用于吸收来自电子组件的能量的装置制造方法及图纸

一种用于吸收来自电子组件的能量的装置，该装置包括：低熔点合金层，该低熔点合金层包括第一侧和与该第一侧相反的第二侧；以及大致覆盖所述低熔点合金层的所述第一侧和所述第二侧的涂层。在一些实施方式中，所述低熔点合金层包括聚合物混合物和分散在所述聚合物混合物中的多个低熔点合金微粒。还公开了其它示例装置。

Device for absorbing energy from electronic components

A device for absorbing energy from the electronic assembly, the device comprises: a low melting point alloy layer, the low melting point alloy layer includes a first side and the first side second opposite side; coating layer and roughly covers the low melting point alloy layer on the first side and the second side. In some embodiments, the low melting point alloy layer includes a polymer mixture and a plurality of low melting point alloy particles dispersed in the polymer mixture. Other sample devices are also disclosed.

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于吸收来自电子组件的能量的装置。
技术介绍
这个部分提供与本公开相关的但未必是现有技术的背景信息。电子装置通常包括靠近发热组件放置的一个或更多个装置，以耗散由该组件产生的热。典型地讲，这种热采用瞬变温度尖峰的形式。时常地，电子组件中的一个或更多个发热组件(和/或其它组件)可能必须降低它们的性能(例如，通过节流过程(throttlingprocess)等)，来缩减发热量。
技术实现思路
根据本技术的第一方面，提供了一种用于吸收来自电子组件的能量的装置，其特征在于，该装置包括：低熔点合金层，该低熔点合金层包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；第一涂层，该第一涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第一侧；以及第二涂层，该第二涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第二侧。根据本技术的第二方面，提供了一种包括电子组件和根据第一方面的、连接至所述电子组件的装置的组装件。根据本技术的第三方面，提供了一种用于吸收来自电子组件的能量的装置，其特征在于，该装置包括：第一导热层，该第一导热层包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；两个或更多个低熔点合金层，一个低熔点合金层连接至所述第一导热层的所述第一侧，另一个低熔点合金层连接至所述第一导热层的所述第二侧；两个或更多个石墨层，一个石墨层连接至所述一个低熔点合金层，另一个石墨层连接至所述另一个低熔点合金层；以及两个或更多个涂层，一个涂层大致覆盖所述一个石墨层的一侧，另一个涂层大致覆盖所述另一个石墨层的一侧。根据本技术的第四方面，提供了一种包括电子组件和根据第三方面的、连接至所述电子组件的装置的组装件。根据本技术的第五方面，提供了一种组装件，其特征在于，该组装件包括：电子组件，该电子组件被配置为产生能量；以及导热层，该导热层由第二侧和连接至所述电子组件的第一侧限定，所述导热层包括聚合物混合物和分散在所述聚合物混合物中的多个低熔点合金微粒，所述导热层被配置为吸收由所述电子组件产生的能量。附图说明本文所述的附图仅为了说明所选择的实施方式而不是所有可能的实施方式，并且并不旨在限制本公开内容的范围。图1是根据本公开一个示例实施方式的、包括具有聚合物混合物和分散在该聚合物混合物中的低熔点合金微粒的导热层的组装件的框图。图2是根据另一示例实施方式的、包括具有附加导热微粒的图1的导热层的组装件的框图。图3是根据又一示例实施方式的、包括具有导热层、两个低熔点合金层、以及两个涂层的装置的组装件的框图。图4是根据另一示例实施方式的、包括具有导热层、两个低熔点合金层、两个石墨层、以及两个涂层的装置的组装件的框图。图5是根据又一示例实施方式的、包括具有导热层、两个低熔点合金层(皆具有聚合物混合物和分散在该聚合物混合物中的低熔点合金微粒)、两个石墨层、以及两个涂层的装置的组装件的框图。图6是根据另一示例实施方式的、包括具有宽度不同的层的装置的组装件的框图。图7是根据又一示例实施方式的、包括将石墨层连接至基准电位的图4的装置的组装件的框图。图8是根据另一示例实施方式的、包括将该石墨层之一连接至基准电位的图4的装置的组装件的框图。图9是比较针对传统铝箔材料与噪底的插入损耗的图形。图10是比较针对单个合成石墨片与单个铝箔片的插入损耗的图形。图11是比较针对两个合成石墨片与两个铝箔片的插入损耗的图形。图12、图13和图14是比较利用(a)图4的装置、(b)气隙、以及(c)已知硅树脂油灰(siliconeputty)的电子组件的温度的图形。图15、图16A和图16B是比较利用(a)图4的装置、和(b)用石墨包封的铜箔的电子组件的温度的图形。具体实施方式下面将参照附图详细描述示例实施方式。图1中例示了根据本公开的一个示例实施方式的组装件，并且总体上用标号100指示。如图1所示，组装件100包括产生能量的电子组件102，和由连接至该电子组件102的至少一个底侧108与顶侧106限定的导热层104。该导热层104包括聚合物混合物(总体上用标号110指示)，和分散在该聚合物混合物110中的低熔点合金微粒(如椭圆112所示)。该导热层104(例如，装置)吸收由该电子组件102产生的能量。另外，该导热层104可以可选地耗散其吸收能量的至少一部分。在一些实施方式中，该导热层104可以在不利用散热装置(例如，散热器、热管等)的情况下，吸收并耗散充分量的能量。由此，并且如图1所示，该组装件100不包括连接至导热层104的顶侧106(或任何其它侧)的散热装置。导热层104例如根据希望热性能、周围空间约束等，而可以具有任何合适厚度。例如，导热层104可以具有在大约0.05mm至大约15mm之间的厚度。在其它实施方式中，该厚度可以大于大约15mm或者小于0.05mm。另外，层104(和在此公开的任何其它层)的厚度可以是均匀或不均匀的。如图1所示，电子组件102连接至基板114。例如，电子组件102可以是集成电路，而基板114可以是印刷电路板。在其它示例实施方式中，电子组件102可以是另一合适的电子组件，其连接至或者不连接至电路板和/或另一合适基板。在一些实施方式中，导热层104可以包括一种或更多种其它导热微粒(除了低熔点合金微粒112以外)，以帮助对能量进行吸收、传播、耗散等。例如，图2例示了包括与图1的导热层104大致类似的导热层204的组装件200。然而，图2的导热层204还包括导热微粒(如矩形202所示)，和分散在该聚合物混合物110中的低熔点合金微粒112。该导热微粒202例如可以是石墨微粒和/或纤维、金属(包括金属合金)、陶瓷、以及/或者其组合。例如，该石墨可以是天然石墨、合成石墨、两者的组合，该金属可以包括铜、铝等，而该陶瓷可以包括氮化铝、氮化硅等。另外和/或另选地，在不脱离本公开的范围的情况下，导热层204可以包括一种或更多种其它合适的导热微粒。图3例示了另一示例组装件300，其包括图1的连接至基板114的电子组件102，和用于吸收(并因此去除)来自电子组件102的能量的装置320。如图3所示，该装置320包括：可选导热层302、两个低熔点合金层304、306，以及两个涂层308、310。每一个低熔点合金层304、306分别包括连接至导热层302的一侧312、316，和大致被涂层308、310覆盖的另一相反侧314、318。同样地，该装置320的横截面布置结构包括：涂层(与电子组件102相邻)、低熔点合金层、可选导热层、另一低熔点合金层、以及另一涂层(与装置320的顶部相邻)。在图3的实施方式中，该低熔点合金层304、306被涂覆在导热层302上。例如，可以将一个或两个低熔点合金层304、306围绕导热层302模制，焊接至导热层302等。在这种示例中，每一个低熔点合金层304、306都具有在大约0.1mil至大约10mil之间的厚度。在其它实施方式中，可以将一个或两个低熔点合金层304、306按另一合适方式放置在导热层302上和/或例如根据希望结果、利用该装置320的应用等具有另一合适厚度。该低熔点合金层304、306可以包括如下进一步说明的仅一个或者更多个具体低熔点合金。在其它示例实施方式中，一个或两个低熔点合金层304、306可以包括与该低熔点合金一起混合的导热微粒，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于吸收来自电子组件的能量的装置，其特征在于，该装置包括：低熔点合金层，该低熔点合金层包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；第一涂层，该第一涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第一侧；以及第二涂层，该第二涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第二侧。

【技术特征摘要】
2015.09.11 US 62/217,4821.一种用于吸收来自电子组件的能量的装置，其特征在于，该装置包括：低熔点合金层，该低熔点合金层包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；第一涂层，该第一涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第一侧；以及第二涂层，该第二涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第二侧。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：至少一个导热层，所述至少一个导热层连接在所述低熔点合金层与所述第一涂层或所述第二涂层中的一个涂层之间。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述低熔点合金层是第一低熔点合金层，所述装置还包括连接至所述导热层的第二低熔点合金层。4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述导热层是第一导热层，所述装置还包括由石墨形成的至少一个第二导热层。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述低熔点合金层是第一低熔点合金层，所述装置还包括第二低熔点合金层。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：至少一个导热层，所述至少一个导热层连接在所述第一低熔点合金层与所述第二低熔点合金层之间。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述导热层由石墨形成。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述导热层被配置为连接至基准电位并且提供对所述电子组件的屏蔽。9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述导热层是金属层。10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述低熔点合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾森·L·斯特拉德，E·A·普拉斯，
申请(专利权)人：天津莱尔德电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12