取代的炔烷基，其中取代基为C1‑C4的烷基或卤素。器件实验表明，使用本发明专利技术的有机电子传输材料制备的仅电子有机半导体二极管器件及有机电致发光器件电子传输性能好，亮度高且稳定，器件寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型的有机电子传输材料，通过真空沉积成薄膜，可应用于仅电子有机半导体二极管器件。
技术介绍
仅电子有机半导体二极管器件是单载流子器件的一种，作为功率半导体装置用于智能数字功率集成电路的开关或整流器。其中本专利技术的电子传输材料也可应用于有机电致发光器件及场效应晶体管。仅电子有机半导体二极管器件为在两个金属、无机物或有机化合物的电极之间通过旋涂或沉积一层或多层有机材料而制备的器件。一个经典的一层仅电子有机半导体二极管器件包含阳极，电子传输层和阴极。在多层仅电子有机半导体二极管器件阳极和电子传输层之间可以加入空穴阻挡层，而电子传输层和阴极之间可以加入电子注入层。空穴阻挡层，电子传输层和电子注入层分别由空穴阻挡材料，电子传输材料和电子注入材料组成。连接到仅电子有机半导体二极管器件的电压到达开启电压后，由阴极产生的电子经电子传输层传输到阳极，相反地,空穴不能从阳极注入。仅电子有机半导体二极管器件中的电子传输材料可应用到其它半导体器件如有机电致发光器件。有机电致发光器件市场庞大，因而稳定、高效的有机电子传输材料对有机电致发光器件的应用和推广具有重要作用，同时也是有机电致发光大面积面板显示的应用推广的迫切需求。市场上现有较多使用的电子传输材料向红菲咯啉(bathophenanthroline,BPhen)和浴铜灵(bathocuproine,BCP)，基本上能符合有机电致发光面板的市场需求，但其效率和稳定性仍有待进一步提高。BPhen及BCP材料有着容易结晶的缺点。电子传输材料一旦结晶，分子间的电荷跃迁机制跟在正常运作的非晶态薄膜机制不相同，引致电子传输性能改变。在有机电致发光器件中使用，时间过后会使整个器件导电性能改变，令电子和空穴电荷迁移率失衡，引致到器件效能下降，也可能会在器件中产生局部短路，影响器件稳定性，甚至令器件失效。(参考文献JournalofAppliedPhysics80,2883(1996)；doi:10.1063/1.363140)虽然BPhen的合成已经有相当成熟的工艺，(参考文献WO2010127574A1)但是其使用之原材料邻苯二胺(CAS95-54-5)已被美国国家环境保护局列为对水生生物有很强毒性的化合物。考虑要保护我们的国家环境和水资源免受污染，新型电子传输材料的研发需求是非常迫切。非杂环的荧蒽化合物只含碳氢元素，在OLED器件可以用作电子输送材料和发光材料，(参考文献WO2013182046A1)但其传输效率和热稳定性仍有待进一步提高。
技术实现思路
针对上述材料的缺陷，本专利技术提供一种可应用在长寿命仅电子有机半导体二极管器件和有机电致发光器件中的高形态稳定性的有机电子传输材料，该电子传输材料的电子传输性能好，亮度高。有机电子传输材料，具有式(I)所述结构的化合物，其中，R1-R4独立地表示为氢、C1-C8取代或者未取代的烷基、或C2-C8取代或者未取代的烯烷基、或C2-C8取代或者未取代的炔烷基，其中取代基为C1-C4的烷基或卤素。优选：其中，R1-R4独立地表示为氢、C1-C4取代或者未取代的烷基、或C2-C4取代或者未取代的烯烷基，或C2-C4取代或者未取代的炔烷基。优选：其中R1-R4独立地表示为氢、C1-C4的烷基。优选：R1-R4相同。优选：其中，R1-R4优选表示为氢。式(I)所述的化合物为下列结构化合物所述有机层为空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。需要特别指出，上述有机层可以根据需要，这些有机层不必每层都存在。所述空穴传挡层，电子传输层和/或电子注入层中含有式(I)所述的化合物。所述式(I)所述的化合物为电子传输材料。本专利技术的电子器件有机层的总厚度为1-1000nm，优选1-500nm，更优选5-300nm。所述有机层可以通过蒸渡或旋涂形成薄膜。如上面提到的，本专利技术的式(I)所述的化合物如下，但不限于所列举的结构：器件实验表明，使用本专利技术的有机电子传输材料制备的仅电子有机半导体二极管器件及有机电致发光器件电子传输性能好，亮度高且稳定，器件寿命长。附图说明图1化合物1的HPLC图，图2化合物1的氢谱图，图3化合物1的热重+TGA图，图4为本专利技术的仅电子有机半导体二极管器件结构图，其中10代表为玻璃基板，20代表为阳极，30代表为空穴阻挡层，40代表为电子传输层，50代表电子注入层，60代表为阴极。图5为本专利技术器件1的电压－电流密度图，图6为本专利技术器件2的电压－电流密度图，图7为本专利技术器件3、4的电压－电流密度图，图8为本专利技术器件3、4的电流密度-电流效率图9为专利技术器件3、4的亮度－色坐标y图，图10为专利技术器件3、4的发射光谱图。图11为本专利技术的有机电致发光器件结构图，其中10代表为玻璃基板，20代表为阳极，30代表为空穴注入层，40代表为空穴传输层，50代表发光层，60代表为电子传输层，70代表为阴极。具体实施方式为了更详细叙述本专利技术，特举以下例子，但是不限于此。实施例1化合物1的合成化合物A按照参考文献ACSMacroLetter,2014,3,10-15过程合成。化合物B按照参考文献WO2013182046A1过程合成。反应投放：向250-mL反应烧瓶中加入化合物A(2.21g，11mmol)，化合物B(7.80g，22mmol)和二苯醚(100mL)。氮气排空3次，加热升温至260℃，保持此温度，反应8小时，TLC及HPLC检测化合物B反应完全。反应期间反应液的颜色变化由黑色变成黄色。反应后处理：停止加热，降温至20℃，加入甲醇(100mL)，搅拌2h析出固体，滤饼用甲醇洗涤，真空干燥得到粗品。粗品加入乙酸乙酯打浆得到黄色的化合物1(4.32g，产率46％，HPLC纯度93.58％)。真空升华(360℃，2x10-5torr，8小时)得到浅黄色固体粉末，纯度99.5％。见图1。液相的条件如下：色谱柱：InertsilODS-SP4.6*250mm，5um，柱温：40℃溶剂：DCM，流动相：ACN，检测波长：254nm峰值计算图如下表：<峰表>检测器A254nm峰号化合物名保留时间高度面积面积％125.641228114580.3862产品Y15050703-0127.39350885295553699.576333.4901411240.038总计511272968119100.0001HNMR(300MHz，CDCl3)δ7.78-7.66(m，8H)，7.59-7.46(m，6H)，7.43-7.33(m，116H)，7.32-7.46(m，12H)。见图2。TGA图见图3。实施例2仅电子有机半导体二极管器件1的制备使用本专利技术的有机电子传输材料制备仅电子有机半导体二极管器件首先，将透明导电ITO玻璃基板10(上面带有阳极20)依次经：洗涤剂溶液和去离子水，乙醇，丙酮，去离子水洗净，再用氧等离子处理30秒。然后，在ITO上蒸渡5nm厚的BCP作为空穴阻挡层30。然后，在空穴阻挡层上蒸渡100nm厚的化合物1作为电子传输层40。然后，在电子传输层上蒸渡1nm厚的氟化锂作为电子注入层50。最后，在电子注入层上蒸渡100nm厚的铝作为器件阴极60。结构图见图4。通过利用空间限制电流(spacechargelimit本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机电子传输材料，具有式(I)所述结构的化合物，其中，R1‑R4独立地表示为氢、C1‑C8取代或者未取代的烷基、或C2‑C8取代或者未取代的烯烷基、或C2‑C8取代或者未取代的炔烷基，其中取代基为C1‑C4的烷基或卤素。

【技术特征摘要】
2015.12.09 CN 20151090276591.有机电子传输材料，具有式(I)所述结构的化合物，其中，R1-R4独立地表示为氢、C1-C8取代或者未取代的烷基、或C2-C8取代或者未取代的烯烷基、或C2-C8取代或者未取代的炔烷基，其中取代基为C1-C4的烷基或卤素。2.根据权利要求1所述的有机电子传输材料，其中，R1-R4独立地表示为氢、C1-C4取代或者未取代的烷基、或C2-C4取代或者未取代的烯烷基，或...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁锦鸿，陈金鑫，李哲，戴雷，蔡丽菲，
申请(专利权)人：广东阿格蕾雅光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44