倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置及方法，本发明专利技术的助焊剂涂覆状态检查装置包括：吸嘴驱动部，用于使助焊剂涂覆在凸点的倒装芯片移动到检查位置；主照明部，用于向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光；拍摄部，用于拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光；以及视觉确认部，用于读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否，此外，助焊剂涂覆状态检查方法以如下方式进行检查：基于所述拍摄到的反射光，将具有相对较低的光强的反射光的位置判断为涂覆有助焊剂的位置；将具有相对较低的光强的位置判断为未涂覆有助焊剂的位置。

Device and method for inspecting flux coating state of flip chip

Flux coating state inspection device and method of the present invention relates to a flip chip, flux coating state inspection device of the present invention comprises: a nozzle driving part for flux coating in bump flip chip to check the position; the main lighting department, to bump to the flip chip has a specific area for irradiation the flux absorption rate is high and the wavelength range of light; shooting, shooting for the reflected light from the light of the main Lighting Department of irradiation; and visual confirmation, used to read through the shooting frequency or image shooting and display coating bump for the flip chip soldering and, in addition, flux coating state inspection method as follows: check the reflected light captured based on the reflected light intensity is relatively low in the position The position is judged to be coated with flux, and the position with relatively low light intensity is judged as the position which is not coated with flux.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置及方法，具体而言，涉及一种照射助焊剂能够最强地吸收的具有特定区域的波长范围的光，从而根据所反射的反射光的光强之差来检查倒装芯片的助焊剂涂覆状态的方法。
技术介绍
近年来，随着电子通信技术的发展，电子设备越来越倾向于小型化、轻量化。因此，内置于各种电子设备的电子部件(例如，半导体芯片)必须满足高集成化、超小型化。因此，针对将高密度、超小型的表面贴装部件(SMD：SurfaceMountDevice)贴装到印刷电路基板(PCB：PrintedCircuitBoard，在下文中，将其称之为“基板”)的表面贴装技术的研究正积极进行着。作为这种表面贴装技术，代替以往的键合技术而有一种利用凸点(Bump)将作为半导体芯片的裸片(die)的电极和基板连接的倒装芯片(FlipChip)工艺。倒装芯片是能够以面朝下(Face-down)形态将电子装置或半导体芯片直接安装到基板的贴装板的装置。在将倒装芯片安装到基板时，可以通过生成在芯片表面上的导电性凸点实现电连接，而且在将芯片安装到基板时，该芯片以倒置的状态得到贴装，基于此称之为倒装芯片。倒装芯片不需要焊线(Wirebond)，因此倒装芯片的尺寸明显小于通常的经过引线键合工序(Wire-bondingprocess)的芯片。此外，在引线键合中，焊线的芯片和基板之间的连接是以一次焊接一个的方式进行，相反，在倒装芯片中，可以同时执行，因此，相比焊线的芯片，倒装芯片的费用将会得到节俭，而且倒装芯片的连接长度比引线键合的芯片短，因此其性能也将会得到提高。以下，对根据上述的倒装芯片工艺而将倒装芯片贴装到基板的工艺进行简单说明。首先执行凸点加工(Bumping)工艺，即，从晶片(wafer)分离并取出芯片，并翻转(flip)芯片而使上下表面的位置翻转。之后执行回流(Reflow)工艺，即，贴装机的头将被翻转的芯片吸附之后使其移动到预定的位置，并且在需要时对包含凸点的面进行加热。此时，为提高基板和芯片的接合性能，将执行助熔(Fluxing)工艺，即，向芯片的凸点转移助焊剂(Flux)。之后，执行如下的工艺：利用相机视觉(cameravision)识别基板的作为将要贴装芯片的预定位置的衬垫，从而识别凸点的位置，并使凸点抵接衬垫以贴装(Mounting)芯片。最后，，通过回流进行加热以接合基板和芯片，并通过涂覆环氧树脂的底部填充(Underfilling)和借助热等来进行硬化的固化(Curing)而保护芯片。在如上所述的倒装芯片工艺中，在进行朝芯片的凸点转移助焊剂的助熔工艺时，可能会发生助焊剂无法正常地被涂覆在芯片的凸点的情况，在此情况下，芯片没有正常地接合到基板的可能行较大，据此，可能会引起生产出不良电子部件的问题。对此，在现有技术中，被提出用于检查助焊剂是否正常地被涂覆在芯片凸点的多样的方法。例如，具有如下的方法：将芯片浸渍(Deeping)在装有助焊剂的容器之后，利用相机对容器内助焊剂的凸点痕迹进行拍摄而检查助焊剂的涂覆与否。然而这种方法，由于助焊剂由液体构成，因而其痕迹将会瞬间消失，从而存在着难以容易地检查针对芯片凸点的助焊剂的涂覆与否的问题。此外，也有一种将可识别的其他添加物添加到助焊剂以能够容易地实现识别过程的技术，然而对该技术而言，可能会存在助焊剂特性变化的问题。另外，还提出过通过利用相机拍摄助焊剂涂覆于芯片的凸点的状态而获取的视频或图像来检查针对芯片凸点的助焊剂的涂覆与否的方法，然而，在此情况下，由于助焊剂是无色液体，因此为了正确地判断助焊剂被涂覆在芯片的凸点的状态而需要使用具有高价的镜头的相机，从而存在发生费用负担的问题。[现有技术文献][专利文献]韩国授权专利第10-1377444号日本公开专利第2008-041758号
技术实现思路
本专利技术是着眼于上述的各种问题而提出的，本专利技术所要解决的技术课题在于提供一种如下的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置及方法，该装置及方法向涂覆有助焊剂的倒装芯片的凸点照射助焊剂能够最强地吸收的具有特定区域的波长范围的光，据此根据对从涂覆有助焊剂的凸点和未涂覆有助焊剂的凸点反射的光的光强之差进行比较和判断，从而能够更为容易地检查助焊剂的涂覆与否。此外，本专利技术所要解决的技术课题在于提供一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置及方法，该装置及方法利用助焊剂能够最强地吸收的具有特定区域的波长范围的光而容易地检查助焊剂针对芯片的凸点的涂覆与否，从而能够预防生产出不良电子产品。本专利技术的课题并不局限于如上所述的课题，本领域技术人员可以根据下文中的记载而容易地理解未提及的其他课题。用于解决所述课题的根据本专利技术的实施例的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置可以包括：吸嘴驱动部，用于使助焊剂涂覆在凸点的倒装芯片移动到检查位置；主照明部，用于向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光；拍摄部，用于拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光；以及视觉确认部，用于读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否，所述特定区域的波长范围可以是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。在此，所述主照明部可以从所述凸点的下部侧的侧方向以倾斜的方向照射具有所述助焊剂能够最强地吸收的特定区域的波长范围的光，而且照射到所述倒装芯片的凸点的所述光可以沿着所述倒装芯片的凸点的下方向反射。此外，可以包括：反射部,用于将从所述倒装芯片的凸点反射的所述反射光的路径引导至所述拍摄部侧，在所述反射部的下部侧还可以包括：辅助照明部，用于根据输入信号而使具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光照射到所述倒装芯片的凸点。在此情况下，所述反射部可以是分束器，用于使从所述辅助照明部照射的光透过，并使从所述倒装芯片的凸点反射的反射光反射。此外，所述主照明部可以形成有透光孔，用于使从所述倒装芯片的凸点反射的反射光透过，并使从所述辅助照明部照射的光通过。此外，从所述主照明部照射的光的波长范围可以是400nm～500nm区域的波长范围，而且可以将带通滤波器布置在所述主照明部，从而使具有所述特定区域的波长范围的光照射。此外，从所述辅助照明部照射的光的波长范围可以是400nm～500nm区域的波长范围，而且可以将带通滤波器布置在所述辅助照明部，从而使具有所述特定区域的波长范围的光照射。另外，根据本专利技术的实施例的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法是利用倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置检查倒装芯片的助焊剂涂覆状态的方法，可以包括如下步骤：使涂覆有助焊剂的倒装芯片移动到检查位置；向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光；拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光；读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否；而且，基于所述拍摄到的反射光，可以将具有相对较低的光强的反射光的位置判断为涂覆有助焊剂的位置；将具有相对较低的光强的位置判断为未涂覆有助焊剂的位置。本专利技术的其他具体事项包含在详细的说明及附图中。根据本专利技术的实施例的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查至装置及方法，本专利技术可以提供如下的效果：向涂覆有助焊剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，包括：吸嘴驱动部，用于使助焊剂涂覆在凸点的倒装芯片移动到检查位置；主照明部，用于向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光；拍摄部，用于拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光；以及视觉确认部，用于读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否，所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。

【技术特征摘要】
2015.10.27 KR 10-2015-01492851.一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，包括：吸嘴驱动部，用于使助焊剂涂覆在凸点的倒装芯片移动到检查位置；主照明部，用于向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光；拍摄部，用于拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光；以及视觉确认部，用于读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否，所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。2.如权利要求1所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，所述主照明部从所述凸点的下部的侧方向以倾斜的方向照射具有所述助焊剂能够最强地吸收的特定区域的波长范围的光，照射到所述倒装芯片的凸点的所述光沿着所述倒装芯片的凸点的下方向反射。3.如权利要求2所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，包括：反射部,用于将从所述倒装芯片的凸点反射的所述反射光的路径引导至所述拍摄部侧，在所述反射部的下部侧还包括：辅助照明部，用于根据输入信号而使具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光照射到所述倒装芯片的凸点。4.如权利要求3所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，所述反射部是分束器，用于使从所述辅助照明部照射的光透过，并使从所述倒装芯片的凸点反射的反射光反射。5.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相哲，
申请(专利权)人：韩华泰科株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR